【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种提高氧化铝原子层沉积速率的方法。
技术介绍
1、al2o3近年来作为一种高介电常数氧化物，是一种优异电介质层，搭配tan极板作为上下极板，能形成性能优异的mim(金属、绝缘体、金属三层薄膜组成的夹心结构)。
2、al2o3采用原子层沉积技术进行生长，但是ald(原子层沉积)的沉积速率慢，对产能和经济效益均有比较大的挑战，尤其作为mim电介质层，al2o3通常需要100埃及以上的厚度，严重影响产能。
3、为解决上述问题，需要提出一种新型的提高氧化铝原子层沉积速率的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种提高氧化铝原子层沉积速率的方法，用于解决现有技术中al2o3采用原子层沉积技术进行生长，但是ald的沉积速率慢，对产能和经济效益均有比较大的挑战，严重影响产能的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种提高氧化铝原子层沉积速率的方法，包括：
3、步骤一...
【技术保护点】
1.一种提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于：步骤一中所述第一氮化钽的厚度为400至600埃。
4.根据权利要求1所述的提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于：步骤一中形成所述第一氮化钽层时，物理气相沉积机台的功率为4000至10000瓦，通入氮气的气体流量为35-80sccm。
5.根据权利要求4所述的提高氧化铝原子层沉积速率的方法，...
【技术特征摘要】
1.一种提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于：步骤一中所述第一氮化钽的厚度为400至600埃。
4.根据权利要求1所述的提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于：步骤一中形成所述第一氮化钽层时，物理气相沉积机台的功率为4000至10000瓦，通入氮气的气体流量为35-80sccm。
5.根据权利要求4所述的提高氧化铝原子层沉积速率的方法，其特征在于：步骤一中在所述第一氮化钽层形成后冷却20至60后淀积所述钽层，所述淀物理气相沉积机台的功率为4000至8000瓦。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨淋淋，邢中豪，冯秦旭，林建树，梁金娥，李宗旭，张守龙，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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