相交孔加工方法和电路板技术

本申请涉及一种相交孔加工方法和电路板，其中，该相交孔加工方法包括：对电路板半成品的外表面进行贴干膜处理，形成第一干膜层和第二干膜层；对贴干膜处理后的电路板半成品外表面进行阻焊处理，形成第一阻焊层和第二阻焊层；并在待钻孔位置对第一阻焊层和第二阻焊层进行开窗处理；在第一阻焊层和第二阻焊层的开窗位置钻孔，形成相交孔。上述相交孔加工方法，在钻孔时，钻针先接触干膜层，再到达介质层，由于干膜对介质层的保护和缓冲作用，可以缓解钻孔时钻针对介质层的摩擦，避免介质层被拉扯、损伤，产生毛刺，有利于减少相交孔的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
相交孔加工方法和电路板
本申请涉及印制电路板加工
，特别是涉及一种相交孔加工方法和电路板。
技术介绍
印制电路板又称电路板，作为电子元器件的支撑体，被广泛应用于各个领域。在一些特殊焊接或插接需要的情况下，电路板上会设计一种相交孔，即两个孔呈相交状态，外观则呈现“8字”形，相交孔能够保证元器件在焊接之后的插脚及电性能的稳定性。传统的相交孔孔加工方法，直接对电路板半成品进行钻孔，得到相交孔，再进行除钻污、沉铜和电镀制作，得到电镀板相交孔。在加工过程中，由于钻针与介质层表面接触，容易伤及介质层表面，使介质层材料产生拉扯、划伤等问题，进而引起毛刺、披锋等缺陷，影响后序电镀、图形的制作，甚至导致产品报废。因此，传统的相交孔孔加工方法，存在缺陷多的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种相交孔加工方法和电路板，减少缺陷。本申请第一方面，提供了一种相交孔加工方法，包括：对电路板半成品的外表面进行贴干膜处理，形成第一干膜层和第二干膜层；对贴干膜处理后的所述电路板半成品外表面进行阻焊处理，形成第一阻焊层和第二阻焊层；并在待钻孔位置对所述第一阻焊层和所述第二阻焊层进行开窗处理；在所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的开窗位置钻孔，形成相交孔。在其中一个实施例中，所述阻焊层的厚度为10μm~25μm。在其中一个实施例中，所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的开窗形状与待钻相交孔的形状相同，开窗尺寸大于待钻相交孔的尺寸。在其中一个实施例中，所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的开窗尺寸与待钻相交孔金属孔环的设计尺寸相同。在其中一个实施例中，所述钻孔参数为：转速60krpm~70krpm、进刀速度0.5m/min~1.0m/min、退刀速度10m/min~20m/min。在其中一个实施例中，所述在所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的开窗位置钻孔，形成相交孔之后，还包括：进行第一次腿干膜处理；对所述相交孔进行电镀处理；进行退阻焊层处理；进行第二次腿干膜处理。在其中一个实施例中，所述对电路板半成品外表面进行贴干膜处理之前，还包括：在第一介质层和第二介质层之间设置内层铜，形成电路板半成品；所述内层铜设置于所述电路板半成品的待钻孔区域。在其中一个实施例中，所述第一介质层和所述第二介质层的厚度相等。在其中一个实施例中，所述内层铜比待钻相交孔的孔径单边大0.5mm~5mm。本申请第二方面，提供了一种电路板，包含使用如上述的方法制成的相交孔。上述相交孔加工方法，先对电路板半成品外表面进行贴干膜处理；再在贴干膜处理后的电路板半成品外表面制作阻焊层，并在待钻孔位置对阻焊层进行开窗处理；最后在阻焊层的开窗位置钻孔，形成相交孔。在钻孔时，钻针先接触干膜层，再到达介质层，由于干膜对介质层的保护和缓冲作用，可以缓解钻孔时钻针对介质层的摩擦，避免介质层被拉扯、损伤，产生毛刺，有利于减少相交孔的缺陷。附图说明图1为一个实施例中相交孔加工方法的流程示意图；图2为一个实施例中贴干膜处理后的电路板半成品截面示意图；图3为一个实施例中阻焊开窗处理后的电路板半成品截面示意图；图4为一个实施例中阻焊开窗形状与待钻相交孔形状的示意图；图5为一个实施例中钻孔后的电路板半成品截面示意图；图6为另一个实施例中相交孔加工方法的流程示意图；图7为一个实施例中第一次褪干膜后的电路板半成品截面示意图；图8为一个实施例中电镀后的电路板半成品截面示意图；图9为一个实施例中褪阻焊层且第二次褪干膜后的电路板半成品截面示意图；图10为一个实施例中待贴干膜处理的电路板半成品截面示意图；图11为一个实施例中相交孔加工过程的示意图。