【技术实现步骤摘要】
集成微流道的三维封装结构及封装方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别涉及一种集成微流道的三维封装结构及封装方法。
技术介绍
随着先进节点的不断开发，芯片的散热成为越来越关键的问题，传统的主动散热装置不能满足大功耗、多芯片散热需求，需要通过更先进的散热技术保障芯片正常工作。其中微流道是其中一项关键技术，其特点是可以继承在芯片封装中，体积小，散热效率高，是具有良好前景的散热方案。通常微流道在应用时，一般是作为一个散热部件组装在芯片系统中，如组装在芯片背面，或者通过封装互连将芯片组装在微流道上，这两种方式都会使得芯片的发热面，即有源面远离微流道的散热面，同时由于采用的TIM胶或底填胶热导率提升有限，依然会产生较大的热阻，影响整体散热效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种集成微流道的三维封装结构及封装方法，以解决现有的微流道散热效率无法提升的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种集成微流道的三维封装结构及封装方法，包括：在芯片上形成多个第一导电体和多个第二导电体；<...
【技术保护点】
1.一种集成微流道的三维封装方法，其特征在于，包括：/n在芯片上形成多个第一导电体和多个第二导电体；/n在第一基板上形成多个与第一导电体一一对应的空腔，以及与多个与第二导电体一一对应的第三导电体；/n将芯片布置于第一基板上，以使所述第一导电体容置于所述空腔内，且所述第二导电体与所述第三导电体电连接；/n在第一基板上形成第一微流道结构，所述第一微流道结构被配置为所述第一导电体散热；/n在第二基板上形成与所述第一微流道结构相对应的第二微流道结构、以及多个与第一导电体一一对应的第四导电体；/n将第二基板布置于所述第一基板上，以使所述第一微流道结构与所述第二微流道结构相通，形成三维...
【技术特征摘要】
1.一种集成微流道的三维封装方法，其特征在于，包括：
在芯片上形成多个第一导电体和多个第二导电体；
在第一基板上形成多个与第一导电体一一对应的空腔，以及与多个与第二导电体一一对应的第三导电体；
将芯片布置于第一基板上，以使所述第一导电体容置于所述空腔内，且所述第二导电体与所述第三导电体电连接；
在第一基板上形成第一微流道结构，所述第一微流道结构被配置为所述第一导电体散热；
在第二基板上形成与所述第一微流道结构相对应的第二微流道结构、以及多个与第一导电体一一对应的第四导电体；
将第二基板布置于所述第一基板上，以使所述第一微流道结构与所述第二微流道结构相通，形成三维垂直结构微流道系统，且所述第一导电体与所述第四导电体电连接，使冷却液在所述三维垂直结构微流道系统中流动。
2.如权利要求1所述的集成微流道的三维封装方法，其特征在于，所述多个第一导电体和多个第二导电体形成在芯片的有源面上，所述芯片与所述第一基板的正面相贴合，所述第二基板与所述第一基板的背面相贴合。
3.如权利要求2所述的集成微流道的三维封装方法，其特征在于，还包括：
在所述第一基板的正面形成多个与第一导电体和/或第二导电体电连接的第五导电体及第六导电体；
所述第五导电体布置于所述第一基板与芯片的贴合面；
所述第六导电体沿芯片高度方向延伸至高于芯片顶面。
4.如权利要求3所述的集成微流道的三维封装方法，其特征在于，还包括：将芯片布置于第一基板上之后，在所述第一基板上及芯片的无源面上形成塑封层，所述塑封层包裹所述芯片，并覆盖所述第一基板的正面；
对所述塑封层进行平坦化，以暴露出所述第六导电体；
在所述塑封层上形成第七导电体，所述第七导电体与所述第六导电体电连接。
5.如权利要求4所述的集成微流道的三维封装方法，其特征在于，在所述塑封层上形成第七导电体包括：
采用旋涂工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺在所述塑封层上沉积形成介质层，并对所述介质层进行刻蚀进行图形化；
采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述介质层表面形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的第七导电体；
使所述第七导电体将所述一个或多个第六导电体的电性导出。
6.如权利要求5所述的集成微流道的三维封装方法，其特征在于，在第一基板上形成第一微流道结构之前，将第三基板键合于所述介质层及所述金属层上；
将第二基板布置于所述第一基板上之后，将所述第三基板从所述介质层与所述金属层上去除；
在所述介质层上形成微流道流入孔和...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐成，曹立强，孙鹏，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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