提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本申请涉及一种提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备。提高芯片内器件性能均匀性的方法包括：对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，多个性能测试监控单元与目标芯片上的多个关键功能模块一一对应；针对每个关键功能模块，通过与关键功能模块对应的性能测试监控单元获得关键功能模块的电性参数；根据多个关键功能模块的电性参数，获得目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值；针对每个目标位置，通过与目标位置对应的能量补偿值，对目标位置进行曝光能量补偿。提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备能够保证其方法的实施效率，同时，保证了目标芯片内关键器件性能的均匀性提高的效果。能的均匀性提高的效果。能的均匀性提高的效果。

【技术实现步骤摘要】
提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备


[0001]本申请涉及芯片设计及制作领域，具体而言，涉及一种提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备。

技术介绍

[0002]随着半导体制作工艺向更先进的节点(28nm
→
14nm
→
7nm)演进，集成电路中，芯片内部不同位置同种器件的性能差异，往往更容易导致均匀性相关的良率损失。尤其是新产品从导入、试生产，到量产的转换阶段，需要快速提升良率，因此，如何提高芯片内器件性能的均匀性至关重要。
[0003]现有技术中，针对某个目标芯片，往往是通过线宽扫描电子显微镜对其各关键功能模块中具有的关键尺寸量测结构进行尺寸大小的在线测量，此后，直接根据目标芯片内各关键功能模块对应的关键尺寸量测结构，在线测量的物理尺寸大小来做表征，获得使各关键功能模块对应的多个目标位置上，关键器件沟道长度尺寸大小一致所需的能量补偿值，再针对多个目标位置中的每个目标位置，通过与该目标位置对应的能量补偿值，对该目标位置进行曝光能量补偿，以提高目标芯片内各关键功能模块中，关键器件的沟道长度尺寸大小均匀性，从而提高目标芯片内处于不同位置的各关键器件性能的均匀性。
[0004]上述过程中，一方面，通过线宽扫描电子显微镜对目标芯片内各关键功能模块中具有的关键尺寸量测结构进行尺寸大小的在线测量需要耗费大量人力和机时，因此，降低了提高目标芯片内关键器件性能均匀性方法的实施效率，另一方面，由于其仅仅考虑了目标芯片内各关键功能模块中关键器件的沟道长度尺寸大小对目标芯片内关键器件均匀性的影响，而未考虑对目标芯片进行曝光生产后，其他制程的影响因素，例如，离子注入、快速退火等，因此，具有一定局限性，也就影响了目标芯片内关键器件的性能均匀性提高的效果。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于，提供一种提高芯片内器件性能均匀性的方法、装置及电子设备，以解决上述问题。
[0006]第一方面，本申请提供的提高芯片内器件性能均匀性的方法，包括：
[0007]对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，多个性能测试监控单元与目标芯片上的多个关键功能模块一一对应，关键功能模块中具有关键器件；
[0008]针对多个关键功能模块中的每个关键功能模块，通过与关键功能模块对应的性能测试监控单元获得关键功能模块的电性参数，以分别获得多个关键功能模块的电性参数；
[0009]根据多个关键功能模块的电性参数，获得目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值；
[0010]针对多个目标位置中的每个目标位置，通过与目标位置对应的能量补偿值，对目标位置进行曝光能量补偿，以提高目标芯片内关键器件性能的均匀性。
[0011]结合第一方面，本申请实施例还提供了第一方面的第一种可选的实施方式，对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产之前，提高芯片内器件性能均匀性的方法还包括：
[0012]确定出目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置；
[0013]分别在多个目标位置设置多个性能测试监控单元，以使多个性能测试监控单元与多个目标位置一一对应，且针对多个性能测试监控单元中的每个性能测试监控单元，性能测试监控单元能够应用联合测试行为组织协议，通过晶圆良率测试方法监测自身的电性指标，以表征对应功能关键功能模块的电性参数。
[0014]结合第一方面，本申请实施例还提供了第一方面的第二种可选的实施方式，对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，包括：
[0015]获取目标芯片的原始曝光能量值；
[0016]分别通过原始曝光能量值，对目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置进行曝光，以实现对目标芯片的曝光生产。
[0017]结合第一方面，本申请实施例还提供了第一方面的第三种可选的实施方式，根据多个关键功能模块的电性参数，获得目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值，包括：
[0018]获得目标电性值；
[0019]针对多个关键功能模块中的每个关键功能模块，获取关键功能模块的电性参数与目标电性值之间的电性差异值，以获得与多个关键功能模块一一对应的多个电性差异值；
[0020]针对多个关键功能模块中的每个关键功能模块，根据与关键功能模块对应的电性差异值，获得目标芯片上与关键功能模块对应的目标位置的能量补偿值，以获得目标芯片上与多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值。