附图标记说明：10-第一干膜层，20-介质层，21-第一介质层，22-第二介质层，23-内层铜，30-第二干膜层，40-第一阻焊层，41-第一阻焊开窗，50-第二阻焊层，51-第二阻焊开窗，60-相交孔，61-待钻相交孔，70-电镀铜层。具体实施方式为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一干膜层称为第二干膜层，且类似地，可将第二干膜层称为第一干膜层。第一干膜层和第二干膜层都是干膜层，但其不是同一干膜层。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。本申请第一方面，提供了一种相交孔加工方法，请参考图1，在一个实施例中，该方法包括步骤S20至步骤S40。步骤S20：对电路板半成品外表面进行贴干膜处理，形成第一干膜层和第二干膜层。其中，电路板半成品，是指未完成所有加工工艺步骤的电路板。该电路板半成品，可以是开料后的介质材料，也可以是已经完成部分内层电路的半成品；可以是单面板或双面板，还可以是多层板。总之，本申请实施例对电路板半成品的类型和层数不作限定。为便于理解，后续实施例中，均以电路板半成品为双面板的情况为例进行说明。可以理解，用于进行相交孔制作的电路板半成品，待钻孔区域的外表面为介质层。具体的，对电路板半成品的两层外表面，分别进行贴干膜处理。干膜是一种高分子的化合物，它通过紫外线的照射后性能会发生变化，可以进行选择性的去除，从而达到阻挡电镀和蚀刻的功能。干膜的种类，包括负性干膜和正性干膜；干膜的厚度，可以是1.2mil、1.5mil、2.0mil，还可以是其他尺寸。总之，本申请实施例对干膜的种类和厚度并不作限定。可以理解，干膜的厚度应与介质层的材料类型和厚度匹配，使其在钻孔时能起到保护介质层的作用。贴干膜处理后，请参考图2，就形成了由第一干膜层10、介质层20和第二干膜层30构成的夹心结构。步骤S30：对贴干膜处理后的电路板半成品外表面进行阻焊处理，形成第一阻焊层和第二阻焊层；并在待钻孔位置对第一阻焊层和第二阻焊层进行开窗处理。其中，阻焊层又称本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相交孔加工方法，其特征在于，包括：/n对电路板半成品的外表面进行贴干膜处理，形成第一干膜层和第二干膜层；/n对贴干膜处理后的所述电路板半成品外表面进行阻焊处理，形成第一阻焊层和第二阻焊层；并在待钻孔位置对所述第一阻焊层和所述第二阻焊层进行开窗处理；/n在所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的开窗位置钻孔，形成相交孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种相交孔加工方法，其特征在于，包括：
对电路板半成品的外表面进行贴干膜处理，形成第一干膜层和第二干膜层；
对贴干膜处理后的所述电路板半成品外表面进行阻焊处理，形成第一阻焊层和第二阻焊层；并在待钻孔位置对所述第一阻焊层和所述第二阻焊层进行开窗处理；
在所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的开窗位置钻孔，形成相交孔。


2.根据权利要求1所述的相交孔加工方法，其特征在于，所述阻焊层的厚度为10μm~25μm。


3.根据权利要求1所述的相交孔加工方法，其特征在于，所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的开窗形状与待钻相交孔的形状相同，开窗尺寸大于待钻相交孔的尺寸。


4.根据权利要求1所述的相交孔加工方法，其特征在于，所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的开窗尺寸与待钻相交孔金属孔环的设计尺寸相同。


5.根据权利要求1所述的相交孔加工方法，其特征在于，所述钻孔参数为：转速60krpm~70krpm、进刀速度0.5m/min~1.0m/...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘克红，鲁科，何玉霞，王培培，刘克敢，钟兰，
申请(专利权)人：深圳市鼎盛电路技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44