MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备技术

本发明专利技术公开一种MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备。其中，所述MEMS皮拉尼计包括：基底；绝缘隔热层，所述绝缘隔热层设于所述基底的一表面；以及金属发热体，所述金属发热体设于所述绝缘隔热层背向所述基底的表面。本发明专利技术的技术方案能够克服目前皮拉尼计的总体尺寸大、难以集成且不利于小型化发展的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备


[0001]本专利技术涉及皮拉尼计
，特别涉及一种MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备。

技术介绍

[0002]随着微机电系统(MEMS,Micro-Electro-Mechanical System)的工艺发展，MEMS传感器的也朝着小型化、集成化、高性能趋势发展。由于MEMS传感器尺寸不断减小，对微小颗粒敏感程度不断增加，因此对封装要求不断提高，而高性能传感器对封装更为苛刻，其封装的真空度直接影响传感器的品质因素。
[0003]为了能实时监测MEMS传感器封装后的真空度，需要一种在MEMS传感器封装腔体内监测压强的传感器。其中，皮拉尼计可以利用某些金属或者半导体薄膜电阻值随温度敏感变化，根据不同真空度的散热不同的原理，用待测端之间不同的电压值来标定相应的真空度，实现实时检测。但是目前的皮拉尼计总体尺寸较大，难以集成，当应用于MEMS传感器时不利于其小型化发展。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提供一种MEMS皮拉尼计及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述MEMS皮拉尼计包括：基底；绝缘隔热层，所述绝缘隔热层设于所述基底的一表面；以及金属发热体，所述金属发热体设于所述绝缘隔热层背向所述基底的表面。2.如权利要求1所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述绝缘隔热层设置有至少两层。3.如权利要求1所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述绝缘隔热层的厚度范围为3um-5um。4.如权利要求1所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述金属发热体为金属层，所述金属层的厚度范围为10nm-100nm。5.如权利要求1至4中任一项所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述基底背向所述绝缘隔热层的表面开设有对流孔，所述对流孔贯穿所述基底的另一表面，并对应于所述金属发热体。6.如权利要求5所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述MEMS皮拉尼计还包括截止层，所述截止层设于所述基底与所述绝缘隔热层之间。7.如权利要求6所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述截止层开设有贯穿孔，所述贯穿孔贯穿所述截止层的两表面，并与所述对流孔对应且相连通。8.如权利要求7所述的MEMS皮拉尼计，其特征在于，所述对流孔和所述贯穿孔均为圆形，所述贯穿孔的直径不小于所述对流孔的直径。9.一种MEMS皮拉尼计的制作方法，其特征在于，包括以下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱文瑞，刘兵，方华斌，田峻瑜，王德信，陈岭，孟晗，赵紫雲，
申请(专利权)人：歌尔微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：