超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构制造技术

本发明专利技术提供了一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构，属于芯片封装微波信号互联技术领域，超高频表贴陶瓷垂直互联结构包括陶瓷介质、正面引脚焊盘、背面引脚焊盘和类同轴结构，正面引脚焊盘设置在陶瓷介质正面上且周围设有GND区域，背面引脚焊盘设置在陶瓷介质背面上且周围设有GND区域，类同轴结构包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔，射频信号垂直过渡孔与陶瓷正面引脚焊盘垂直布置；封装结构包括超高频表贴陶瓷垂直互联结构。本发明专利技术的优点是可提高射频垂直传输性能，其能在陶瓷之间实现DC‑40GHz宽带高频信号的传输，且其结构为垂直互联结构，在40GHz以内，可以实现射频信号良好的垂直传输，回波损耗S11和S22优于‑10dB。

【技术实现步骤摘要】
超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构
本专利技术属于芯片封装微波信号互联
，更具体地说，是涉及一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构。
技术介绍
随着电子设备小型化及集成度的需求越来越高，这就要求采用高性能高可靠的射频垂直互联结构。对于芯片级封装垂直互联结构的实现，目前混合集成电路中应用的陶瓷材料主要有氮化铝HTCC、氧化铝HTCC和LTCC陶瓷基板，这三种陶瓷都是共烧陶瓷。HTCC基板由于烧结温度较高，内部布线和通孔填充的导体材料采用的是高熔点的钨、钼、锰等金属材料，这些材料的方阻较大，在高频下会造成信号传输损耗大、信号延迟等缺陷，因此不利于高频信号的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构，旨在解决HTCC基板内部导体方阻大，在高频下造成信号传输损耗大，信号延迟的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构，包括陶瓷介质、正面引脚焊盘、背面引脚焊盘和类同轴结构，正面引脚焊盘设置在所述陶瓷介质正面上，所述正面引脚焊盘周围设有GN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，包括：/n陶瓷介质；/n正面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质正面上，所述正面引脚焊盘周围设有GND区域；/n背面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质背面上，与所述正面引脚焊盘平行设置，所述背面引脚焊盘周围设有GND区域；以及/n类同轴结构，设于所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间，包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔，所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间通过所述射频信号垂直过渡孔连通，所述接地垂直过渡孔为多个，且均围绕所述射频信号垂直过渡孔的圆周向均匀布设；所述射频信号垂直过渡孔的轴向与所述正面引脚焊盘平面垂直设置。/n

【技术特征摘要】
1.超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，包括：
陶瓷介质；
正面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质正面上，所述正面引脚焊盘周围设有GND区域；
背面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质背面上，与所述正面引脚焊盘平行设置，所述背面引脚焊盘周围设有GND区域；以及
类同轴结构，设于所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间，包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔，所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间通过所述射频信号垂直过渡孔连通，所述接地垂直过渡孔为多个，且均围绕所述射频信号垂直过渡孔的圆周向均匀布设；所述射频信号垂直过渡孔的轴向与所述正面引脚焊盘平面垂直设置。


2.如权利要求1所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正面引脚焊盘为上窄下宽的弧形构件，且弧形构件呈凸字型。


3.如权利要求1所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正面引脚焊盘包括：
正面焊盘，设置在所述射频信号垂直过渡孔正面并与所述射频信号垂直过渡孔连通；
键合焊盘，用于与芯片键合；以及
过渡段，设置并连接在所述正面焊盘和所述键合焊盘之间，所述正面焊盘、所述键合焊盘和所述过渡段组成形成凸字型结构。


4.如权利要求3所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱春雨，李萌，白银超，赵瑞华，王磊，赵正桥，王晟，苏晓晨，韩猛，刘星，高占岭，杨添延，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13