【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理装置的清洗方法以及存储介质
[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理装置的清洗方法。
技术介绍
[0002]作为半导体装置(设备)的制造工序的一工序，有时进行成膜处理，该成膜处理是对处理室内的基板供给原料气体、反应气体，在基板上形成膜。当进行成膜处理时，有时在处理室内会附着沉积物。因此，有时在进行成膜处理后进行清洁处理，该清洁处理是向处理室内供给清洁气体，去除附着于处理室内的沉积物。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011-233570号公报
[0006]专利文献2：日本特开2014-209572号公报
[0007]专利文献3：日本特开2018-26460号公报
技术实现思路
[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]本公开的课题在于提供一种提高清洁处理的效率的技术。
[0010]用于解决课题的技术方案
[0011]根据...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：反应容器，其具有配置基板的第一区域和不配置基板的第二区域；加热器，其对上述第一区域进行加热；气体供给机构，其供给多种气体，该多种气体包括对上述反应容器内进行清洁的清洁气体；以及控制部，其控制上述气体供给机构或上述加热器和冷却机构，以便通过上述气体供给机构供给不同的两种清洁气体、上述气体供给机构从不同的两部位供给清洁气体、以及上述加热器使温度在上述第一区域和上述第二区域不同中的至少一个，以不同的条件对上述第一区域和上述第二区域进行清洁。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述反应容器具备筒状的反应管，上述反应管具有能够穿过上述第二区域在上述第一区域存取上述基板的开口，上述第一区域和上述第二区域进行流体连通，在上述基板配置于上述第一区域的期间，在上述第二区域配置隔热结构体。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具备冷却上述反应容器的开口侧的冷却机构。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述气体供给机构具有：从上述第一区域供给第一清洁气体的第一喷嘴；以及从上述第二区域供给第二清洁气体的第二喷嘴。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一喷嘴供给含氟气体与包含氧及氮的气体的混合气体作为上述第一清洁气体，上述第二喷嘴供给氟化氢气体作为上述第二清洁气体。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一区域的温度为200℃以上且400℃以下，上述第二区域的温度为5℃以上且75℃以下。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制部控制上述气体供给机构或上述加热器和冷却机构，以便通过上述气体供给机构供给不同的两种清洁气体、上述气体供给机构从不同的两部位供给清洁气体、以及上述加热器使温度在上述第一区域和上述第二区域不同中的至少两个，以不同的条件对上述第一区域和上述第二区域进行清洁。8.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述气体供给机构具有：从上述反应容器的中心侧且配置基板的区域的附近供给第一清洁气体的第一喷嘴；以及从上述开口的附近供给第二清洁气体的第二喷嘴，在同时进行上述清洁时，上述冷却机构在上述反应容器的中心侧的温度为200℃以上且400℃以下的状态下将上述反应容器的上述开口侧的整周冷却至5℃以上且75℃以下。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制部控制上述气体供给机构或上述加热器和冷却机构，以便通过上述气体供给机构从不同的两部位供给不同的两种清洁气体，且上述加热器使温度在上述第一区域和上述第二区域不同，以不同的条件对上述第一区域和上述第二区域进行清洁。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述第一清洁气体包括F2气体。11.根据权利要求8所...
【专利技术属性】
技术研发人员：江端慎也，栗林幸永，野田孝晓，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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