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本发明提供一种提高氧化铝原子层沉积速率的方法，提供衬底，在衬底上形成第一氮化钽层，之后在第一氮化钽层上形成钽层；利用原子层沉积的方法在钽层上形成氧化铝种子层，之后在氧化铝种子层上形成氧化铝层；在氧化铝层上形成第二氮化钽层。本发明通过在钽层上...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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