基板处理装置、处理液以及基板处理方法制造方法及图纸

基板处理装置(1)具备基板保持部(2)、处理液供给部、加热部(5)以及液体去除部。基板保持部(2)将基板(9)保持为水平状态。处理液供给部将表面张力比IPA高的处理液供给至基板(9)的上表面(91)，由此形成覆盖基板(9)的上表面(91)的整面的处理液的液膜。加热部(5)从下表面(92)的侧加热基板(9)并使液膜的一部分气化，由此在基板(9)的上表面(91)与液膜之间形成气相层。液体去除部去除气相层上的液膜。由此，能抑制液膜非预期性的破损。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、处理液以及基板处理方法
本专利技术涉及一种用以处理基板的基板处理装置、在该基板处理装置中使用的处理液以及用以处理基板的基板处理方法。
技术介绍
以往，在半导体基板(以下简称为“基板”)的制造工序中对基板施予各种处理。例如，从喷嘴对在表面上形成有抗蚀剂(resist)的图案(pattern)(亦即多个细微的构造体)的基板上喷出药液，由此对基板的表面进行蚀刻等药液处理。此外，在对基板进行药液处理后，进一步进行冲洗(rinse)处理以及干燥处理，冲洗处理是对基板供给纯水并去除药液的处理，干燥处理是高速地旋转基板并去除基板上的液体的处理。在基板上形成有细微的图案的情形中，当依次进行冲洗处理以及干燥处理时，在干燥途中在邻接的两个图案要素之间形成有纯水的液面。在此情形中，有因为作用于图案要素的纯水的表面张力导致图案要素倒塌的担心。因此，在日本特开2014-112652号公报(文献1)、日本特开2016-136599号公报(文献2)以及日本特开2016-162847号公报(文献3)的基板处理装置中，在执行冲洗处理后，对基板的上表面供给IPA(isopropylalcohol；异丙醇)液体并与冲洗液置换，在基板上形成IPA的液膜。接着，加热基板并在IPA的液膜与基板上表面之间形成IPA的蒸气膜，由此使IPA的液膜从基板上表面浮起，之后，从基板上去除该液膜。从基板上去除液膜时，从喷嘴对液膜的中心部喷吹氮气并局部性地去除液膜，由此形成小径的干燥区域；并且，一边使基板旋转一边进一步地对中心部喷吹氮气，由此使该干燥区域扩大并扩展至基板上表面的整体。由此，一边抑制图案要素的倒塌一边使基板的上表面干燥。此外，在文献3的基板处理装置中，从基板上去除液膜时，在液膜的中心部形成干燥区域后，从设置于喷嘴的外周面的周状的狭缝(slit)开口喷出非活性气体。由此，形成有从喷嘴朝向斜下方的放射状的气流，并通过该气流促进干燥区域的扩大。然而，在基板处理装置中，会有在形成以及加热IPA的液膜时(亦即开始去除IPA的液膜前)液膜非预期性的破损的担心。具体而言，会有IPA从基板的周缘或者卡盘销(chuckpin)与液膜之间的接触部流下的情形。或者，会有因在IPA的液膜下产生的IPA的蒸气而在液膜产生龟裂的情形。如此，会有加热IPA的液膜的时间减少的可能性。从通过蒸气膜使IPA的液膜从基板上表面充分地浮起并去除的观点而言，较佳为确保IPA的液膜的加热时间在某种程度以上。
技术实现思路
本专利技术着眼于用以处理基板的基板处理装置，目的在于抑制液膜非预期性的破损。本专利技术的一个较佳方式的基板处理装置具备：基板保持部，将基板保持为水平状态；处理液供给部，将表面张力比异丙醇高的处理液供给至所述基板的上表面，由此形成覆盖所述基板的所述上表面的整面的所述处理液的液膜；加热部，从下表面侧加热所述基板并使所述液膜的一部分气化，由此在所述基板的所述上表面与所述液膜之间形成气相层；以及液体去除部，去除所述气相层上的所述液膜。依据该基板处理装置，能抑制液膜非预期性的破损。较佳为，所述处理液的蒸气压比异丙醇的蒸气压高。较佳为，所述处理液包括顺-1,2-二氯乙烯(cis-1,2-dichloroethylene)、三氯甲烷(trichloromethane)、乙酸甲酯(methylacetate)、1,3-二氧戊烷(1,3-dioxolane)、四氢呋喃(tetrahydrofuran)、1,1,1-三氯乙烷(1,1,1-trichloroethane)、四氯甲烷(tetrachloromethane)、苯(benzene)、环己烷(cyclohexane)、乙腈(acetonitrile)、三氯乙烯(trichloroethylene)、四氢哌喃(tetrahydropyran)、硝酸、1,2-二氯乙烷(1,2-dichloroethane)、1,2-二氯丙烷(1,2-dichloropropane)、氟三硝基甲烷(fluorotrinitromethane)、吡咯啶(pyrrolidine)、丙烯腈(acrylonitrile)、环己烯(cyclohexene)中的至少一者。较佳为，所述加热部对所述基板的加热在通过从所述处理液供给部供给的所述处理液覆盖所述基板的所述上表面的整面后开始。较佳为，在通过异丙醇覆盖所述基板的所述上表面的整面的状态下，从所述处理液供给部对所述基板的所述上表面供给所述处理液，并通过所述处理液置换所述基板的所述上表面上的异丙醇，由此形成所述处理液的所述液膜。较佳为，所述处理液是将表面张力比异丙醇高且蒸气压比所述异丙醇低的物质混合至异丙醇而成的混合液。较佳为，所述液体去除部具备：气体喷出部，朝所述液膜的中央部喷出气体；通过来自所述气体喷出部的气体形成从所述液膜的所述中央部朝向周围的放射状的气流，使处理液从所述液膜的所述中央部朝所述基板的外缘移动并从所述基板上去除。较佳为，所述气体喷出部具备：第一喷出口，朝所述液膜的所述中央部喷出气体；以及多个第二喷出口，周状地配置于所述第一喷出口的周围，向从所述液膜的所述中央部朝向周围的方向放射状地喷出气体。较佳为，所述基板处理装置进一步具备：腔室(chamber)，将所述基板保持部收容于内部空间；以及气流形成部，从所述腔室的上部对所述内部空间送出气体，并在所述基板的周围形成从所述基板的上侧朝向下侧的下降气流。所述下降气流在从所述基板上去除所述处理液时促进所述基板的所述上表面的周缘部中的所述处理液朝所述外缘移动。较佳为，所述基板处理装置进一步具备：旋转机构，旋转所述基板保持部；杯(cup)，隔着间隙配置于所述基板保持部的周围，用以接住从旋转中的所述基板飞散的液体；以及杯移动机构，将所述杯相对于所述基板保持部相对性地移动。从所述基板上去除所述处理液时，通过所述杯移动机构使所述杯相对性地移动，缩小所述基板保持部与所述杯之间的间隙。较佳为，在所述加热部开始加热所述基板时，所述气流形成部停止形成所述下降气流。较佳为，在所述加热部开始加热所述基板之前，所述处理液供给部停止供给所述处理液，同时，所述气流形成部停止形成所述下降气流。较佳为，在所述基板的所述周缘部的温度变成预定温度以上后，所述气流形成部再次开始形成所述下降气流。本专利技术亦着眼于一种在基板的处理中使用的处理液。本专利技术的一个较佳方式的处理液，表面张力比异丙醇高，且在所述基板处理装置中被供给至所述基板的所述上表面。本专利技术亦着眼于一种用以处理基板的基板处理方法。本专利技术的一个较佳干什么蝴蝶结哦的基板处理方法具备：工序(a)，将基板保持为水平状态；工序(b)，将表面张力比异丙醇高的处理液供给至所述基板的上表面，由此形成覆盖所述基板的所述上表面的整面的所述处理液的液膜；工序(c)，从下表面侧加热所述基板并使所述液膜的一部分气化，由此在所述基板的所述上表面与所述液膜之间形成气相层；以及工序(d)，去除所述气相层上的所述液膜。依据该基板处理方法，能抑制液膜非预期性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，用以处理基板，并具备：/n基板保持部，将基板保持为水平状态；/n处理液供给部，将表面张力比异丙醇高的处理液供给至所述基板的上表面，由此形成覆盖所述基板的所述上表面的整面的所述处理液的液膜；/n加热部，从下表面侧加热所述基板并使所述液膜的一部分气化，由此在所述基板的所述上表面与所述液膜之间形成气相层；以及/n液体去除部，去除所述气相层上的所述液膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180824 JP 2018-1571331.一种基板处理装置，用以处理基板，并具备：
基板保持部，将基板保持为水平状态；
处理液供给部，将表面张力比异丙醇高的处理液供给至所述基板的上表面，由此形成覆盖所述基板的所述上表面的整面的所述处理液的液膜；
加热部，从下表面侧加热所述基板并使所述液膜的一部分气化，由此在所述基板的所述上表面与所述液膜之间形成气相层；以及
液体去除部，去除所述气相层上的所述液膜。


