一种用于ESD保护的低压SCR器件制造技术

本技术涉及静电保护技术领域，并公开了一种用于ESD保护的低压SCR器件，包括主体机构、散热机构和活动机构，所述散热机构位于主体机构的下端，所述活动机构位于散热机构的上端，所述主体机构包括上盖、保护框、缓冲垫和第一夹层，所述保护框固定安装在上盖的下端，所述缓冲垫固定安装在保护框的下端，所述第一夹层活动安装在上盖的下端。该用于ESD保护的低压SCR器件，通过对主体机构的安装，实现了保护框的下端设有缓冲垫，便于卡合后加强密封性，第二夹层的弹簧接触在第一夹层的底部，便于加强缓冲性，同时调节架可通过拉伸件进行收紧和拉伸，避免第一夹层受到外界碰撞损坏，打开后，调节架将上端的支撑座立起，可拆卸和安装，便于检修。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及静电保护，具体为一种用于esd保护的低压scr器件。

技术介绍

1、静电放电是当一个集成电路的管脚浮接时，大量静电荷从外向内灌入集成电路的瞬时过程，整个过程大约耗时100ns。在集成电路的静电放电时会产生数百甚至数千伏特的高压，将集成电路中输入级的栅氧化层击穿。随着集成电路工艺的进步，mos管的特征尺寸越来越小，栅氧化层的厚度也越来越薄，在这种趋势下，使用高性能的esd防护器件来泄放静电电荷以保护栅极氧化层显得十分重要。

2、例如cn102938403a，根据cn102938403a中关于一种用于esd保护的低压触发scr器件，采用第一pmos和第二pmos分别进行衬底触发和栅触发，从而降低scr器件的触发电压，esd脉冲信号施加在anode和cathode之间，第一pmos和第二pmos首先被触发导通，第一pmos开通之后，给nwell施加一触发电流，第二pmos开通之后给第三pmos施加一触发电压，第一pmos施加的nwell触发电流和第三pmos的沟道电流触发晶闸管导通，晶闸管电流导通大部分esd电流，从而实现了esd保护，但该本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于ESD保护的低压SCR器件，包括主体机构(1)、散热机构(2)和活动机构(3)，其特征在于：所述散热机构(2)位于主体机构(1)的下端，所述活动机构(3)位于散热机构(2)的上端，所述主体机构(1)包括上盖(101)、保护框(102)、缓冲垫(103)和第一夹层(104)，所述保护框(102)固定安装在上盖(101)的下端，所述缓冲垫(103)固定安装在保护框(102)的下端，所述第一夹层(104)活动安装在上盖(101)的下端；

2.根据权利要求1所述的一种用于ESD保护的低压SCR器件，其特征在于：所述散热机构(2)包括主板(201)、安装孔(202)、底座(...

【技术特征摘要】

1.一种用于esd保护的低压scr器件，包括主体机构(1)、散热机构(2)和活动机构(3)，其特征在于：所述散热机构(2)位于主体机构(1)的下端，所述活动机构(3)位于散热机构(2)的上端，所述主体机构(1)包括上盖(101)、保护框(102)、缓冲垫(103)和第一夹层(104)，所述保护框(102)固定安装在上盖(101)的下端，所述缓冲垫(103)固定安装在保护框(102)的下端，所述第一夹层(104)活动安装在上盖(101)的下端；

2.根据权利要求1所述的一种用于esd保护的低压scr器件，其特征在于：所述散热机构(2)包括主板(201)、安装孔(202)、底座(203)、散热口(204)、静电海绵层(205)、驱动装置(206)和散热扇(207)，所述主板(201)活动安装在第一夹层(104)的上端，所述安装孔(202)固定设置在主板(201)的上端。

3.根据权利要求2所述的一种用于esd保护的低压scr器件，其特征在于：所述底座(203)活动安装在第二夹层(105)的下端，所述散热口(204)固定设置在底座(203)的内部，所述静电海绵层(205)固定设置在散...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡光亮，
申请(专利权)人：上海雷卯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：