由每个能够存储两个以上状态的多个存储设备组成的宏存储单元制造技术

一种装置。该装置包括具有第一存储设备和第二存储设备的宏存储单元。第一和第二存储设备均能够存储两个以上的状态。宏存储单元存储多个值，这些值是从第一和第二存储设备分别存储的状态的组合得出的。

【技术实现步骤摘要】
由每个能够存储两个以上状态的多个存储设备组成的宏存储单元
本专利技术的领域总体上涉及电子技术，并且更具体地，涉及由多个存储设备组成的宏存储单元，每个存储设备能够存储两个以上的状态。
技术介绍
随着计算系统继续实现日益复杂的功能，存储器系统及其底层技术越来越成为瓶颈。即，用于处理复杂功能的数据的逻辑越来越多地等待从存储器接收数据以对其进行操作，和/或在能够对下一组输入数据进行操作之前正在等待新创建的输出数据被写入存储器。附图说明结合以下附图，可以从下面的详细描述中获得对本专利技术的更好的理解，其中：图1示出了不同类型的存储设备的特性曲线；图2示出了宏单元的实施例；图3示出了从宏单元各自的存储设备的电阻状态的组合得出的宏单元的不同状态；图4示出了根据电阻存储设备可存储的状态数的宏单元的电阻存储设备的可工作电阻比的范围；图5示出了跑道状的多值存储器单元；图6a和6b分别示出了横向和垂直布置的宏单元的存储设备；图7示出了计算系统。具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：/n宏存储单元，其包括第一存储设备和第二存储设备，所述第一存储设备和所述第二存储设备均能够存储两个以上的状态，所述宏存储单元存储多个值，所述值是从所述第一存储设备和所述第二存储设备分别存储的状态的组合得出的。/n

【技术特征摘要】
20190629 US 16/457,9871.一种装置，包括：
宏存储单元，其包括第一存储设备和第二存储设备，所述第一存储设备和所述第二存储设备均能够存储两个以上的状态，所述宏存储单元存储多个值，所述值是从所述第一存储设备和所述第二存储设备分别存储的状态的组合得出的。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个值包括至少20个值。


3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一存储设备和所述第二存储设备二者存储电阻的状态。


4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一存储设备和所述第二存储设备中的一个展示出比所述第一存储设备和所述第二存储设备中的另一个更大的电阻。


5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述宏单元包括：
用于接收要写入所述宏存储单元的值的输入；以及，
写入电路，用于将所述值作为所述第一存储设备和所述第二存储设备的状态的组合进行写入。


6.根据权利要求5所述的装置，其中，在所述宏存储单元的输出处从所述宏存储单元读取作为以下中的任何一项的所述值：
电压；
电流；
电荷量；
磁矩。


7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一存储设备和所述第二存储设备存储由磁畴壁分隔开的磁畴。


8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一存储设备和所述第二存储设备相对于彼此横向地布置。


9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一存储设备和所述第二存储设备相对于彼此垂直地布置。


10.一种计算系统，包括：
多个处理核；
系统存储器；
存储器控制器，其耦合在所述多个处理核与所述系统存储器之间；
网络接口；以及，
宏存储单元，其包括第一存储设备和第二存储设备，所述第一存储设备和所述第二存储设...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·A·扬，D·E·尼科诺夫，E·V·卡尔波夫，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US