半导体测试装置、半导体装置的测试方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供半导体测试装置，其可同时测试多个半导体装置，即使一部分半导体装置发生问题，也能继续对其他元件特性良好的半导体装置进行测试。本发明专利技术所涉及的半导体测试装置将具有漏极电极(7a)(高电压端子)和源极电极(7c)(低电压端子)的半导体装置(7)作为被测试物，具有：电路切断开关(13)(第1开关)，其将电源(1)的低压侧与源极电极(7c)连接；以及漏极源极间开关(14)(第2开关)，其一端与漏极电极(7a)连接，另一端与源极电极(7c)连接。在针对某半导体装置(7)检测出大于或等于基准值的漏电流的情况下，在将与该半导体装置(7)连接的电路切断开关(13)控制为断开后，将漏极源极间开关(14)控制为接通。

【技术实现步骤摘要】
半导体测试装置、半导体装置的测试方法及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种用于对半导体装置进行测试的半导体测试装置、使用了半导体测试装置的半导体装置的测试方法以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，通过进行施加温度、电压负荷的老化测试，从而将内含大量晶体缺陷的寿命相对短的元件等分选为不合格品。由此，能够确保半导体装置的可靠性。特别是，就以碳化硅(SiC)为主材料的半导体装置而言，与以硅(Si)为主材料的半导体装置相比，晶体缺陷多，因此，通过老化测试进行的分选变得重要。这种老化测试的课题是测试时间长，在现有技术中，公开了一种能够同时向在半导体晶片之上形成的多个半导体装置施加电压而进行老化测试的半导体测试装置(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2019-046907号公报但是，就上述现有的半导体测试装置而言，存在以下课题，即，如果同时地施加电压的多个半导体装置中的一部分半导体装置发生了产生大于或等于基准值的漏电流等问题，则会通过在其后继续施加电压而导致测试电路因该半导体装置而短路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体测试装置，其具有：/n电源；/n高电压配线，其将在作为被测试物的多个半导体装置的每一者设置的高电压端子与所述电源的高电压侧连接；/n低电压配线，其将在各个所述半导体装置设置的低电压端子与所述电源的低电压侧连接；/n第1开关，其与各个所述半导体装置串联连接，该第1开关的一端经由所述低电压配线与所述电源的低电压侧连接，另一端与所述低电压端子连接；/n第2开关，其与各个所述半导体装置连接，该第2开关的一端与所述高电压端子连接，另一端与所述低电压端子连接；以及/n控制电路，其控制所述第1开关以及所述第2开关。/n

【技术特征摘要】
20190930 JP 2019-1794461.一种半导体测试装置，其具有：
电源；
高电压配线，其将在作为被测试物的多个半导体装置的每一者设置的高电压端子与所述电源的高电压侧连接；
低电压配线，其将在各个所述半导体装置设置的低电压端子与所述电源的低电压侧连接；
第1开关，其与各个所述半导体装置串联连接，该第1开关的一端经由所述低电压配线与所述电源的低电压侧连接，另一端与所述低电压端子连接；
第2开关，其与各个所述半导体装置连接，该第2开关的一端与所述高电压端子连接，另一端与所述低电压端子连接；以及
控制电路，其控制所述第1开关以及所述第2开关。


2.根据权利要求1所述的半导体测试装置，其特征在于，
所述控制电路在测试开始时，将所述第1开关控制为接通，将所述第2开关控制为断开，
所述控制电路在测试开始后，将检测出大于或等于基准值的漏电流的半导体装置判定为不合格的半导体装置，在将与所述不合格的半导体装置连接的所述第1开关控制为断开之后，将与所述不合格的半导体装置连接的所述第2开关控制为接通。


3.根据权利要求2所述的半导体测试装置，其特征在于，
还设置有多个第3开关，该第3开关与各个所述半导体装置的所述低电压端子连接，用于使所述低电压端子间电接通或者电断开。


4.根据权利要求3所述的半导体测试装置，其特征在于，
所述控制电路在测试开始时，将所述第3开关控制为接通，
所述控制电路在测试开始后，在将与所述不合格的半导体装置的所述低电压端子连接的所述第3开关控制为断开后，将与所述不合格的半导体装置连接的所述第1开关控制为断开。


5.根据权利要求3或4所述的半导体测试装置，其特征在于，
还具有第3开关连接配线，该第3开关连接配线用于将所述多个第3开关与所述电源的低电压侧连接，
所述第3开关的一端分别独立地与各个所述半导体装置的所述低电压端子连接，另一端共通地与所述第3开关连接配线连接。


6.根据权利要求2所述的半导体测试装置，其特征在于，
还具有多个双向二极管，该多个双向二极管与所述半导体装置各自的所述低电压端子连接，用于使所述低电压端子间电接通或者电断开。


7.根据权利要求6所述的半导体测试装置，其特征在于，
还具有双向二极管连接配线，该双向二极管连接配线用于将所述多个双向二极管与所述电源的低电压侧连接，
所述双向二极管的一端分别独立地与所述半导体装置各自的所述低电压端子连接，另一端共通地与所述双向二极管连接配线连接。


8.根据权利要求2至7中任一项所述的半导体测试装置，其特征在于，
所述半导体装置是MOSFET，该MOSFET具有栅极电极、作为所述高电压端子的漏极电极以及作为所述低电压端子的源极电极，
针对各个所述半导体装置，还设置有一端与所述栅极电极连接、另一端与所述源极电极连接的第4开关。


9.根据权利要求8所述的半导体测试装置，其特征在于，
所述控制电路在测试开始时，将所述第4开关控制为断开，
所述控制电路在测试开始后，将与所述不合格的半导体装置连...

【专利技术属性】
技术研发人员：海老池勇史，野口贵也，伊藤嘉教，生田美和，高山幸一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP