具备压力式流量控制装置的气体供给设备制造方法及图纸

使半导体制造装置等所使用的具备压力式流量控制装置的气体供给设备更小型化而降低制造成本，同时改善过度流量特性，防止气体供给开始时的气体的过调节现象的发生，提高流量控制精度与设备可靠性，由此，减少半导体制品质量的不均一，同时提高半导体制品的制造效率。具体地讲，是在将节流孔的上游侧压力保持成为节流孔的下游侧压力的约２倍以上的状态下，一边进行气体的流量控制，一边通过节流孔对应阀向加工过程供给气体，在上述具备压力式流量控制装置的气体供给设备上，气体供给设备的构成包括：从气体供给源接受气体的控制阀，设置在控制阀下游侧的节流孔对应阀，设置于前述控制阀与节流孔对应阀之间的压力检测器，设置于节流孔对应阀的阀动机构部下游侧的节流孔，在根据前述压力检测器的检测压力Ｐ↓［１］将流量作为Ｑｃ＝ＫＰ↓［１］（式中Ｋ为常数）进行运算、同时将流量指令信号Ｑｓ与运算流量Ｑｃ的差作为控制信号Ｑｙ向控制阀的驱动部输出的运算控制装置。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

Gas supply device having a pressure flow control device

The semiconductor manufacturing device used with pressure type flow control device of gas supply device miniaturization and reducing the manufacturing cost, and improve the over flow characteristics, to prevent the occurrence of the phenomenon of gas regulating gas supply at the beginning, to improve the flow control accuracy and reliability of equipment, thus reducing the quality of products, the semiconductor is not uniform, at the same time, improve the manufacturing efficiency of semiconductor products. Specifically, in the upstream pressure orifice remain the downstream side of the pressure orifice of about 2 times more than the state, while the gas flow control, while through the orifice corresponding to the valve is supplied to the machining process of gas, in the above with pressure flow control device of gas supply device, a the gas supply device comprises: receiving control valve gas from a gas supply source, set the corresponding throttle control valve in the downstream side of the valve, the pressure detector is arranged between the control valve and the throttle valve throttle hole corresponding to the holes are arranged on the corresponding valve orifice valve mechanism of the downstream, in according to the pressure detector pressure detection P: 1 will flow as Qc = KP: 1 (where K is a constant), while the operation flow and operation flow of Qs signals An operating controller that outputs a Qc difference as a control signal, and the Qy outputs the control valve to the drive section of the control valve.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体制造装置与化学品制造设备等方面使用的具备压力式流量控制装置的气体供给设备的改进，是涉及取得气体供给设备的小型化与提高流量控制性能等的气体供给设备。
技术介绍
在半导体制造设备用气体供给设备方面，一直多采用质量流量控制装置作为流量控制装置。但是，对于质量流量控制装置来说，存在着装置本身价格高，而且应答速度低、每个制品在制造精度上有差别、缺乏控制的稳定性等问题，在实用上产生种种障碍。同样，在控制由气体供给设备向加工过程供给气体所用的控制阀方面，自从前一直多采用空气驱动式的金属隔膜阀。但是，由于该控制阀开闭动作速度缓慢，存在着在制成的半导体制品等的质量上可靠性低，半导体制品等的制造效率不能提高的问题。另一方面，本专利技术申请人等，作为一举解决上述现有的气体供给设备方面的各项问题的一步，开发了利用压力式流量控制装置与高速电磁动作型金属隔膜阀的气体供给设备，在特开平8-338546号与特开平10-55218号公报上将其公开。图11是表示具有现有的压力式流量控制装置的气体供给设备的结构框图，图12是表示形成其主要部的控制阀与节流孔对应阀的组装状况的纵向剖视图。在图11与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有压力式流量控制装置的气体供给设备，该压力式流量控制装置是在将节流孔上游侧压力保持成为节流孔下游侧压力的约２倍以上的状态下，一边进行气体的流量控制，一边通过节流孔对应阀向加工过程供给气体，其特征在于，气体供给设备的构成包括：从气体供给源接受气体的控制阀，设置在控制阀下游侧的节流孔对应阀，设置于前述控制阀与节流孔对应阀之间的压力检测器，设置于节流孔对应阀的阀动机构部下游侧的节流孔，在根据前述压力检测器的检测压力Ｐ↓［１］将流量作为Ｑｃ＝ＫＰ↓［１］（式中Ｋ为常数）进行运算、同时将流量指令信号Ｑｓ与运算流量Ｑｃ的差作为控制信号Ｑｙ向控制阀的驱动部输出的运算控制装置，通过对控制阀的开闭进行控制...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，加贺爪哲，池田信一，西野功二，吉川和博，出田英二，土肥亮介，宇野富雄，山路道雄，
申请(专利权)人：株式会社富士金，大见忠弘，东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]