2.如权利要求1所记载的基板处理装置，其中，
所述处理液的蒸气压比异丙醇的蒸气压高。


3.如权利要求2所记载的基板处理装置，其中，
所述处理液包括顺-1,2-二氯乙烯、三氯甲烷、乙酸甲酯、1,3-二氧戊烷、四氢呋喃、1,1,1-三氯乙烷、四氯甲烷、苯、环己烷、乙腈、三氯乙烯、四氢哌喃、硝酸、1,2-二氯乙烷、1,2-二氯丙烷、氟三硝基甲烷、吡咯啶、丙烯腈、环己烯中的至少一者。


4.如权利要求1至3中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述加热部对所述基板的加热在通过从所述处理液供给部供给的所述处理液覆盖所述基板的所述上表面的整面后开始。


5.如权利要求1至4中任一项所记载的基板处理装置，其中，
在通过异丙醇覆盖所述基板的所述上表面的整面的状态下，从所述处理液供给部对所述基板的所述上表面供给所述处理液，通过所述处理液置换所述基板的所述上表面上的异丙醇，由此形成所述处理液的所述液膜。


6.如权利要求1至5中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述处理液是将表面张力比异丙醇高且蒸气压比所述异丙醇低的物质混合至异丙醇而成的混合液。


7.如权利要求1至6中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述液体去除部具备：气体喷出部，朝所述液膜的中央部喷出气体；
通过来自所述气体喷出部的气体来形成从所述液膜的所述中央部朝向周围的放射状的气流，使处理液从所述液膜的所述中央部朝所述基板的外缘移动并从所述基板上去除。


8.如权利要求7所记载的基板处理装置，其中，
所述气体喷出部具备：
第一喷出口，朝所述液膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥谷学，阿部博史，屋敷启之，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP