半导体刻蚀孔内膜层及三维存储器结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体刻蚀孔内膜层的制备方法及三维存储器结构的制备方法，刻蚀孔内膜层制备包括：提供具有刻蚀孔的半导体基底，在刻蚀孔中提供第一原料气形成初始材料膜层，通入第一吹扫气体进行第一吹扫；提供第二原料气，与初始材料膜层反应形成刻蚀孔填充膜层，通入第二吹扫气进行第二吹扫。本发明专利技术在孔内膜层制备的过程中引入吹扫气体吹扫的步骤，不仅可以基于第一原料气得到单原子层材料层，还可以在薄膜形成过程中将副产物通过简单的方式有效去除，工艺简单，利于提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体刻蚀孔内膜层及三维存储器结构的制备方法
本专利技术属于集成电路
，特别是涉及一种半导体刻蚀孔内膜层的制备方法及三维存储器结构的制备方法。
技术介绍
随着集成电路中器件的特征尺寸的不断缩小，堆叠多个平面的存储单元以实现更大存储容量并实现每比特更低成本的3D存储器技术越来越受到青睐。3D存储器是一种堆叠数据单元的技术，目前已可实现32层以上，甚至72层、96层、128层或更多层数据单元的堆叠。随着堆叠层数的增加，贯穿堆叠结构的存储结构的引出面临越来越大的挑战。目前，在三维(3D，three-dimensional)存储器及其制备过程中，往往会存在各种需要填充的孔，例如，器件的沟道孔(channelhole)、栅线缝隙(gatelineslit)，尤其是随着这些孔的深宽比(AR)的增加，在孔内膜层形成过程中副产物去除变得非常困难，例如，这些副产物可能是在薄膜的沉积过程中产生的，这些副产物在器件功能发挥等方面可以会产生副作用(sideeffect)，难以得到有效膜层，从而急需寻找到解决上述问题的有效方法。因此，如何提供一种半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体刻蚀孔内膜层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：/n提供半导体基底，所述半导体基底中形成有刻蚀孔；/n提供第一原料气，以基于所述第一原料气在所述刻蚀孔内壁上形成初始材料膜层；/n自所述刻蚀孔的顶部通入第一吹扫气体，以进行第一吹扫；/n提供第二原料气，以基于所述第二原料气与所述初始材料膜层得到刻蚀孔填充膜层；自所述刻蚀孔的顶部通入第二吹扫气体，以进行第二吹扫。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀孔内膜层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
提供半导体基底，所述半导体基底中形成有刻蚀孔；
提供第一原料气，以基于所述第一原料气在所述刻蚀孔内壁上形成初始材料膜层；
自所述刻蚀孔的顶部通入第一吹扫气体，以进行第一吹扫；
提供第二原料气，以基于所述第二原料气与所述初始材料膜层得到刻蚀孔填充膜层；自所述刻蚀孔的顶部通入第二吹扫气体，以进行第二吹扫。


2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀孔内膜层的制备方法，其特征在于，形成所述刻蚀孔填充膜层的具体制备方式包括：
在第一时长内通入所述第一原料气；切断所述第一原料气，并在第二时长内通入所述第一吹扫气；切断所述第一吹扫气，并在第三时长内通入所述第二原料气；切断所述第二原料气，并在第四时长内通入所述第二吹扫气；切断所述第二吹扫气。


3.根据权利要求2所述的半导体刻蚀孔内膜层的制备方法，其特征在于，
通入所述第一原料气之前，所述方法还包括进行持续第一预设时长的第一原料气预制过程；
通入所述第一吹扫气之前，所述方法还包括进行持续第二预设时长的第一吹扫气预制过程；
通入所述第二原料气之前，所述方法还包括进行持续第三预设时长的第二原料气预制过程；
通入所述第二吹扫气之前，所述方法还包括进行持续第四预设时长的第二吹扫气预制过程。


4.根据权利要求3所述的半导体刻蚀孔内膜层的制备方法，其特征在于，所述第二时长、所述第三时长及所述第四时长的时长之和与所述第一预设时长的时长相等；所述第二预设时长的时长与所述第一时长的时长相等；所述第四时长、所述第一时长及所述第二时长的时长之和与所述第三预设时长的时长相等；所述第四预设时长的时长与所述第三时长的时长相等。


5.根据权利要求1所述的半导体刻蚀孔内膜层的制备方法，其特征在于，所述提供第一原料气、所述通入第一吹扫气、所述提供第二原料气及所述通入第二吹扫气的过程形成第一循环过程，所述制备方法包括至少重复一次所述第一循环过程，以得到所述刻蚀孔填充膜层的步骤；所述刻蚀孔内膜层的形成方式包括原子层沉积工艺，所述刻蚀孔膜层基于若干层原子层沉积单元制备得到，其中，在形成每一所述原子层沉积单元的过程中执行所述第一循环过程。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：何亚东，张莉，王新胜，刘力挽，王伟哲，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42