真空镀膜工艺过程的自动检测方法技术

本发明专利技术提供了一种真空镀膜工艺过程自动检测的控制方法，该方法采用工艺检测回路，自动检测推入真空室体的蒸发源工件转架，并实现自动执行和切换蒸发电源的工艺过程，完全消除了蒸发源损坏，全炉工件报废的事故发生；本发明专利技术整个检测过程利用计算机软件控制执行，安全可靠、操作方便。

Automatic inspection method for vacuum coating process

The invention provides a control method for automatic detection of a vacuum coating process, the method adopts the process of detecting circuit, automatic detection of the evaporation source vacuum chamber body into the workpiece rotating frame, and the realization of process execution and automatic switching power supply eliminates evaporation, evaporation damage occurs, the whole furnace workpiece scrapped accident; the the invention of the whole detection process using computer software control, safe and reliable, convenient operation.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种工艺过程的自动检测方法，尤其涉及一种真空镀膜技术中工艺过程的自动检测方法，具体是镀氧化硅(SiO)和镀氟化镁(MgF2)工艺过程的自动检测方法。
技术介绍
现有车灯真空蒸发镀膜工艺技术，是在被镀工件表面先蒸发镀一层铝(AL)后，为了使铝层表面不被氧化，必须在其表面再蒸发镀一层保护膜。针对被镀工件不同的使用环境和不同的质量要求，选择不同类型的保护膜。目前，一般是选择采用蒸发镀氧化硅(SiO)和蒸发镀氟化镁(MgF2)做为保护膜。由于镀SiO和镀MgF2的材料不同，因此采用的工艺参数，蒸发电源的电流、电压参数、蒸发源材料、结构以及连接方式均不同，而工艺参数，蒸发源电流、电压参数的设定是通过计算机键盘设定后存入控制计算机的。而蒸发源和蒸发材料是和被镀工件一起固定在工作转架上，通过导轨推入真空室体进行真空镀膜的，因此就出现了专门用于镀SiO的工件转架和专门用于镀MgF2的工件转架。也就是说，工艺设定是镀SiO的保护膜，必须推入室体是镀SiO工件转架，反之亦然。在生产过程中，操作人员必须认真核对，一旦发生工艺设定是镀SiO而推入室体是镀MgF2工件转架，而计算机按设定镀SiO工艺过程运行后，就会造成蒸发源严重损坏，整炉工件全部报废的严重后果，这是现有设备严重不足之处。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的上述缺陷，本专利技术提供一种能准确测定所镀工件架的真空镀膜工艺过程自动检测方法。本专利技术的目的可以通过以下措施实现一种，是先根据蒸发源的材料连接方式在蒸发回路中设定一个电流门限值，并让蒸发电源在极短的时间内输出小电压值，使检测回路电流值与电流门限值比较，若检测回路电流值大于门限值，则确定推入室体的是该蒸发源的工件转架，并自动执行该蒸发源的工艺过程；若检测回路电流值小于门限值，则确定推入室体的不是该蒸发源的工件转架，并自动执行蒸发电源的切换。所述的蒸发源为SiO蒸发电源和MgF2蒸发电源。所述SiO蒸发回路的连接方式为4根3.1×2600毫米的钨丝并联，该回路中设定的电流门限值为IV＝100A。所述MgF2蒸发回路的连接方式为48根螺旋管状的钼丝并联，该回路中设定的电流门限值为IV＝160A。所述SiO蒸发电源在极短的时间内输出1伏的电压值，检测回路电流值与门限值比较，若检测回路电流值大于门限就判定推入室体的是SiO工件转架，并自动执行镀SiO工艺过程；若测得的检测回路电流值小于门限值，就确定推入室体的是镀MgF2工件转架，并自动切换到镀MgF2蒸发电源，执行镀MgF2工艺过程。