[0021]结合第一方面的第三种可选的实施方式，本申请实施例还提供了第一方面的第四种可选的实施方式，获取目标电性值，包括：
[0022]根据目标芯片所在待处理晶圆上的所有芯片上，多个关键功能模块的电性参数获得目标电性值。
[0023]结合第一方面的第四种可选的实施方式，本申请实施例还提供了第一方面的第五种可选的实施方式，根据目标芯片所在待处理晶圆上的所有芯片上，多个关键功能模块的电性参数获得目标电性值，包括：
[0024]计算出目标芯片所在待处理晶圆上的所有目标芯片上，位于同一目标位置的所有关键功能模块的电性参数的均值；
[0025]根据与多个关键功能模块一一对应的多个均值，获得目标电性值。
[0026]结合第一方面的第五种可选的实施方式，本申请实施例还提供了第一方面的第六种可选的实施方式，根据与多个关键功能模块一一对应的多个均值，获得目标电性值，包括：
[0027]从与多个关键功能模块一一对应的多个均值中，获取中位数，作为目标电性值；
[0028]或计算出与多个关键功能模块一一对应的多个均值的平均值，作为目标电性值。
[0029]结合第一方面的第三种可选的实施方式，本申请实施例还提供了第一方面的第七种可选的实施方式，获取目标电性值，包括：
[0030]获取预设固定值，以将预设固定值作为目标电性值。
[0031]结合第一方面的第三种可选的实施方式，本申请实施例还提供了第一方面的第八种可选的实施方式，根据与关键功能模块对应的电性差异值，获得目标芯片上与关键功能模块对应的目标位置的能量补偿值，包括：
[0032]获取关键器件的性能与关键器件的沟道长度尺寸大小之间的敏感度，作为第一敏感度；
[0033]根据与关键功能模块对应的电性差异值和第一敏感度，获取与关键功能模块对应的关键器件沟道长度尺寸调整值；
[0034]根据关键器件沟道长度尺寸调整值，获得目标芯片上与关键功能模块对应的目标位置的能量补偿值。
[0035]结合第一方面的第八种可选的实施方式，本申请实施例还提供了第一方面的第九种可选的实施方式，根据关键器件沟道长度尺寸调整值，获得目标芯片上与关键功能模块对应的目标位置的能量补偿值，包括：
[0036]获取曝光能量与关键器件的沟道长度尺寸大小之间的敏感度，作为第二敏感度；
[0037]根据关键器件沟道长度尺寸调整值和第二敏感度，获得目标芯片上与关键功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，包括：对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，所述多个性能测试监控单元与所述目标芯片上的多个关键功能模块一一对应，所述关键功能模块中具有关键器件；针对所述多个关键功能模块中的每个关键功能模块，通过与所述关键功能模块对应的性能测试监控单元获得所述关键功能模块的电性参数，以分别获得所述多个关键功能模块的电性参数；根据所述多个关键功能模块的电性参数，获得所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值；针对所述多个目标位置中的每个目标位置，通过与所述目标位置对应的能量补偿值，对所述目标位置进行曝光能量补偿，以提高所述目标芯片内关键器件性能的均匀性。2.根据权利要求1所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产之前，所述提高芯片内器件性能均匀性的方法还包括：确定出所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置；分别在所述多个目标位置设置所述多个性能测试监控单元，以使所述多个性能测试监控单元与所述多个目标位置一一对应，且针对所述多个性能测试监控单元中的每个性能测试监控单元，所述性能测试监控单元能够应用联合测试行为组织协议，通过晶圆良率测试方法监测自身的电性指标，以表征对应功能关键功能模块的电性参数。3.根据权利要求1所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述对预设有多个性能测试监控单元的目标芯片进行曝光生产，包括：获取所述目标芯片的原始曝光能量值；分别通过所述原始曝光能量值，对所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置进行曝光，以实现对所述目标芯片的曝光生产。4.根据权利要求1所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述根据所述多个关键功能模块的电性参数，获得所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值，包括：获得目标电性值；针对所述多个关键功能模块中的每个关键功能模块，获取所述关键功能模块的电性参数与所述目标电性值之间的电性差异值，以获得与所述多个关键功能模块一一对应的多个电性差异值；针对所述多个关键功能模块中的每个关键功能模块，根据与所述关键功能模块对应的电性差异值，获得所述目标芯片上与所述关键功能模块对应的目标位置的能量补偿值，以获得所述目标芯片上与所述多个关键功能模块对应的多个目标位置的能量补偿值。5.根据权利要求4所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述获取目标电性值，包括：根据所述目标芯片所在待处理晶圆上的所有芯片上，多个关键功能模块的电性参数获得所述目标电性值。6.根据权利要求5所述的提高芯片内器件性能均匀性的方法，其特征在于，所述根据所述目标芯片所在待处理晶圆上的所有芯片上，多个关键功能模块的电性参数获得所述目标
电性值，包括：计算出所述目标芯片所在待处理晶圆上的所有目标芯片上，位于同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊强，
申请(专利权)人：成都海光微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：