【技术实现步骤摘要】
MEMS器件的制造方法及MEMS器件
[0001]本专利技术涉及集成电路制作
，特别涉及一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件。
技术介绍
[0002]随着技术的发展，MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)器件，例如麦克风、微型化的惯性传感器、压力传感器、加速度传感器、热偶传感器等，向着更小的尺寸、高质量的电学性能和更低的损耗的方向发展。
[0003]请参考图1，现有的一种MEMS器件的典型结构一般包括衬底100、下极板101、上极板103、支撑围墙102、接触焊盘(contact Pad) 104a和104b以及空腔105，支撑围墙102将上极板103支撑在下极板101和衬底100上，并围出空腔105，接触焊盘104a、104b用来对MEMS器件封装时对外形成电连接，具体地，接触焊盘104a用于将下极板101向外电性引出，接触焊盘104并用于将上极板103向外电性引出，上极板103一般包括多晶硅层（未图示）和覆盖在多晶硅层上的顶介电层（未图示）。其中，当MEM...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一MEMS器件衬底，所述MEMS器件衬底上形成有下极板以及至少对所述下极板部分覆盖的第一绝缘介质层；形成图形化的上极板材料层，所述上极板材料层至少堆叠在所述第一绝缘介质层上并包括依次层叠的导电层和顶介电层，所述上极板材料层包括上极板以及位于所述上极板外围的极板引出部，所述极板引出部的顶介电层中形成有暴露出所述导电层表面的至少一个接触孔，至少一个所述接触孔外围的所述上极板材料层的表面具有环绕所述接触孔的环形阻挡结构，所述环形阻挡结构包括凸起和/或凹槽；形成接触焊盘，所述接触焊盘填充所述接触孔，并延伸到所述环形阻挡结构上，且至少覆盖所述凸起远离所述接触孔一侧的侧壁，或者，至少覆盖所述凹槽靠近所述接触孔一侧的侧壁；对所述第一绝缘介质层进行湿法刻蚀，以在所述上极板和所述下极板之间形成空腔。2.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，形成所述环形阻挡结构的方法包括：刻蚀所述上极板材料层，以形成所述环形阻挡结构所需的至少部分凸起和/或至少部分凹槽；和/或，刻蚀所述上极板材料层下方的相应膜层以形成凸起和/或凹槽，当所述上极板材料层覆盖在所述第一绝缘介质层上后，能随着所述膜层的凸起和/或凹槽的形状，形成所述环形阻挡结构所需的至少部分凸起和/或至少部分凹槽。3.如权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，用于制作所述环形阻挡结构的所述上极板材料层的各膜层以及所述上极板材料层下方的各膜层中，单个膜层中的用于形成所述环形阻挡结构的凸起或者凹槽为环绕所述接触孔一周的闭环结构；或者，所述上极板材料层的各膜层以及所述上极板材料层下方的各膜层中，两层以上膜层中的用于形成所述环形阻挡结构的凸起或者凹槽共同组合成一个环绕所述接触孔一周的闭环结构。4.如权利要求1~3中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述上极板材料层还包括位于所述第一绝缘介质层和所述导电层之间的底介电层。5.如权利要求2或3所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述第一绝缘介质层以形成与所述环形阻挡结构相对应的第一绝缘介质层的凹槽时，所述第一绝缘介质层的凹槽贯穿所述第一绝缘介质层，以使得所述接触孔下方的所述第一绝缘介质层形成为孤岛；或者，所述第一绝缘介质层的凹槽未贯穿所述第一绝缘介质层，以使得所述接触孔下方的所述第一绝缘介质层最终被保留下来并实现所述下极板和所述极板引出部之间的绝缘隔离。6.如权利要求1~3中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，与所述上极板电性连接的所述接触焊盘为从所述上极板一侧伸出的引脚结构，和/或，与所述下极板电性连接的所述接触焊盘为从所述下极板一侧伸出的引脚结构。7.如权利要求1~3中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，在形成所述图形化的上极板材料层的步骤中，还形成释放孔，所述释放孔贯穿所述上极板材料层并暴露出所述第一绝缘介质层；在对所述第一绝缘介质层进行湿法刻蚀以形成所述空腔时，通过所述释放孔刻蚀去除多余的所述第一绝缘介质层。
8.如权利要求1~3中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述MEMS器件衬底具有依次位于所述下极板的下方的第二绝缘介质层和基底；所述制造方法，在形成所述接触焊盘之后...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐希锐，魏丹珠，鲁列微，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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