存储器中的感测操作制造技术

本公开包含与存储器中的感测操作有关的设备及方法。例示性设备可包含：存储器单元阵列；及控制器，其耦合到所述阵列，所述控制器经配置以基于与第一存储器单元相关联的第一输入以及与第二存储器单元相关联的第二输入及第三输入来感测所述第一存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器中的感测操作
本公开大体上涉及存储器装置，且更特定来说，本公开涉及用于存储器中的感测操作的设备及方法。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部、半导体、集成电路。存在包含易失性和非易失性存储器的许多不同类型存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过在断电时保存所存储的数据来提供持久数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM))等等。存储器也用作各种电子应用的易失性及非易失性数据存储器。非易失性存储器可用于(例如)个人计算机、便携式存储棒(memorystick)、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)、电影播放器及其它电子装置中。存储器单元可布置成阵列，其中阵列用于存储器装置中。存储器可为用于计算装置中的存储器系统的部分。存储器系统可包含易失性存储器(例如(举例来说)DRAM)及/或非易失性存储器(例如(举例来说)快闪存储器、FeRAM或RRAM)。附图说明图1是根据本公开的若干实施例的呈包含存储器装置的计算系统的形式的设备的框图。图2是根据本公开的若干实施例的计算系统中的存储器装置的存储器库(bank)的多个区段的框图。图3是说明根据本公开的若干实施例的存储器装置的存储器库中的存储器单元的区段及群组的示意图。图4是说明根据本公开的若干实施例的存储器单元群组的示意图。图5说明根据本公开的若干实施例的用于感测存储器单元的感测放大器。图6说明根据本公开的若干实施例的用于感测存储器单元的感测放大器。具体实施方式本公开包含与存储器中的感测操作有关的设备及方法。例示性设备可包含：存储器单元阵列；及控制器，其耦合到所述阵列，所述控制器经配置以基于与第一存储器单元相关联的第一输入及与第二存储器单元相关联的第二输入及第三输入来感测所述第一存储器单元。在本公开的一或多个实施例中，可通过将对应于存储器单元的电压电势的信号及对应于另一存储器单元的互补电压电势的信号施加到与所述存储器单元相关联的感测电路来感测所述存储器单元。所述另一存储器单元可为使用存储在不同存储元件(例如所述存储器单元的电容器)中的两个互补电压电势所编程的存储器单元(例如，双存取装置/双存储元件存储器单元，例如2晶体管2电容器(2T2C)存储器单元)。所述感测电路经配置以平均化所述两个互补电压电势且比较所述平均值与所感测的所述存储器单元的电压电势。所述电压电势的平均值可为用于感测存储器单元的参考电压。在本公开的一或多个实施例中，可通过将对应于第一存储器单元的电压电势的信号、对应于第二存储器单元的电压电势的第二信号及对应于第三存储器单元的电压电势的第三信号施加到与所述第一存储器单元相关联的感测电路来感测所述第一存储器单元。所述第二电压电势及所述第三电压电势互补，其中所述电压电势的一者对应于第一数据状态且另一电压电势对应于第二数据状态(例如，经操作以获得一位数据的两个1T1C存储器单元)。所述感测电路经配置以平均化所述第二电压电势及所述第三电压电势且比较所述平均值与所感测的所述第一存储器单元的电压电势。所述第二电压电势及所述第三电压电势的平均值可为用于感测所述第一存储器单元的参考电压。存储器单元(其存储电压电势，所述电压电势由感测电路平均化及用作感测特定存储器单元的参考电压)可定位在所述特定存储器单元的特定距离内。例如，存储由感测电路用作参考电压的电压电势的存储器单元可耦合到与存储器单元群组相关联的感测电路，其中所述存储器单元群组包含若干邻近存储器单元。所述存储器单元群组可包含2个、4个、8个、16个等等存储器单元，其使用来自邻近所述存储器单元群组的存储器单元(或若干存储器单元)的电压电势作为参考电压。使用来自邻近存储器单元群组的存储器单元(或若干存储器单元)的参考电压来感测所述存储器单元群组中的存储器单元可减少感测操作期间的温度效应及/或存储器单元结构变化。而且，使用来自邻近存储器单元群组的存储器单元(或若干存储器单元)的参考电压来感测所述存储器单元群组中的存储器单元可减少感测操作的时间。例如，可在与所感测的存储器单元相关联的电压电势饱和前完成感测操作，因为参考电压的量值变化与在感测操作期间感测的存储器单元相关联的电压电势的量值变化成比例。因此，可比较所感测的存储器单元的电压电势与和所感测的存储器单元相关联的电压电势饱和前的参考电压。在本公开的以下具体实施方式中，参考形成本公开的部分的附图，且其中通过说明来展示可如何实践本公开的若干实施例。足够详细地描述这些实施例以使所属领域的一般技术人员能够实践本公开的实施例，且应理解，可利用其它实施例且可在不脱离本公开的范围的情况下做出过程、电气及/或结构改变。如本文中所使用，“若干”某物可指代一或多个此类事物。例如，若干存储器装置可指代一或多个存储器装置。另外，如本文中所使用的指示符(例如“N”)(尤其相对于图中的元件符号)指示如此指定的若干特定特征可包含在本公开的若干实施例内。本文中的图遵循编号惯例，其中第一位或前几位数字对应于图号且剩余数字识别图中的元件或组件。不同图之间的类似元件或组件可通过使用类似数字识别。例如，130可指称图1中的元件“30”，且类似元件可在图2中指称为230。如将了解，可增加、交换及/或消除本文中的各种实施例中所展示的元件以提供本公开的若干额外实施例。另外，图中提供的元件的比例和相对标度希望说明本公开的实施例且不应用于限制。图1是根据本公开的若干实施例的呈计算系统100的形式的设备的框图，计算系统100包含存储器装置120，存储器装置120包含存储器阵列130。如本文中所使用，存储器装置120、控制器140、存储器阵列130、感测电路150及/或损耗均衡171以及其它组件也可被分开视为“设备”。图1中的系统100包含耦合(例如连接)到存储器装置120的主机110。主机110可为主机系统，例如个人膝上型计算机、桌面计算机、数码相机、智能电话或存储卡读卡器以及各种其它类型的主机。主机110可包含系统主板及/或背板且可包含若干处理资源(例如一或多个处理器、微处理器或一些其它类型的控制电路)。系统100可包含分开的集成电路，或主机110及存储器装置120两者可在相同集成电路上。系统100可为(例如)服务器系统及/或高性能计算(HPC)系统及/或其的部分。尽管图1中所展示的实例说明具有冯诺伊曼(VonNeumann)架构的系统，但本公开的实施例可实施在非冯诺伊曼架构(其可不包含通常与冯诺伊曼架构相关联的一或多个组件(例如，CPU、ALU等等))中。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n存储器单元阵列；及/n控制器，其耦合到所述阵列，所述控制器经配置以：/n基于与第一存储器单元相关联的第一输入以及与第二存储器单元相关联的第二输入及第三输入来感测所述第一存储器单元。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180531 US 15/994,3071.一种设备，其包括：
存储器单元阵列；及
控制器，其耦合到所述阵列，所述控制器经配置以：
基于与第一存储器单元相关联的第一输入以及与第二存储器单元相关联的第二输入及第三输入来感测所述第一存储器单元。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二输入对应于第一数据状态且所述第三输入对应于第二数据状态，且其中所述第一数据状态及所述第二数据状态互补。