所述MgF2蒸发电源在极短的时间内输出1伏的电压值，检测回路电流值与门限值比较，若检测回路电流值大于门限就判定推入室体的是MgF2工件转架，并自动执行镀MgF2工艺过程；若测得的检测回路电流值小于门限值，就确定推入室体的是镀SiO工件转架，并自动切换到镀SiO蒸发电源，执行镀SiO工艺过程。本专利技术的优点1、本专利技术采用工艺检测回路，自动检测推入真空室体的蒸发源工件转架，并实现自动执行和切换蒸发电源的工艺过程，完全消除了蒸发源损坏，全炉工件报废的事故发生。2、本专利技术采用计算机软件控制执行整个工艺检测过程，安全可靠、操作方便。附图说明图1为本专利技术框2为本专利技术SiO蒸发电源的连接结构3为本专利技术MgF2蒸发电源的连接结构图1——SiO蒸发电源2——钨丝3——MgF2蒸发电源4——钼丝 具体实施例方式实施例1参照图2，在SiO蒸发回路中设定一个电流门限值IV＝100A，并使SiO蒸发电源在较短的时间内输出1伏的电压值，检测回路电流值并与电流门限值比较，若检测回路电流值小于门限则判定推入室体的是SiO工件转架，并自动执行镀SiO工艺过程。实施例2参照图3，在MgF2蒸发回路中设定一个电流门限值IV＝160A，并使MgF2蒸发源在较短时间内输出1伏的电压值，检测回路电流值与电流门限值比较，若检测回路电流值大于门限则判定推入室体的是MgF2工件转架，并自动执行镀MgF2工艺过程。上述整个工艺检测工程有计算机软件控制执行。权利要求1.一种，其特征在于先根据蒸发源的材料、连接方式在蒸发回路中设定一个电流门限值，并让蒸发电源在极短的时间内输出小电压值，使检测回路电流值与电流门限值比较，若检测回路电流值大于电流门限值，则确定推入室体的是该蒸发源的工件转架，并自动执行该蒸发源的工艺过程；若检测回路电流值小于电流门限值，则确定推入室体的不是该蒸发源的工件转架，并自动执行蒸发电源的切换。2.如权利要求1所述的，其特征在于所述的蒸发源为SiO蒸发电源和MgF2蒸发电源。3.权利要求2所述的，其特征在于所述SiO蒸发回路的连接方式为4根3.1×2600毫米的钨丝并联，该回路中设定的电流门限值为Iv＝100A。4.权利要求2所述的，其特征在于所述MgF2蒸发回路的连接方式为48根螺旋管状的钼丝并联，该回路中设定的电流门限值为Iv＝160A。5.权利要求2、3、4所述的任一，其特征在于所述SiO蒸发电源在极短的时间内输出1伏的电压值，检测回路电流值与门限值比较，若检测回路电流值小于门限就判定推入室体的是SiO工件转架，并自动执行镀SiO工艺过程；若测得的检测回路电流值大于门限值，就确定推入室体的是镀MgF2工件转架，并自动切换到镀MgF2蒸发电源，执行镀MgF2工艺过程。6.权利要求2、3、4所述的任一，其特征在于所述MgF2蒸发电源在极短的时间内输出1伏的电压值，检测回路电流值与门限值比较，若检测回路电流值大于门限就判定推入室体的是MgF2工件转架，并自动执行镀MgF2工艺过程；若测得的检测回路电流值小于门限值，就确定推入室体的是镀SiO工件转架，并自动切换到镀SiO蒸发电源，执行镀SiO工艺过程。全文摘要本专利技术提供了一种真空镀膜工艺过程自动检测的控制方法，该方法采用工艺检测回路，自动检测推入真空室体的蒸发源工件转架，并实现自动执行和切换蒸发电源的工艺过程，完全消除了蒸发源损坏，全炉工件报废的事故发生；本专利技术整个检测过程利用计算机软件控制执行，安全可靠、操作方便。文档编号C23C14/24GK1632162SQ20041008235公开日2005年6月29日 申请日期2004年12月31日 优先权日2004年12月31日专利技术者范多旺, 邓志杰, 范多进, 解武波, 孔令刚, 王汉安, 武福, 于正勤 申请人:兰州大成自动化工程有限公司, 兰州交通大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空镀膜工艺过程的自动检测方法，其特征在于：先根据蒸发源的材料、连接方式在蒸发回路中设定一个电流门限值，并让蒸发电源在极短的时间内输出小电压值，使检测回路电流值与电流门限值比较，若检测回路电流值大于电流门限值，则确定推入室体的是该蒸发源的工件转架，并自动执行该蒸发源的工艺过程；若检测回路电流值小于电流门限值，则确定推入室体的不是该蒸发源的工件转架，并自动执行蒸发电源的切换。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范多旺，邓志杰，范多进，解武波，孔令刚，王汉安，武福，于正勤，
申请(专利权)人：兰州大成自动化工程有限公司，兰州交通大学，
类型：发明
国别省市：62[中国|甘肃]