非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端，接收单步测试配置；接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；获取操作测试中对应步骤的测试结果；对测试结果进行分析，最终得到Nor Flash芯片测试步骤组合；通过每一个基本的单步步骤和单步反馈结果搭建整个擦除或者编程的各个步骤，而且是根据需要随时可以调整；在工艺平台的升级换代时，通过不同的步骤的组合，能够快速找到一种可靠性高、执行速度快的步骤组合。

【技术实现步骤摘要】
非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端
本专利技术涉及非易失型芯片
，尤其涉及的是一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端。
技术介绍
NorFlash芯片的内部存储单元存在较大的差异（如擦除的难以程度，数据的保持力方面，等），对NorFlash进行擦除或者编程时，需要经过较多的步骤才能完成整个操作。NorFlash芯片在经过几年的时间后，会进行工艺升级，达到单位面积内存放更多的存储单元，那么存储单元的一致性也会随着工艺的升级而变差。在新工艺测试平台上，对NorFlash芯片进行编程或擦除操作，需要经过的步骤以及每个步骤所需要的循环的次数（如存储单元1，需要经过5次擦除或者编程才能完成操作，而存储单元2可能需要经过10次擦除或者编程才能完成操作，而存储单元3可能需要经过18次擦除或者编程才能完成操作）等会存在很大的差异（存储单元的数据保持力越强，存储单元完成相应操作需要执行的次数就越多，反之亦然）：（1）对NorFlash芯片的存储单元执行编程或擦除操作中的某一步骤时，NorFlash芯片内的存储单元是否可以完成以及完成的程度存在差异。（2）如果设置每个步骤所需要循环的次数过少，则难以测试出NorFlash芯片真实的数据保持力等性能，而设置的次数过多，则会导致NorFlash芯片在新工艺测试平台上完成擦除和编程的时间过长，影响测试效率。现有的做法一般是通过人工根据经验对NorFlash芯片进行编程或擦除操作，需要经过的步骤以及每个步骤所需要的循环的次数进行设置，对测试人员的要求相对较高，而且测试效率低。所以，在NorFlash芯片进行工艺升级后，如何快速找到一种可靠性高、执行速度快的NorFlash芯片测试步骤组合，是一个亟待解决的问题。因此，现有的技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端，旨在解决在NorFlash芯片进行工艺升级后，如何快速找到一种可靠性高、执行速度快的NorFlash芯片测试步骤组合的问题。本专利技术的技术方案如下：一种非易失型芯片内部单步测试方法，其中，具体包括以下步骤：接收单步测试配置；接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；获取操作测试中对应步骤的测试结果；对测试结果进行分析，最终得到NorFlash芯片测试步骤组合。所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其中，所述操作包括编程操作或者擦除操作。所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其中，所述接收单步测试配置，具体包括以下步骤：s11：接收进入单步测试模式使能；s12：配置操作中需要执行单步测试的步骤；s13：复用正常执行操作时的步骤；s14：配置操作中需要执行单步测试的步骤的判断步骤。所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其中，所述获取操作测试中对应步骤的测试结果，包括以下过程：在NorFlash芯片执行完操作测试中对应步骤后，读出NorFlash芯片对应存储单元的数据，通过读出的数据判断操作测试中对应步骤的测试结果。所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其中，所述获取操作测试中对应步骤的测试结果，包括以下过程：接收NorFlash芯片执行完操作测试中对应步骤后输出的操作测试中对应步骤的测试结果。一种非易失型芯片内部单步测试装置，其中，包括：接收配置模块，接收单步测试配置；操作指令启动模块，接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；测试结果获取模块，获取操作测试中对应步骤的测试结果；分析模块，对测试结果进行分析，最终得到NorFlash芯片测试步骤组合。所述的非易失型芯片内部单步测试装置，其中，所述接收配置模块可以采用配置有SPI接口的配置测试寄存器实现。所述的非易失型芯片内部单步测试装置，其中，所述测试结果获取模块通过SPI接口读出NorFlash芯片对应存储单元的数据或者接收NorFlash芯片执行完操作测试中对应步骤后输出的操作测试中对应步骤的测试结果。一种存储介质，其中，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。一种终端，其中，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行上述任一项所述的方法。本专利技术的有益效果：本专利技术通过提供一种非易失型芯片内部单步测试方法、装置、存储介质、终端，进行单步测试的配置，通过每一个基本的单步步骤和单步反馈结果可以实现整个擦除或者编程的各个步骤的搭建，而且擦除或者编程的各个步骤是根据需要随时可以调整；在工艺平台的升级换代时，通过不同的步骤及其循环次数的组合，能够快速找到一种可靠性高、执行速度快的步骤组合。附图说明图1是本专利技术中非易失型芯片内部单步测试方法的步骤流程图。图2是本专利技术中非易失型芯片内部单步测试装置的示意图。图3是本专利技术中终端的示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。如图1所示，一种非易失型芯片内部单步测试方法，具体包括以下步骤：S1：接收单步测试配置；S2：接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；S3：获取操作测试中对应步骤的测试结果；S4：对测试结果进行分析，最终得到NorFlash芯片测试步骤组合。在某些具体实施例中，所述操作包括编程操作或者擦除操作。在某些具体实施例中，所述S1具体包括以下步骤：s11：接收进入单步测试模式使能；s12：配置操作中需要执行单步测试的步骤；s13：复用正常执行操作时的步骤；s14：配置操作中需要执行单步测试的步骤的判断步骤。在某些具体实施例中，所述S3可以包括以下过程：（1）NorFlash芯片执行完操作测试中对应步骤后，读出NorFlash芯片对应存储单元的数据，通过读出的数据判断操作测试中对应步骤的测试结果。（2）接收NorFlash芯片执行完操作测试中对应步骤后输出的操作测试中对应步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失型芯片内部单步测试方法，其特征在于，具体包括以下步骤：/n接收单步测试配置；/n接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；/n获取操作测试中对应步骤的测试结果；/n对测试结果进行分析，最终得到Nor Flash芯片测试步骤组合。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失型芯片内部单步测试方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
接收单步测试配置；
接收操作指令，根据单步测试配置启动对应的操作测试；
获取操作测试中对应步骤的测试结果；
对测试结果进行分析，最终得到NorFlash芯片测试步骤组合。


2.根据权利要求1所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其特征在于，所述操作包括编程操作或者擦除操作。


3.根据权利要求1所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其特征在于，所述接收单步测试配置，具体包括以下步骤：
s11：接收进入单步测试模式使能；
s12：配置操作中需要执行单步测试的步骤；
s13：复用正常执行操作时的步骤；
s14：配置操作中需要执行单步测试的步骤的判断步骤。


4.根据权利要求1所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其特征在于，所述获取操作测试中对应步骤的测试结果，包括以下过程：在NorFlash芯片执行完操作测试中对应步骤后，读出NorFlash芯片对应存储单元的数据，通过读出的数据判断操作测试中对应步骤的测试结果。


5.根据权利要求1所述的非易失型芯片内部单步测试方法，其特征在于，所述获取操作测试中对应步骤的测试结果，包括以下过程：接收NorFlash芯片执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎永健，刘佳庆，蒋双泉，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44