电子照相感光体以及备有此的图像形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种电子照相感光体（２），其中具备：导电性基体（２０）；光导电层（２２），其形成在所述导电性基体（２０）上并包含非晶硅；表面层（２３），其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层（２２），其表面粗糙度按照１０μｍ×１０μｍ范围中的平均粗糙度Ｒａ为１０ｎｍ以下。表面层（２３）的例如非研磨时的表面粗糙度按照１０μｍ×１０μｍ范围中的平均粗糙度Ｒａ为１０ｎｍ以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在导电性基体上层积至少包含非晶硅的光导电层以及对 表面层进行层积的电子照相感光体以及备有此的图像形成装置。
技术介绍
电子照相方式的复印机或打印机等的图像形成装置，备有用于形成静 电潜像和调色像的电子照相感光体。该电子照相感光体上电位特性(带电 能、感光度、残留电位等)以及图像特性(图像浓度、分辨率、对比度、 灰度性)等电子照相图像的质量及稳定性自不必说，还要求耐久性(耐磨 耗性、耐刷性、耐环境性、和耐药品性等)。为了提高这些特性，而提出 了作为电子照相感光体对层积于导电性基体上的光导电层进一步层积表 面层的技术方案。在该表面层上，以往以来提案了各种材料和层结构，使用非晶硅(以下称为"a — Si")系材料，尤其是使用含有碳(C)的非晶碳化硅以下称 为"a — SiC")的表面层，具有基于优良的电特性、光学特性、图像特性 和高硬度的耐久性的特点受到关注。此外，在将a—SiC表面层和a—Si 系光学导电层组合的电子照相感光体己经被实用化。然而，在将具有a—SiC系表面层的电子照相感光体搭载于图像形成 装置而进行耐刷的情况下，存在经常发生被称作图像流动的图像不良问 题。这种问题特别是在高湿环境下进行耐刷时容易产生。该图像流动，被认为是由于在印刷时的电晕放电而引起从而使得表面 层的吸水性*吸湿性变高的缘故。也就是说，在电晕放电时，生成硝酸离 子或铵(7乂千二々厶)离子等放电生成物而被表面层吸收，由于该放电 生成物在高湿环境下吸收大气中的水分，因此表面层的吸水性变高。另外， 位于表面侧的表面的Si原子因电晕放电而被氧化，其表面的亲水性变高 因此表面层的吸湿性变高。在表面层的吸水性*吸湿性变高的情况下，表面层的电阻降低，形成于表面层上的静电潜像的电荷移动，因此静电潜像 的图案未被维持，从而产生图像流动。作为防止图像流动的方法，提出了种种方法。作为其一例，有使用加 热体(匕一夕)对感光体进行加热从而使吸附于表面层的水分散失的方法。 在该方法中，存在如下问题即正因为使用加热体而使得装置构成复杂化 且制造成本提高，并且由于需要对加热体进行驱动，因此运行成本升高。作为防止图像流动发生的其他方法，具有如下方纟去即使用碳酸钡(^ y々iO等研磨物质对制造后的感光体表面进行研磨，从而将表面粗糙度 设定为规定的范围内(参照专利文献l)。在该方法中，能够回避加热体的 使用，同时由于需要对表面层进行研磨，因此作业性恶化，制造成本变高。作为防止图像流动的其他方法，存在将表面层的碳和硅的原子浓度或 动态压入硬度等设定为规定范围内的方法(例如参照专利文献2)。在该方法中，关于表面层中的碳和硅的原子浓度，表面层的组成式(a —Si^C;:H) 中的x (碳素比率)值被设定为0. 95以上而不足1. 00。另外，表面层的 动态压入硬度从与光导电层之间的界面侧向自由表面侧而渐次变小，以便 通过设于打印机中的清洗手段等而适度地在每次复印处理中对表面进行 研磨。根据该技术，通过在使用的同时使凹凸平坦化，从而将在表面存在 微细的凹凸的使用的初始阶段进入凹凸的放电微生物除去。另外，由于伴 随着磨耗的进行表面层的硬度也缓缓地变大，从而由研磨引起的磨削量变 小，并且由于能够使得难于对表面附加划伤，因此能够长期地保持优良的 电子照相特性。专利文献l:特公平7 — 89231号公报专利文献2:特许第3279926号公报然而，在形成易于经受研磨的表面层的电子照相感光体中，因使用而 会在表面产生划伤、切削条纹(7-)、研磨斑等，由此产生了像质劣化 的问题。另外，由于在成膜后使用研磨装置等对高硬度的a — SiC系的表 面均一地进行研磨，因此引起制造成本的大幅度上升。近年来，图像形成装置在高分辨率化、高速化、低价格化方面进一步 发展，与此相伴，针对电子照相感光体的高图像质量化、高耐久性且低价 格化的要求也进一步增强，在能够以低价制造的高硬度的a — SiC系的电子照相感光体中寻求防止图像流动的策略。本专利技术的课题为提供一种图像形成装置，其不需要成膜后的表面层的 研磨，即便是不使用加热体，在高湿环境下也不产生图像流动，长寿命且 长期可靠性优良，并且价廉。