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本发明涉及芯片测试技术领域，公开了一种光电芯片和光电芯片的制备方法。光电芯片包括：第一区域、第二区域、以及第三区域；其中，第一区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外延结构上的掩蔽膜；第二区域包括衬底、设于衬底上的外延结构、以及设于外...
该专利属于芯思杰技术(深圳)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯思杰技术(深圳)股份有限公司授权不得商用。

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