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使半导体制造装置等所使用的具备压力式流量控制装置的气体供给设备更小型化而降低制造成本，同时改善过度流量特性，防止气体供给开始时的气体的过调节现象的发生，提高流量控制精度与设备可靠性，由此，减少半导体制品质量的不均一，同时提高半导体制品的制造...该专利属于株式会社富士金;大见忠弘;东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社富士金;大见忠弘;东京毅力科创株式会社授权不得商用。