气化供给装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气化供给装置(1)，具备：预加热部(2)，其对液体原料(L)进行预加热；气化部(3)，其配置于所述预加热部(2)的上部，且对从所述预加热部(2)送出的已被预加热的所述液体原料(L)进行加热并使其气化；流量控制装置(4)，其配置于所述气化部(3)的上部，用于对从所述气化部(3)所送出的气体(G)的流量进行控制；以及加热器(5)，其对所述预加热部(2)、所述气化部(3)以及所述流量控制装置(4)进行加热。气化部(3)以及所述流量控制装置(4)进行加热。气化部(3)以及所述流量控制装置(4)进行加热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气化供给装置


[0001]本专利技术涉及一种在半导体制造装置、化工厂、药品产业设备等所使用的气化供给装置，特别涉及一种具备有将液体原料预加热的预加热部以及使在预加热部被加热的液体原料气化的气化部的气化供给装置。

技术介绍

[0002]以往，例如在通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD：Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition)进行成膜的半导体制造装置中，使用了一种用于对处理腔室(process chamber)供给原料气体的气化供给装置(例如参照专利文献1至3)。
[0003]在气化供给装置中，例如将TEOS(Tetraethyl orthosilicate：正硅酸乙酯)、HCDS(Hexachlorodisilane：六氯二硅烷)等的液体原料事先储存于储液罐，且将加压过的非活性气体供给至储液罐并以一定压力压出液体原料而供给至气化器。所供给的液体原料通过配置于气化室的周围的加热器而被气化，气化的气体则通过流量控制装置控制成规定流量并供给至半导体制造装置。
[0004]在作为原料来使用的有机金属材料中，也有沸点超过150℃的材料，例如，上述的TEOS的沸点约为169℃。因此，气化供给装置以能够将液体原料加热至比较高温、例如200℃以上的温度的方式所构成。
[0005]另外，在气化供给装置中，为了防止气化的原料的凝结(再液化)，要求通过已加热至高温的流路，来将气体供给至处理腔室。进一步，也有为了防止通过供给至气化器的液体原料所致的气化器的温度降低，且有效率地进行有机金属材料等的气化，而在供给至气化器之前预加热液体原料的情况。因此，在气化供给装置中，用于将流路或设置有流体容纳部的流体加热部(气化器等)加热至高温的加热器配置于必要的部位。
[0006]作为具备有预加热液体原料的预加热部的气化供给装置，例如，已知有专利文献4以及专利文献5所记载的气化供给装置。
[0007]上述气化供给装置具备：对原料液体进行预加热的预加热部、对在预加热部被加热的原料液体进行气化的气化器和对气化的气体的流量进行控制的高温对应型的压力式流量控制装置。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：日本专利特开2009
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252760号公报
[0011]专利文献2：日本专利特开2010
‑
180429号公报
[0012]专利文献3：日本专利特开2014
‑
114463号公报
[0013]专利文献4：国际专利公开第2016/174832号
[0014]专利文献5：国际专利公开第2019/021949号
[0015]在上述的气化供给装置中，为了预加热液体原料所设置的预加热部，例如维持于液体原料的沸点以下的温度，气化部例如维持于液体原料的沸点以上的温度。但是，流体的
沸点根据流体的压力而变动，因此即使预加热部成为液体原料的常压(大气压力)中的沸点以上的温度，有时仍会因液体原料的压力而不气化并维持液体的状态。另外，也存在使用热分解温度比沸点更低的原料时，气化部被设定于沸点以下的温度的情况。另外，气化部的设定温度，通常设定为比预加热部的设定温度更高。进一步，进行气化了的液体原料的流量控制的压力式流量控制装置维持于液体原料的沸点以上，典型地维持于比气化部的温度更高的温度。
[0016]但是，具备有预加热部以及气化部的气化供给装置为了将预加热部、气化部和压力式流量控制装置配置成串联状，因此无论如何也会发生设置面积变大的问题。为此，有时也无法将气化供给装置设置于处理腔室的附近位置。

