一种10000W的SMC封装结构制造技术

本实用新型专利技术适用于SMC封装技术领域，提供了一种10000W的SMC封装结构，包括下框架、胶体和上框架，所述下框架的顶部与胶体底部的右侧接触，所述胶体左侧的底部与下框架的左侧接触，所述下框架的顶部设置有芯片，所述芯片的数量有两个，所述上框架底部的右侧设置有焊料，所述焊料的底部与芯片的顶部接触，通过下框架、胶体、上框架、芯片和焊料的设置，达到了可以容纳更大芯片的优点，解决现有的SMC封装结构无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构实用性的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种10000W的SMC封装结构
本技术属于SMC封装
，尤其涉及一种10000W的SMC封装结构。
技术介绍
瞬态抑制二极管TVS产品，广泛应用于太阳能逆变器、机顶盒、MOSFET保护、工业控制、电信基站和以太网供电之类的应用中，在实际应用中，当脉冲能量超过TVS管所能承受的能量时，TVS管就会产生过电应力损伤，从而导致TVS管失效，传统的SMC封装结构，无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构的实用性。
技术实现思路
本技术提供一种10000W的SMC封装结构，旨在解决现有的SMC封装结构无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构实用性的问题。本技术是这样实现的，一种10000W的SMC封装结构，包括下框架、胶体和上框架，所述下框架的顶部与胶体底部的右侧接触，所述胶体左侧的底部与下框架的左侧接触，所述下框架的顶部设置有芯片，所述芯片的数量有两个，所述上框架底部的右侧设置有焊料，所述焊料的底部与芯片的顶部接触。优选的，所述焊料包括铜合金层，所述铜合金层的外表面包裹有镀锌层，所述镀锌层的厚度与铜合金层的厚度相同。优选的，所述胶体包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的外表面设置有环氧树脂层，所述环氧树脂层的外表面设置有氧化铝层。优选的，所述胶体的外表面与陶瓷基板的内腔粘连，所述陶瓷基板的外表面与环氧树脂层的内腔粘连，所述环氧树脂层的外表面与氧化铝层的内腔粘连。优选的，所述焊料的外表面与铜合金层的内腔粘连，所述铜合金层的外表面与镀锌层的内腔粘连。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术的一种10000W的SMC封装结构：1)通过下框架、胶体、上框架、芯片和焊料的设置，达到了可以容纳更大芯片的优点，解决现有的SMC封装结构无法容纳更大的芯片，且不能进行叠片增加功率，耐腐蚀性能和使用强度低，会影响SMC封装结构的使用寿命，无法用普通的TVS芯片达到10000W水平，无法满足使用者的需求，降低了SMC封装结构实用性的问题；2)通过设置环氧树脂层，不但具有密实、抗水、抗渗漏好、强度高等特点，同时具有附着力强、常温操作、施工简便等良好的工艺性，而且价格适中，增加了胶体耐腐蚀性能和使用强度，提高了胶体的使用寿命，通过设置陶瓷基板和氧化铝层，是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝、陶瓷基片表面上的特殊工艺板，所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力，增加了胶体的使用强度和优良电绝缘性能，通过设置铜合金层和镀锌层，其中铜合金层铜密度为8.96、熔点为1083℃，具有优良的导电性、导热性、延展性和耐蚀性，提高了焊料5的导线性能和耐蚀性能，延长了焊料的使用寿命。附图说明图1为本技术的整体结构示意图；图2为本技术的胶体结构俯视图；图3为本技术的胶体结构示意图；图4为本技术的焊料结构示意图。图中：1-下框架；2-胶体；201-陶瓷基板；202-环氧树脂层；203-氧化铝层；3-上框架；4-芯片；5-焊料；501-铜合金层；502-镀锌层。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参阅图1-4，本技术提供一种10000W的SMC封装结构：包括下框架1、胶体2和上框架3，下框架1的顶部与胶体2底部的右侧接触，胶体2左侧的底部与下框架1的左侧接触，下框架1的顶部设置有芯片4，芯片4的数量有两个，上框架3底部的右侧设置有焊料5，焊料5的底部与芯片4的顶部接触。