一种双面散热的半导体堆叠封装结构制造技术

技术编号:27596466 阅读:20 留言:0更新日期:2021-03-10 10:16
本实用新型专利技术公开一种双面散热的半导体堆叠封装结构,该结构包括:金属片;中间载体,其包括第一焊接区和第二焊接区;引线框架,其包括基岛、上层引出管脚和下层引出管脚;第二焊接区通过导电连接件与上层引出管脚电连接;上层芯片,其顶部与金属片连接,上层芯片的底部通过与中间载体连接;上层芯片顶部的电极依次通过金属线、上层外引组件、导电连接件与上层引出管脚电连接;下层芯片,其顶部与中间载体的底部连接,下层芯片的底部与基岛连接;下层芯片的顶部的电极通过金属线与下层引出管脚电连接;封装体,金属片由封装体的其一侧面露出以用于散热,基岛由封装体的另一侧面露出以用于散热。该堆叠封装结构尺寸减小,制程减少,散热性能良好。散热性能良好。散热性能良好。

【技术实现步骤摘要】
一种双面散热的半导体堆叠封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装
,尤其涉及一种双面散热的半导体堆叠封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体工业的发展,半导体产品往小型化发展。堆叠封装结构是将多个半导体封装件依次堆叠以形成的新的封装结构。随着半导体器件小型化高密度的需求不断增长,堆叠封装技术在逻辑电路和存储器集成领域有广泛的应用,是业界内的首选。
[0003]但是,目前业内的堆叠封装结构的芯片一般通过环氧树脂封装体向外散热,散热性能较差,如此,堆叠封装结构容易因为内部温度升高而无法良好散热,导致影响堆叠封装结构的功能和使用寿命。

