【技术实现步骤摘要】
漏电导电接触孔的识别方法及其识别系统
本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种漏电导电接触孔的识别方法及其识别系统。
技术介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。在三维存储器的研发和生产过程中，漏电检测分析是改善工艺条件、提高产品良率不可或缺的重要手段。对于三维存储器漏电性能的检测，现有做法是首先将三维存储器的导电接触孔划分区域，然后在各区域内手动查找漏电的导电接触孔，耗费大量人力,无法即时发现问题，且存在人为误差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种漏电导电接触孔的识别方法及其识别系统，以解决在三维存储器的各区域内手动查找漏电的导电接触孔，耗费大量人力,无法即时发现问题，且存在人为误差的技术问题。本专利技术提供一种漏电导电接触孔的识别方法，包括：获取三维存储器的导电接触孔的检测图像；确定分析区域内的每个导电接触孔...
【技术保护点】
1.一种漏电导电接触孔的识别方法，其特征在于，包括：/n获取三维存储器的导电接触孔的检测图像；/n确定分析区域内的每个导电接触孔的位置；/n根据所述检测图像识别所述分析区域内处于漏电位置的导电接触孔。/n
【技术特征摘要】
1.一种漏电导电接触孔的识别方法，其特征在于，包括：
获取三维存储器的导电接触孔的检测图像；
确定分析区域内的每个导电接触孔的位置；
根据所述检测图像识别所述分析区域内处于漏电位置的导电接触孔。
2.根据权利要求1所述的识别方法，其特征在于，在确定分析区域内的每个导电接触孔的位置之前，所述识别方法还包括：
获取所述三维存储器的堆栈数、存储块数、每个存储块内的导电接触孔的行数、导电接触孔的列数。
3.根据权利要求1所述的识别方法，其特征在于，“根据所述检测图像识别所述分析区域内处于漏电位置的导电接触孔”包括：
根据所述检测图像识别处于漏电位置的导电接触孔所在的列、识别处于漏电位置的导电接触孔所在的列组、识别处于漏电位置的导电接触孔所在的行、识别处于漏电位置的导电接触孔所在的存储块。
4.根据权利要求1所述的识别方法，其特征在于，“获取三维存储器的导电接触孔的检测图像”包括：
在三维存储器的导电接触孔表面形成导电粒子；
在所述导电接触孔上加载电压；其中，所述电压的电性与所述导电粒子的电性一致；
对加载所述电压后所述导电接触孔表面进行电子束检测，获取所述检测图像。
5.根据权利要求1所述的识别方法，其特征在于，“根据所述检测图像识别所述分析区域内处于漏电位置的导电接触孔”包括：
根据所述检测图像中呈现预设颜色的位置，识别所述分析区域内的漏电位置；
根据所述漏电位置确定对应的所述导电接触孔漏电。
6.根据权利要求1所述的识别方法，其特征在于，在识别出所述分析区域内处于漏电位置的导电接触孔之后，所述识别方法还包括：
根据所述分析区域内的多个漏电位置，绘制所述分析区域的漏电导电接触孔分布图。
7.根据权利要求6所述的识别方法，其特征在于，所述分析区域为多个，多个所述分析区域形成三维存储器的外轮廓；所述识别方法还包括：
根据每个所述分析区域内的多个漏电位置，绘制所述三维存储器的漏电导电接触孔分布图。
8.根据权利要求7所述的识别方法，其特征在于，所述识别方法还包括：
根据所述三维存储器的漏电导电接触孔分布图，划分所述三维存储器的主漏电区域和次漏电区域，其中，所述主漏电区域的漏电导电接触孔的数量大于预设阈值数量，所述次漏电区域的漏电导电接触孔的数量小于等于所述预设阈值数量。
9.根据权利要求8所述的识别方法，其特征在于，所述识别方法还包括：
对所述三维存储器的主漏电区域和次漏电区域进行分析，以得到分析结果；
根据所述分析结果调整所述三维存储器对应于主漏电区域的导电接触孔的形成工艺和对应于次漏电区域的导电接触孔的形成工艺。
10.根据权利要求5所述的识别方法，其特征在于，所述检测图像的预设颜色包括多个等级色，漏电的所述导电接触孔包括多个漏电程度，多个所述等级色与多个所述漏电程度一一对应；所述识别方法还包括：
根据所述检测图像的漏电位置的当前等级色，确定对应漏电的所述导电接触孔的漏电程度。
11.根据权利要求1所述的识别方法，其特征在于，“确定分析区域内的每个导电接触孔的位置”包括：
在所述检测图像内确定分析区域；
确定所述分析区域内的每个所述导电接触孔的位置。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王班，李晓玉，范光龙，刘丽君，陈金星，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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