进一步的，焊料5包括铜合金层501，铜合金层501的外表面包裹有镀锌层502，镀锌层502的厚度与铜合金层501的厚度相同；本实施例中，通过设置铜合金层501和镀锌层502，其中铜合金层501铜密度为8.96、熔点为1083℃，具有优良的导电性、导热性、延展性和耐蚀性，提高了焊料5的导线性能和耐蚀性能，延长了焊料5的使用寿命。进一步的，胶体2包括陶瓷基板201，陶瓷基板201的外表面设置有环氧树脂层202，环氧树脂层202的外表面设置有氧化铝层203；本实施例中，通过设置陶瓷基板201和氧化铝层203，是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝、陶瓷基片表面上的特殊工艺板，所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力，增加了胶体2的使用强度和优良电绝缘性能。进一步的，胶体2的外表面与陶瓷基板201的内腔粘连，陶瓷基板201的外表面与环氧树脂层202的内腔粘连，环氧树脂层202的外表面与氧化铝层203的内腔粘连；本实施例中，通过设置氧化铝层203，是一种高硬度的化合物，熔点为2054℃，沸点为2980℃，在高温下可电离的离子晶体，增加了焊料5的耐高温性能。进一步的，焊料5的外表面与铜合金层501的内腔粘连，铜合金层501的外表面与镀锌层502的内腔粘连；本实施例中，通过镀锌层502，经钝化处理、染色或涂覆护光剂后，能显著提高其防护性和装饰性。在本实施方式中，具体安装时，首先检查本装置各部件之间的连接情况，确保各部件连接紧密后，将本装置胶体2改大改厚。具体使用时，通过设置环氧树脂层202，不但具有密实、抗水、抗渗漏好、强度高等特点，同时具有附着力强、常温操作、施工简便等良好的工艺性，而且价格适中，增加了胶体2耐腐蚀性能和使用强度，提高了胶体2的使用寿命，通过设置陶瓷基板201和氧化铝层203，是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝、陶瓷基片表面上的特殊工艺板，所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力，增加了胶体2的使用强度和优良电绝缘性能，通过设置铜合金层501和镀锌层502，其中铜合金层501铜密度为8.96、熔点为1083℃，具有优良的导电性、导热性、延展性和耐蚀性，提高了焊料5的导线性能和耐蚀性能，延长了焊料5的使用寿命，通过设置氧化铝层203，是一种高硬度的化合物，熔点为2054℃，沸点为2980℃，在高温下可电离的离子晶体，增加了焊料5的耐高温性能，通过镀锌层502，经钝化处理、染色或涂覆护光剂后，能显著提高其防护性和装饰性，从而达到了可以容纳更大芯片的优点，解决现有的SMC封装结构无法容纳更大的芯片，且不能进行叠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种10000W的SMC封装结构，其特征在于：包括下框架(1)、胶体(2)和上框架(3)，所述下框架(1)的顶部与胶体(2)底部的右侧接触，所述胶体(2)左侧的底部与下框架(1)的左侧接触，所述下框架(1)的顶部设置有芯片(4)，所述芯片(4)的数量有两个，所述上框架(3)底部的右侧设置有焊料(5)，所述焊料(5)的底部与芯片(4)的顶部接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种10000W的SMC封装结构，其特征在于：包括下框架(1)、胶体(2)和上框架(3)，所述下框架(1)的顶部与胶体(2)底部的右侧接触，所述胶体(2)左侧的底部与下框架(1)的左侧接触，所述下框架(1)的顶部设置有芯片(4)，所述芯片(4)的数量有两个，所述上框架(3)底部的右侧设置有焊料(5)，所述焊料(5)的底部与芯片(4)的顶部接触。


2.如权利要求1所述的一种10000W的SMC封装结构，其特征在于：所述焊料(5)包括铜合金层(501)，所述铜合金层(501)的外表面包裹有镀锌层(502)，所述镀锌层(502)的厚度与铜合金层(501)的厚度相同。


3.如权利要求1所述的一种10000W的S...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡光亮，
申请(专利权)人：上海雷卯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31