闪存扰码验证方法技术

本申请涉及存储器领域，具体涉及一种闪存扰码验证方法。包括：确定地址变换模拟算法；对闪存的存储区进行全面擦除操作，将存储区中各个存储单元变为第一电荷状态；确定至少一个目标电学地址；使得闪存的存储区，根据目标电学地址，对相应的目标存储单元进行编程操作，使得目标存储单元由第一电荷状态变为第二电荷状态；使得存储区各存储单元的漏端接触孔裸露；获取漏端接触孔裸露的存储区的电压衬度图像；根据电压衬度图像衬度点的阵列分布，和各个衬度点的衬度，确定与目标存储单元实际物理地址；通过地址变换模拟算法，计算目标电学地址对应的目标物理地址；若实际物理地址和目标物理地址一致，确定地址变换模拟算法正确。

【技术实现步骤摘要】
闪存扰码验证方法
本申请涉及存储器领域，具体涉及一种闪存扰码验证方法。
技术介绍
闪存，由于其本身具有集成度高、存取速度快、易于擦写等特点，在微机、自动化控制等诸多领域得到了广泛地应用。通常，闪存包括用于存储数据的存储区，和用于运算的逻辑区。为了满足数据传输安全性，或者数据传输延时等需求，从CPU产生的电学地址到存储区的物理地址之间，需要在逻辑区中进行地址变换，使得电学地址和物理地址之间形成逻辑对应关系，该地址变换的算法即为扰码。闪存的存储区中包括若干呈阵列式分布的存储单元，当根据电学地址，通过逻辑区对存储区中对应存储单元进行操作时，会存在操作失效的情形，因此需要根据扰码确定该电学地址对应的物理地址，由该物理地址对相应的存储单元进行失效分析。若该扰码错误，则会使得失效分析阶段难以进展。因此，对闪存扰码正确性的验证较为重要。相关技术中的闪存扰码验证方法，通常采用激光或其他聚焦离子束轰击样品，以定点破坏样品的内部结构，从而获取破坏处存储单元的物理坐标。由该物理坐标结合扰码反推对应的电学地址，使用反推得到的电学地址，对存储区进行写操作和读操作，以验证该扰码是否正确。但是，该种方法存在周期长成功率低的问题，另外还有些产品内部有保护，无法通过上述相关技术进行验证，还有些产品的表面有屏蔽金属层，无法通过上述相关技术中定点破坏样品的内部结构的方式获得物理坐标。
技术实现思路
本申请提供了一种闪存扰码验证方法，可以解决相关技术周期长、成功率低、使用条件限制较多的问题用。为了解决以上技术问题，本申请提供一种闪存扰码验证方法，所述闪存扰码验证方法包括以下步骤：确定地址变换模拟算法；对所述闪存的存储区进行全面擦除操作，将所述存储区中各个存储单元变为第一电荷状态；确定至少一个目标电学地址；使得所述闪存的存储区，根据所述目标电学地址，对相应的目标存储单元进行编程操作，使得所述目标存储单元由第一电荷状态变为第二电荷状态；使得所述存储区各存储单元的漏端接触孔裸露；获取漏端接触孔裸露的所述存储区的电压衬度图像；所述电压衬度图像包括若干呈阵列式分布的衬度点，所述衬度点与所述存储区中的存储单元一一对应；根据所述电压衬度图像衬度点的阵列分布，和各个衬度点的衬度，确定与所述目标存储单元实际物理地址；通过所述地址变换模拟算法，计算所述目标电学地址对应的目标物理地址；若所述实际物理地址和所述目标物理地址一致，确定所述地址变换模拟算法正确。可选的，所述步骤使得所述存储区各存储单元的漏端接触孔裸露，包括：通过化学机械研磨工艺，研磨所述闪存存储区表面，直至各存储单元的漏端接触孔裸露。可选的，所述第一电荷状态为浮空栅少子状态，第一电荷状态的存储单元中存储数据“1”。可选的，所述第二电荷状态为浮空栅电荷较多状态，第二电荷状态的存储单元中存储数据“0”。可选的，在所述存储单元为第一电荷状态时，对应的衬度点表现为第一衬度；在所述存储单元为第二电荷状态时，对应的衬度点表现为第二衬度；所述步骤：根据所述电压衬度图像衬度点的阵列分布，和各个衬度点的衬度，确定与所述目标存储单元实际物理地址，包括：根据所述电压衬度图像，确定表现为第二衬度的衬度点，并确定所述衬度点的位置；根据所述衬度点的位置，确定目标存储单元的实际物理地址。可选的，表现为第二衬度的衬度点亮于，表现为第一衬度的衬度点。可选的，所述步骤：获取漏端接触孔裸露的所述存储区的电压衬度图像，包括：采用电子束或者离子束照射存储区表面，根据所述存储区表面反射的二次电子，确定电压衬度图像。