技术实现思路

[0004]本技术实施例的一个目的在于:提供一种双面散热的半导体堆叠封装结构,其有利于缩小封装结构的尺寸。
[0005]本技术实施例的又一个目的在于:提供一种双面散热的半导体堆叠封装结构,其减少了制程,可节省生产成本。
[0006]本技术实施例的另一个目的在于:提供一种双面散热的半导体堆叠封装结构,其增强了封装结构的散热性能。
[0007]为达上述目的,本技术采用以下技术方案:
[0008]一种双面散热的半导体堆叠封装结构,包括:
[0009]金属片;
[0010]中间载体,其包括多组上层外引组件,所述上层外引组件包括设于顶层的第一焊接区,还包括设于底层的并与所述第一焊接区电气连通的第二焊接区;
[0011]引线框架,其包括基岛、上层引出管脚和下层引出管脚;所述第二焊接区通过导电连接件与所述上层引出管脚电连接;
[0012]至少一上层芯片,所述上层芯片的顶部通过第一焊材层与所述金属片连接,所述上层芯片的底部通过第二焊材层与所述中间载体的顶部连接;所述上层芯片的顶部的电极依次通过金属线、所述上层外引组件、导电连接件与所述上层引出管脚电连接;
[0013]至少一下层芯片,所述下层芯片的顶部通过第三焊材层与所述中间载体的底部连接,所述下层芯片的底部通过第四焊材层与所述基岛连接;所述下层芯片的顶部的电极通过金属线与所述下层引出管脚电连接;
[0014]封装体,其包覆所述金属片、中间载体、引线框架、上层芯片和下层芯片,所述金属片由所述封装体的其一侧面露出以用于散热,所述基岛由所述封装体的另一侧面露出以用于散热;所述上层引出管脚和所述下层引出管脚均伸出所述封装体以用于与外部的电路载体电连接。
[0015]作为优选,所述金属片的顶面由所述封装体的顶面露出以用于散热,所述基岛的底面由所述封装体的底面露出以用于散热;所述第一焊材层与所述第四焊材层均为导热焊材层。
[0016]作为优选,所述中间载体为DBC覆铜板,所述第一焊接区为第一覆铜区,所述第二焊接区为第二覆铜区,所述第一覆铜区与所述第二覆铜区通过所述DBC覆铜板上的电气导通孔电连接。
[0017]作为优选,包括多个所述上层引出管脚和多个所述下层引出管脚;不同的所述上层引出管脚用于与所述上层芯片的不同电极电连接,不同的所述下层引出管脚用于与所述下层芯片的不同电极电连接。
[0018]作为优选,所述上层芯片的正面设有第一源极和第一栅极;所述第一源极依次通过第一金属线、第一上层外引组件、第一导电连接件与第一上层引出管脚电连接;所述第一栅极依次通过第二金属线、第二上层外引组件、第二导电连接件与第二上层引出管脚电连接。
[0019]作为优选,所述上层芯片的背面设有第一漏极,所述第一漏极依次通过第三金属线、第三上层外引组件、第三导电连接件与第三上层引出管脚电连接。
[0020]作为优选,所述下层芯片的正面设有第二源极和第二栅极,所述第二源极和所述第二栅极分别通过不同的金属线与不同的下层引出管脚电连接。
[0021]作为优选,所述中间载体为DBC覆铜板,所述中间载体还包括设于顶面的第三焊接区和设于底面的第四焊接区,所述第三焊接区域所述第四焊接区通过电气导通孔进行电气连接;所述上层芯片的底面的电极与所述第三焊接区电连接,所述第四焊接区域与所述下层芯片顶面的电极电连接。
[0022]作为优选,所述中间载体为DBC覆铜板;所述下层芯片倒装于所述引线框架;所述中间载体的底部还设有第五焊接区,所述下层芯片的顶部的电极与所述第五焊接区电连接,所述第五焊接区通过导电连接件与所述下层引出管脚电连接。
[0023]作为优选,所述金属片为铜片;所述上层引出管脚的底部、所述下层引出管脚的底部由所述封装体的底部露出;所述导电连接件为导电金属柱。
[0024]本技术的有益效果为:该双面散热的半导体堆叠封装结构,有利于缩小封装结构的尺寸,减少了制程,可节省生产成本,并且增强了封装结构的散热性能,适用于大功率和具有高散热需求的产品。
附图说明
[0025]下面根据附图和实施例对本技术作进一步详细说明。
[0026]图1为本技术其一实施例所述半导体堆叠封装结构的剖面结构示意图;
[0027]图2为本技术另一实施例所述半导体堆叠封装结构的剖面结构示意图;
[0028]图中:10、金属片;20、上层芯片;30、中间载体;301、中间陶瓷层;31、第一焊接区;32、第二焊接区;33、第三焊接区;34、第四焊接区;35、第五焊接区;36、电气导通孔;40、下层芯片;50、引线框架;51、基岛;52、上层引出管脚;53、下层引出管脚;60、封装体;71、第一焊材层;72、第二焊材层;73、第三焊材层;74、第四焊材层;80、金属线;90、导电连接件。
具体实施方式
[0029]为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面将结合附图对本技术实施例的技术方案作进一步的详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0030]在本技术的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“固定”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0031]在本技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0032]本技术的双面散热的半导本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面散热的半导体堆叠封装结构,其特征在于,包括:金属片(10);中间载体(30),其包括多组上层外引组件,所述上层外引组件包括设于顶层的第一焊接区(31),还包括设于底层的并与所述第一焊接区(31)电气连通的第二焊接区(32);引线框架(50),其包括基岛(51)、上层引出管脚(52)和下层引出管脚(53);所述第二焊接区(32)通过导电连接件(90)与所述上层引出管脚(52)电连接;至少一上层芯片(20),所述上层芯片(20)的顶部通过第一焊材层(71)与所述金属片(10)连接,所述上层芯片(20)的底部通过第二焊材层(72)与所述中间载体(30)的顶部连接;所述上层芯片(20)的顶部的电极依次通过金属线(80)、所述上层外引组件、导电连接件(90)与所述上层引出管脚(52)电连接;至少一下层芯片(40),所述下层芯片(40)的顶部通过第三焊材层(73)与所述中间载体(30)的底部连接,所述下层芯片(40)的底部通过第四焊材层(74)与所述基岛(51)连接;所述下层芯片(40)的顶部的电极通过金属线(80)与所述下层引出管脚(53)电连接;封装体(60),其包覆所述金属片(10)、中间载体(30)、引线框架(50)、上层芯片(20)和下层芯片(40),所述金属片(10)由所述封装体(60)的其一侧面露出以用于散热,所述基岛(51)由所述封装体(60)的另一侧面露出以用于散热;所述上层引出管脚(52)和所述下层引出管脚(53)均伸出所述封装体(60)以用于与外部的电路载体电连接。2.根据权利要求1所述的双面散热的半导体堆叠封装结构,其特征在于,所述金属片(10)的顶面由所述封装体(60)的顶面露出以用于散热,所述基岛(51)的底面由所述封装体(60)的底面露出以用于散热;所述第一焊材层(71)与所述第四焊材层(74)均为导热焊材层。3.根据权利要求1所述的双面散热的半导体堆叠封装结构,其特征在于,所述中间载体(30)为DBC覆铜板,所述第一焊接区(31)为第一覆铜区,所述第二焊接区(32)为第二覆铜区,所述第一覆铜区与所述第二覆铜区通过所述DBC覆铜板上的电气导通孔(36)电连接。4.根据权利要求1所述的双面散热的半导体堆叠封装结构,其特征在于,包括多个所述上层引出管脚(52)和多个所述下层引出管脚(53);不同的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:周刚
申请(专利权)人:杰群电子科技东莞有限公司
类型:新型
国别省市:

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