For the system, a single flow into two or more required proportion of secondary flows including: entrance, adapted to receive the single flow; at least two secondary flow lines connected with the entrance; an input device for receiving at least a desired ratio of flow; at least one in-situ process the monitor, to provide measurement of each flow generated by the pipeline products; and a controller, and the input device is connected with the in-situ process monitor. The controller is programmed to receive through the input device of the desired ratio of flow; measurement of products from the process monitor receiving value; the required flow ratio and the product measurements to calculate the correction ratio based on the. If the product measurements are not equal, then the corrected flow ratio will be different from the required flow ratio.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及半导体制造设备，具体涉及用于向半导体工艺室精确输送定量的工艺气体的系统和方法。更具体地，本专利技术涉及一种系统和方法，该系统和方法用于将单一的工艺气流分成两个或更多所需比例的气流，其中，原位工艺监视器被用于提供对由每个气流产生的处理结果的实时监测，并且如果由每个气流产生的处理结果是不等的，那么该系统和方法实时地调整气流的比例，用以获得所需的处理结果。
技术介绍
半导体器件的制造或制作通常需要对向工艺室输送的多种气体进行严格的同步和精确的测量。各种配方被用在制造过程中，并且可能需要许多分立的工艺步骤，在这些工艺步骤中半导体器件被清洗、抛光、氧化、掩蔽、刻蚀、掺杂以及金属化等。所用的步骤、它们特定的顺序以及包括的材料都对特定器件的制备有影响。相应地，晶片制造设施一般规划为包括一些区域，在这些区域中进行化学气相淀积、等离子淀积、等离子刻蚀、溅射以及其它类似的气体制造工艺。必须向诸如化学气相淀积反应堆、真空溅射机、等离子刻蚀机或等离子增强化学气相淀积等工艺工具提供各种工艺气体。必须向这些工具提供精确计量的纯净气体。在典型的晶片制造设施中，气体被存放...
【技术保护点】
一种用于将单一流分成两个或更多所需比例的次级气流的系统，包括：入口，用于接收所述单一流；至少两个次级流管线，与所述入口相连；输入设备，用于接收至少一个所需流量比；至少一个原位工艺监视器，用于提供对由所述每条流 管线产生的产品的测量；以及控制器，与所述输入设备和所述原位工艺监视器相连，并被程序化用于：接收通过所述输入装置的所需的流量比；接收来自所述工艺监视器的产品测量值；基于所述的所需流量比和所述的产品测量值计算校正 的流量比。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿里沙吉，西达尔斯纳加尔卡蒂，
申请(专利权)人：MKS仪器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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