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本发明提供一种半导体刻蚀孔内膜层的制备方法及三维存储器结构的制备方法，刻蚀孔内膜层制备包括：提供具有刻蚀孔的半导体基底，在刻蚀孔中提供第一原料气形成初始材料膜层，通入第一吹扫气体进行第一吹扫；提供第二原料气，与初始材料膜层反应形成刻蚀孔填充...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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