【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种小尺寸接触孔制造工艺。
技术介绍
1、随着半导体集成电路的不断发展，芯片元胞的小型化、微型化成为技术迭代的重要发展方向。在相同的芯片面积下，更小的元胞尺寸意味着能够获得更大的电流密度、更低的导通压降，从而降低器件的功耗和生产成本。
2、然而，更小的元胞尺寸也提升了工艺难度，比如高深宽比沟槽的制造工艺对沟槽刻蚀的精度和金属填孔能力提出更高的要求，容易出现填孔空洞的问题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种小尺寸接触孔制造工艺，可以解决相关技术对于高深宽比沟槽的填孔问题。
2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种小尺寸接触孔制造工艺，所述小尺寸接触孔制造工艺包括依次进行的以下步骤：
3、提供半导体基底层；
4、通过第一光阻层在所述半导体基底层上定义出第一刻蚀图案，所述第一刻蚀图案包括第一接触孔图案；
5、基于所述第一刻蚀图案刻蚀所述半导体基底层，在所述半导体基底层中形成第一接触孔；
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【技术保护点】
1.一种小尺寸接触孔制造工艺，其特征在于，所述小尺寸接触孔制造工艺包括依次进行的以下步骤：
2.如权利要求1所述的小尺寸接触孔制造工艺，其特征在于，所述基于所述第一刻蚀图案刻蚀所述半导体基底层，在所述半导体基底层中形成第一接触孔的步骤包括以下依次进行的步骤：
3.如权利要求2所述的小尺寸接触孔制造工艺，其特征在于，在所述湿法刻蚀工艺中，对所述半导体基底层表层的刻蚀速率小于对所述表层以下所述半导体基底层其余部分的刻蚀速率。
4.如权利要求1所述的小尺寸接触孔制造工艺，其特征在于，所述沉积第一金属，所述第一金属填充满所述第一接触孔的步骤
【技术特征摘要】
1.一种小尺寸接触孔制造工艺，其特征在于，所述小尺寸接触孔制造工艺包括依次进行的以下步骤：
2.如权利要求1所述的小尺寸接触孔制造工艺，其特征在于，所述基于所述第一刻蚀图案刻蚀所述半导体基底层，在所述半导体基底层中形成第一接触孔的步骤包括以下依次进行的步骤：
3.如权利要求2所述的小尺寸接触孔制造工艺，其特征在于，在所述湿法刻蚀工艺中，对所述半导体基底层表层的刻蚀速率小于对所述表层以下所述半导体基底层其余部分的刻蚀速率。
4.如权利要求1所述的小尺寸接触孔制造工艺，其特征在于，所述沉积第一金属，所述第一金属填充满所述第一接触孔的步...
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，许洁，张瑞祥，潘嘉，杨继业，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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