The invention discloses a reference voltage generating circuit and a constant voltage circuit provided with the circuit. Field effect transistors M1 and M2 are connected in series between the supply voltage and the voltage of VCC GND, the field effect transistor M1 and M2 were formed in the P well n type substrate, and the substrate impurity concentration consistent their channel doping, the field effect transistor M1 having a high concentration of N and the gate. Field effect transistor M2 has a high concentration of P type gate, the field effect transistor M1 gate gate and the substrate, and the substrate gate field effect transistor M2 are grounded, field effect transistor and field effect transistor M2 gate M1 and M2 connection point is connected from the connection point of the output reference voltage Vref. The utility model can reduce the deviation of the reference voltage caused by the technological change, the temperature change and the voltage fluctuation of the power supply, and can perform low-voltage operation at the same time.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基准电压发生电路及设有该电路的恒压电路，具体涉 及一种利用两个场效应晶体管的栅极的电极工作函数差原理的基准电 压发生电路及设有该电路的恒压电路。
技术介绍
以往，有这样一种基准电压发生电路，即将具有高浓度n型栅极的 场效应晶体管和具有高浓度p型栅极的场效应晶体管串联，取出这两个 场效应晶体管的阈值电压Vth的压差作为基准电压Vref(例如，参照日 本特开2007-66043号公报)。这种场合，可对各个场效应晶体管的沟道 宽度W与沟道长度L比S进行调整，来获得温度特性良好的稳定的基准电 压Vref。图l表示这种传统基准电压发生电路的电路例。如图1，基准电压发生电路100由串联在电源电压VCC和地电压GND 之间的n型场效应晶体管Ma-Mc形成。场效应晶体管Ma为形成在n型衬底 P阱内的耗尽型晶体管;场效应晶体管Mb及Mc分别形成在n型衬底p阱内， 它们的衬底和沟道掺杂的杂质浓度均相等，场效应晶体管Mb具有高浓 度n型栅极，而场效应晶体管Mc具有高浓度p型栅极。在图l的电路中,基准电压Vref由以下表达式(a)表示Vref =VthMc- (KMb/K...
【技术保护点】
一种基准电压发生电路，用于产生并输出给定基准电压，包括：第一场效应晶体管，其一端与给定电源电压连接，所述第一场效应晶体管具有高浓度ｎ型栅极；第二场效应晶体管，其一端与所述第一场效应晶体管的另一端连接，其另一端接地，所述第二场效应晶体管具有高浓度ｐ型栅极；其中，所述第一场效应晶体管的栅极和衬底栅极，以及所述第二场效应晶体管的衬底栅极分别接地，同时，所述第二场效应晶体管的栅极与所述第一和第二场效应晶体管的连接点相连，从该连接点输出所述基准电压。
【技术特征摘要】
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