3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器单元是单存取装置/单存储元件存储器单元且所述第二存储器单元是双存取装置/双存储元件存储器单元。


4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述第一存储器单元及所述第二存储器单元耦合到与所述第一存储器单元相关联的第一感测放大器。


5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述第二存储器单元耦合到与所述第二存储器单元相关联的第二感测放大器。


6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中通过在与所述第一存储器单元相关联的第一感测放大器中比较所述第一输入与所述第二输入及所述第三输入的平均值来感测所述第一存储器单元的数据状态。


7.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的设备，其中所述第一存储器单元耦合到第一数字线，所述第一数字线与耦合到所述阵列中的所述第二存储器单元的第二数字线相隔八个数字线。


8.一种设备，其包括：
存储器单元阵列，其包含耦合到存取线的第一数量个存储器单元；
第一数量个感测放大器，其中所述第一数量个存储器单元中的每一者耦合到所述第一数量个感测放大器中的对应感测放大器；及
控制器，其耦合到所述阵列，所述控制器经配置以：
基于来自所述第一数量个存储器单元的输入及从第二存储器单元到所述第一数量个存储器单元中的每一者的所述对应感测放大器的输入来感测所述第一数量个存储器单元。


9.根据权利要求8所述的设备，其中所述阵列包含耦合到所述存取线的第二数量个存储器单元，且其中所述第二数量个存储器单元中的每一者耦合到所述第二数量个感测放大器中的对应感测放大器。


10.根据权利要求8到9中任一权利要求所述的设备，其中控制器经配置以基于来自所述第二数量个存储器单元的输入及从第三存储器单元到所述第二数量个存储器单元中的每一者的所述对应感测放大器的输入来感测所述第二数量个存储器单元。


11.一种设备，其包括：
存储器单元阵列，其包含耦合到第一感测放大器的第一存储器单元、耦合到第二感测放大器的第二存储器单元及耦合到第三感测放大器的第三存储器单元；及
控制器，其经配置以：
通过将与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木尊雅，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US