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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种小尺寸接触孔制造工艺，包括以下步骤：提供半导体基底层；通过第一光阻层在半导体基底层上定义出第一刻蚀图案，第一刻蚀图案包括第一接触孔图案；基于第一刻蚀图案刻蚀半导体基底层，在半导体基底层中形成...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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