一种晶圆芯片切割方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，特别是一种晶圆芯片切割方法，刀具切割完第一切割方向上所有第一切割道后对第二切割方向上的所有第二切割道进行切割，所述第一切割方向与第二切割方向相互垂直，且所述第一切割方向与晶圆芯片的中轴线平行或垂直，至少在所述第二切割方向上，所述刀具每次的出刀位置均在所述晶圆芯片的有效区内。本发明专利技术晶圆芯片切割方法至少在所述第二切割方向上，所述刀具的出刀位置均在晶圆芯片有效区内，与所述晶圆芯片边缘无效区存在一定距离，可降低现有出刀位置处，刀具切割边缘无效区形成的晶粒受到水流冲击极容易飞离蓝膜打坏刀具的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆芯片切割方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是一种晶圆芯片切割方法。
技术介绍
如图1-2所示，晶圆芯片1为圆形，为了定位，通常在晶圆芯片1上切割一个平边（plat）或V型缺口（notch），不管是哪种形式的晶圆芯片1，有且仅有一条中轴线，如图1-2虚线所示。如图3所示，晶圆芯片1对应在背面设有的一层金属层的区域称为有效区11，晶圆芯片1边缘的裸硅区域称为边缘无效区12。晶圆芯片1背面粘贴有一层蓝膜2，蓝膜2的尺寸大于晶圆芯片1尺寸。因有效区11的厚度突出于边缘无效区12的厚度，有效区11与蓝膜2粘接牢靠，但边缘无效区12与蓝膜2往往粘连不够紧密或未粘连。如图4-5所示，图4中每一个带箭头的线段表示一条切割道，为了便于清楚表示，图4中相邻切割道之间的距离仅用于示意。切割道包括若干横向切割道4和若干纵向切割道5，若干横向切割道4均与中轴线垂直，若干纵向切割道5均与中轴线平行，相邻横向切割道4之间间距相等，相邻纵向切割道5之间间距相等。刀具3按箭头所指方向对任一横向切割道4或纵向切割道5进行一次切割，进刀位置和出刀位置均在边本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆芯片切割方法，刀具切割完第一切割方向上所有第一切割道（6）后对第二切割方向上的所有第二切割道（7）进行切割，所述第一切割方向与第二切割方向相互垂直，且所述第一切割方向与晶圆芯片（1）的中轴线平行或垂直，其特征在于，至少在所述第二切割方向上，所述刀具每次的出刀位置均在所述晶圆芯片（1）的有效区内。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆芯片切割方法，刀具切割完第一切割方向上所有第一切割道（6）后对第二切割方向上的所有第二切割道（7）进行切割，所述第一切割方向与第二切割方向相互垂直，且所述第一切割方向与晶圆芯片（1）的中轴线平行或垂直，其特征在于，至少在所述第二切割方向上，所述刀具每次的出刀位置均在所述晶圆芯片（1）的有效区内。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆芯片切割方法，其特征在于，所述刀具对同一所述第二切割道（7）进行两次切割，所述刀具分别从同一所述第二切割道（7）的两端向所述有效区进行切割，同一所述第二切割道（7）两次切割的出刀位置均位于所述有效区内同一位置。


3.根据权利要求2所述的一种晶圆芯片切割方法，其特征在于，所有所述第二切割道（7）的出刀位置均在同一直线上，所述直线与所述第一切割方向平行。


4.根据权利要求3所述的一种晶圆芯片切割方法，其特征在于，所述直线与所述中轴线重合。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘剑，何瑶，高忠明，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51