本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请提供的闪存扰码验证方法无需对闪存中存储的数据进行读取，从而能够方便地对推理出的地址变换算法进行验证，缩短验证周期，提高成功率，且能够避免因产品本身存在保护和屏蔽层而无法读取其中存储数据使得无法进行扰码验证的问题。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本申请一实施例提供的闪存扰码验证方法流程图；图2示出了闪存存储区的电路原理图；图3示出了存储单元的剖视结构示意图；图4示出了本申请实施例中S6完成后获取的存储区电压衬度图像。具体实施方式下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。如
技术介绍
中所述闪存包括用于存储数据的存储区，和用于运算的逻辑区。图2示出了闪存存储区的电路原理图，参照图2，闪存的存储区100，包括多个存储单元110，存储区100中的存储单元110呈阵列式排布形成存储单元阵列，每个所述存储单元110为晶体管，图3示出了存储单元的剖视结构示意图，参照图3，该存储单元110包括栅极111、漏极112、源极113和衬底114，栅极111包括用于存储电荷浮空栅101，和控制浮空栅101中电荷数量的控制栅102，漏极112与接触孔115接触。继续参照图2，所有存储单元110源极均接地。一列中的存储单元110漏极相连引出为位线BL，同一行存储单元110的控制栅相连引出为字线WL。每个所述存储单元在所述存储单元阵列中具有唯一识别的物理地址。闪存的逻辑区，用于将CPU产生的电学地址，根据地址变化算法进行地址变换得到物理地址，并将该物理地址传送给存储区，该存储区接收到该物理地址后能够根据该物理地址在存储单元阵列寻找对应的存储单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存扰码验证方法，其特征在于，所述闪存扰码验证方法包括以下步骤：/n确定地址变换模拟算法；/n对所述闪存的存储区进行全面擦除操作，将所述存储区中各个存储单元变为第一电荷状态；/n确定至少一个目标电学地址；/n使得所述闪存的存储区，根据所述目标电学地址，对相应的目标存储单元进行编程操作，使得所述目标存储单元由第一电荷状态变为第二电荷状态；/n使得所述存储区各存储单元的漏端接触孔裸露；/n获取漏端接触孔裸露的所述存储区的电压衬度图像；所述电压衬度图像包括若干呈阵列式分布的衬度点，所述衬度点与所述存储区中的存储单元一一对应；/n根据所述电压衬度图像衬度点的阵列分布，和各个衬度点的衬度，确定与所述目标存储单元实际物理地址；/n通过所述地址变换模拟算法，计算所述目标电学地址对应的目标物理地址；/n若所述实际物理地址和所述目标物理地址一致，确定所述地址变换模拟算法正确。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存扰码验证方法，其特征在于，所述闪存扰码验证方法包括以下步骤：
确定地址变换模拟算法；
对所述闪存的存储区进行全面擦除操作，将所述存储区中各个存储单元变为第一电荷状态；
确定至少一个目标电学地址；
使得所述闪存的存储区，根据所述目标电学地址，对相应的目标存储单元进行编程操作，使得所述目标存储单元由第一电荷状态变为第二电荷状态；
使得所述存储区各存储单元的漏端接触孔裸露；
获取漏端接触孔裸露的所述存储区的电压衬度图像；所述电压衬度图像包括若干呈阵列式分布的衬度点，所述衬度点与所述存储区中的存储单元一一对应；
根据所述电压衬度图像衬度点的阵列分布，和各个衬度点的衬度，确定与所述目标存储单元实际物理地址；
通过所述地址变换模拟算法，计算所述目标电学地址对应的目标物理地址；
若所述实际物理地址和所述目标物理地址一致，确定所述地址变换模拟算法正确。


2.如权利要求1所述的闪存扰码验证方法，其特征在于，所述步骤使得所述存储区各存储单元的漏端接触孔裸露，包括：
通过化学机械研磨工艺，研磨所述闪存存储区表面，直至各存储单元的漏端接触孔裸露。


3.如权利要求1所述的闪...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴苑，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32