光电芯片和光电芯片的制备方法技术

本发明专利技术涉及芯片测试技术领域，公开了一种光电芯片和光电芯片的制备方法。光电芯片包括：第一区域、第二区域、以及第三区域；其中，第一区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的掩蔽膜；第二区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的第一扩散掺杂层；第三区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的第二扩散掺杂层；第一扩散掺杂层与第二扩散掺杂层彼此间隔分开。通过形成第一扩散掺杂层和第二扩散掺杂层，在第一扩散掺杂层上对光电芯片的性能和参数进行测试，避免由于探针的针尖直径过大或探针不能直接对第二扩散区进行探测，不便于检测光电芯片的性能；提高光电芯片的良品率。

【技术实现步骤摘要】
光电芯片和光电芯片的制备方法
本专利技术涉及芯片测试
，尤其涉及一种光电芯片和光电芯片的制备方法。
技术介绍
光电探测器芯片的制备工艺中，扩散工艺作为直接影响光电探测器芯片性能的一环，在光电探测器芯片扩散后通常需要测量光电探测器芯片的扩散深度，然而测量光电探测器芯片的扩散深度的操作较为复杂且精度有限。一般会通过测试其他参数，例如通过测试击穿电压的大小来确定光电探测器芯片的扩散深度。但是高速的光电探测器芯片的速率在25Gbps以上、单光子探测器芯片、或者其他特殊要求的光电芯片，通常由于其扩散区域非常小，从而导致在光电芯片扩散掺杂后，探针测试台无法直接测试光电芯片的性能，例如击穿电压、暗电流等。在这种情况下，对光电芯片继续进行下一步的工艺，往往会有很大风险，造成良品率不高。
技术实现思路
为了解决相关技术中的光电芯片的性能测试不便、良品率低的技术问题，本专利技术提供了一种光电芯片和光电芯片的制备方法。第一方面，本专利技术提供了一种光电芯片，包括：第一区域、第二区域、以及第三区域；其中，所述第一区域包括衬底、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电芯片，其特征在于，包括：第一区域、第二区域、以及第三区域；其中，所述第一区域包括衬底、设于所述衬底上的外延结构、以及设于所述外延结构上的掩蔽膜；所述第二区域包括所述衬底、设于所述衬底上的所述外延结构、以及设于所述外延结构上的第一扩散掺杂层；所述第三区域包括所述衬底、设于所述衬底上的所述外延结构、以及设于所述外延结构上的第二扩散掺杂层；所述第一扩散掺杂层与所述第二扩散掺杂层彼此间隔分开。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电芯片，其特征在于，包括：第一区域、第二区域、以及第三区域；其中，所述第一区域包括衬底、设于所述衬底上的外延结构、以及设于所述外延结构上的掩蔽膜；所述第二区域包括所述衬底、设于所述衬底上的所述外延结构、以及设于所述外延结构上的第一扩散掺杂层；所述第三区域包括所述衬底、设于所述衬底上的所述外延结构、以及设于所述外延结构上的第二扩散掺杂层；所述第一扩散掺杂层与所述第二扩散掺杂层彼此间隔分开。


2.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第二区域的数量为一个或多个；所述第三区域的数量为一个。


3.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第二区域和所述第三区域间隔分布，所述第二区域和所述第三区域之间的最短间隔间距大于10um。


4.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第一扩散掺杂层和所述第二扩散掺杂层的扩散浓度相同，且所述第一扩散掺杂层和所述第二扩散掺杂层的扩散深度相同。


5.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第二区域的表面积大于所述第三区域的表面积。


6.根据权利要求1所述的光电芯片，其特征在于，所述第一扩散掺杂层的外部轮廓为...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹颜，杨彦伟，张续朋，
申请(专利权)人：芯思杰技术深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44