技术实现思路

[0017]本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其主要目的在于提供一种能够缩窄设置面积的气化供给装置。
[0018]为了达成上述目的，本专利技术的实施方式所涉及的气化供给装置，具备：预加热部，所述预加热部对液体原料进行预加热；气化部，所述气化部配置于所述预加热部的上部，且对从所述预加热部所送出的已被预加热的所述液体原料进行加热并使其气化；流量控制装置，所述流量控制装置配置于所述气化部的上部，用于对从所述气化部所送出的气体的流量进行控制；和加热器，所述加热器对所述预加热部、所述气化部以及所述流量控制装置进行加热。
[0019]在某实施方式中，所述加热器具备：第一加热器，所述第一加热器对所述预加热部进行加热；第二加热器，所述第二加热器对所述气化部进行加热；和第三加热器，所述第三加热器对所述流量控制装置进行加热，所述加热器构成为，分别独立地对所述预加热部、所述气化部以及所述流量控制装置进行加热。
[0020]在某实施方式中，所述第一加热器具备第一侧面加热器，所述第一侧面加热器对所述预加热部的侧面进行加热，所述第二加热器具备第二侧面加热器，所述第二侧面加热器对所述气化部的侧面进行加热，所述第三加热器具备第三侧面加热器，所述第三侧面加热器对所述流量控制装置的气体所流动的部分的侧面进行加热。
[0021]在某实施方式中，所述第二加热器进一步具备第二底面加热器，所述第二底面加热器对所述气化部的底面进行加热，所述第三加热器进一步具备第三底面加热器，所述第三底面加热器对所述流量控制装置的气体所流动的部分的底面进行加热。
[0022]在某实施方式中，在所述第二底面加热器与所述预加热部之间以及所述第三底面加热器与所述气化部之间分别设置有隔热部件。
[0023]在某实施方式中，所述预加热部与所述气化部经由液体填充用开闭阀以及三通阀来连通，所述液体填充用开闭阀以及所述三通阀配置于所述预加热部以及所述气化部的上部。
[0024]专利技术效果
[0025]根据本专利技术的实施方式所涉及的气化供给装置，将预加热部、气化部和流量控制装置叠层于上下方向而形成三层结构，因此相对于将预加热部、气化部和流量控制装置配置成串联状的现有的气化供给装置，能够缩窄设置面积。其结果是，即使在设置空间较少的
处理腔室的附近位置，仍能够可靠且良好地设置气化供给装置。
附图说明
[0026]图1是本专利技术的实施方式所涉及的气化供给装置的主视图。
[0027]图2是气化供给装置的俯视图。
[0028]图3是气化供给装置的左侧视图。
[0029]图4是气化供给装置的纵截主视图。
[0030]图5是表示使用于气化供给装置的流量控制装置的结构例的示意图。
[0031]符号说明
[0032]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
气化供给装置
[0033]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
预加热部
[0034]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
气化部
[0035]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
流量控制装置
[0036]5ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
加热器
[0037]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气化供给装置，其特征在于，具备：预加热部，所述预加热部对液体原料进行预加热；气化部，所述气化部配置于所述预加热部的上部，且对从所述预加热部所送出的已被预加热的所述液体原料进行加热并使其气化；流量控制装置，所述流量控制装置配置于所述气化部的上部，用于对从所述气化部所送出的气体的流量进行控制；和加热器，所述加热器对所述预加热部、所述气化部以及所述流量控制装置进行加热。2.根据权利要求1所述的气化供给装置，其特征在于，所述加热器具备：第一加热器，所述第一加热器对所述预加热部进行加热；第二加热器，所述第二加热器对所述气化部进行加热；和第三加热器，所述第三加热器对所述流量控制装置进行加热，所述加热器构成为，分别独立地对所述预加热部、所述气化部以及所述流量控制装置进行加热。3.根据权利要求2所述的气化供给装置，其特征在于，所述第一加热器具备第一侧面加热器，所述第一侧面加热器对所述预加热部的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷贵纪，日高敦志，德田伊知郎，中辻景介，
申请(专利权)人：株式会社富士金，
类型：发明
国别省市：