在本专利技术第1侧面中，提供一种电子照相感光体，其特征在于，具备:导电性基体；光导电层，其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅；表面 层，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层，其表面 粗糙度按照10y mX10um范围中的平均粗糙度Ra为10nm以下。关于表面层，其表面粗糙度按照例如10nmX10um范围中的平均粗 糙度Ra为10nm以下。在表面第2侧面中，提供一种电子照相感光体，其特征在于，备有 导电性基体；光导电层，其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅；表面 层，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层，其表面 粗糙度按照测定长度100陶中的十点平均粗糙度Rz为50nm以下。关于表面层，其表面粗糙度按照测定长度100 ym中的十点平均粗糙 度Rz为50nm以下。在本专利技术第3侧面中，提供一种电子照相感光体，其特征在于，备有导电性基体；光导电层，其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅；表面层，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层的表面粗 糙度，将根据场发射型扫描电子显微镜所测定的剖面照片中的所述光导电层和所述表面层间的界面曲线a所算出的测定长度2.5um中的中心线平 均粗糙度设为Ra (a)时，Ra (a)为10nm以下。关于表面层的表面粗糙度，将根据场发射型扫描电子显微镜所测定的 剖面照片中的所述表面层的表面曲线b所算出的测定长度2. 5um中的中 心线平均粗糙度设为Ra (b)时，Ra (b)为10nm以下。在本专利技术第4侧面中，提供一种电子照相感光体，其特征在于，备有: 导电性基体；光导电层，其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅；表面 层，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述光导电层的表面粗 糙度，将根据场发射型扫描电子显微镜所测定的剖面照片中的所述光导电 层和所述表面层间的界面曲线a所算出的测定长度2.5um中的十点平均表面粗糙度设为Rz (a)时，Rz (a)为50nm以下。关于表面层的表面粗糙度，将根据场发射型扫描电子显微镜所测定的 剖面照片中的所述表面层的表面曲线b所算出的测定长度2. 5um中的十 点平均表面粗糙度设为Rz (b)时，Rz (b)为50nm以下。在本专利技术第5侧面中，提供一种电子照相感光体，其特征在于，备有: 导电性基体；光导电层，其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅；表面 层，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述表面层，其非研磨 时的表面粗糙度按照10umX10um范围中的平均粗糙度Ra为10nm以 下。在本专利技术第6侧面中，提供一种电子照相感光体，其特征在于，备有 导电性基体；光导电层，其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅；表面 层，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，关于所述表面层，其非研磨 时的表面粗糙度按照测定长度100 y m中的十点平均粗糙度Rz为50nm以下。在本专利技术第7侧面中，提供一种电子照相感光体，其特征在于，备有 导电性基体；光导电层，其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅；表面 层，其形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光体，其特征在于，　　　　具备：导电性基体；光导电层，其形成在所述导电性基体上并包含非晶硅；表面层，其形成在所述光导电层上并包含非晶硅，　　　　关于所述光导电层，其表面粗糙度按照１０μｍ×１０μｍ范围中的平均粗糙度Ｒａ为１０ｎｍ以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田昭彦，大久保大五郎，川上哲哉，中村隆，笹原正光，长浜大辅，深谷知巳，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]