一种可以提高亮度的硅基OLED微显示器制备方法和微显示器技术

本发明专利技术属于硅基OLED微显示技术领域，本发明专利技术属于硅基OLED微显示技术领域，具体为一种可以提高亮度的硅基OLED微显示器制备方法和微显示器。本发明专利技术的技术方案克服了Ag电极干湿法刻蚀成功率和效率低下以及在对极小尺度、极高精度、极高密度阳极结构制备的限制的问题。与传统的Al电极相比，光反射率大大提高，硅基OLED微显示产品的亮度可以大幅提升。OLED微显示产品的亮度可以大幅提升。OLED微显示产品的亮度可以大幅提升。

【技术实现步骤摘要】
一种可以提高亮度的硅基OLED微显示器制备方法和微显示器


[0001]本专利技术属于硅基OLED微显示
，具体为一种可以提高亮度的硅基OLED微显示器制备方法和微显示器。

技术介绍

[0002]一般认为微型OLED显示器指的是显示尺寸在1英寸之下，基于硅基CMOS驱动的有机发光器件，像素分辨率高达800
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600以上，硅基OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用，硅基OLED微显示器将迎来爆发式的增长。
[0003]目前，传统的硅基OLED微显示产品主要存在亮度不足的问题，特别是应用AR和投影领域，这一问题愈发显得严重。所以，提高硅基OLED产品的亮度成为本领域技术任意普遍想解决的技术问题。对于硅基OLED器件来说，一般的采用顶发射结构的OLED器件结构，而顶发射OLED的阳极对于制备高效率的OLED至关重要。这主要体现在既要求顶发射器件的阳极具备与OLED有机功能层良好的能级匹配性，又要求其具备高的反射率，常用的作为顶发射OLED的反射金属的材料包括Ag等。而在硅基OLED领域中，Ag阳极极少使用。主要原因有以下几个方面：1）金属Ag并非晶圆厂所常用的金属材料，使用金属Ag需要在晶圆厂进行客制化的工艺定制，晶圆厂通常不愿意配合或者费用极其高昂；2）由于硅基OLED的高的像素分辨率，对于像素阳极制备的精度需要达到0.5um甚至更高，目前面板厂常用的Ag的湿法刻蚀工艺根本达不到这么高的精度要求，而干法刻蚀也存在刻蚀难度大刻蚀速率慢的问题。这就造成目前几乎所有的硅基OLED工厂只能采用晶圆厂或者面板厂自制的Al阳极来解决这一问题，而性能更优的Ag电极的使用几乎无法实现。

技术实现思路

[0004]鉴于
技术介绍
中提出的技术问题，作为本专利技术的一个方面在于提供一种提高亮度的硅基OLED微显示器制备方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种提高亮度的硅基OLED微显示器制备方法，包括以下步骤：S1、提供一硅基板；S2、在硅基板淀积第一像素定义层，所述第一像素定义层包括但不限定于氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；S3、对第一像素定义层进行图案化，并刻蚀，使得第一像素定义层形成倒角，并露出阳极像素区；S4、涂布光刻胶层，并进行图案化；S5、在硅基板上沉积像素阳极层，所述像素阳极层至少包括Ag层以及位于Ag层之上的ITO层；
S6、去除光刻胶层，获得制备像素阳极的硅基板。
[0006]进一步的，所述硅基板带有CMOS驱动电路，所述硅基板具有第一表面和第二表面，所述CMOS驱动电路靠近硅基板的第二表面且远离第一表面，所述第二表面最上方包含与OLED阳极连接的钨阀。
[0007]优选的，所述步骤S2中，所述第一像素定义层采用PECVD的方法生长，所述第一像素定义层的厚度为100-2000 nm。
[0008]进一步的，所述步骤S4中光刻胶图案化包括步骤光刻胶涂布、曝光、显影、光刻胶剥离等步骤。
[0009]优选的，所述步骤S5中像素阳极层中还可以包括一层或者多层的连接层，所述连接层可以为Ti层或者TiN层,所述连接层的厚度为1-10 nm。
[0010]进一步的，所述步骤S6中光刻胶去除的办法可以为干法或者湿法剥离。
[0011]优选的，所述步骤S6完成后，还可以进行步骤S7：在硅基板上淀积第二像素定义层，并对第二像素定义层进行图案化和刻蚀，露出阳极像素区，完成硅基OLED像素阳极的制备。
[0012]进一步的，所述完成像素阳极的硅基板制备后，硅基OLED微显示器的制备还包括以下步骤：OLED蒸镀、薄膜封装、彩膜制备、盖板贴合、基板切割和绑定。
[0013]作为本专利技术的另一个方面，提供了一种采用如上述技术方案中任一方法制备的硅基OLED器件。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的技术效果至少包括以下方面：1、本专利技术提供了一种提高亮度的硅基OLED微显示器制备方法和微显示器件。特别是提供了一种高精度的像素阳极顶电极的制备方法，克服了Ag电极干湿法刻蚀问题，突破了传统湿法lift-off成功率低，以及在对极小尺度、极高精度、极高密度阳极结构制备的限制。与传统光刻胶掩膜方式的干法刻蚀方法相比，刻蚀效率和精度亦大大提高。采用本专利技术的Ag电极和ITO作为顶发射OLED器件阳极，与传统的Al电极相比，光反射率大大提高，可以大幅提升硅基OLED器件的亮度。
[0015]2、本专利技术的技术方案在阳极金属层沉积之前，首先进行第一像素定义层的沉积和刻蚀， 制作具有倒角的第一像素定义层， 再制作光刻胶层和像素阳极层，区别与有机光刻胶层，通过第一像素定义层对于包括Ag层在内的阳极像素层的限制和保护，从而避免了传统的lift-off 工艺中Ag的部分脱落和毛刺现象，保证了像素阳极导电性能的一致性，从而保证硅基OLED微显示产品图像显示的均匀性。此外，第一像素定义层的使用，同时避免了由于光刻胶的塌胶现象的发生造成的在图形区上残留光刻胶和金属的现象，改善硅基显示产品的显示画面质量。
[0016]3、本专利技术的技术方案阳极金属层中Ag电极层上还使用了ITO层，在提高了阳极功函数的同时，还起到了区别一般ITO使用的技术效果。这主要体现在，ITO层形成了对于Ag层的保护，避免了传统的lift-off 工艺中 Ag 容易发生氧化的问题。而在硅基OLED微显示器的应用中，Ag的氧化很明显的将会造成阳极导电性的降低以及阳极反射率的下降。
[0017]4、本专利技术的技术效果还在于第一像素定义层除了上述技术效果外，同时具备定义像素尺寸和避免像素间光学串扰的作用，减少了产品制作工序。
附图说明
[0018]图1、步骤 S1形成的中间产品剖面示意图 ；图2、步骤 S2形成的中间产品剖面示意图 ；图3、步骤 S3形成的中间产品剖面示意图 ；图4、步骤 S4形成的中间产品剖面示意图 ；图5、步骤 S5形成的中间产品剖面示意图 ；图6、步骤 S6形成的中间产品剖面示意图 ；图7、步骤 S7形成的中间产品剖面示意图 ；图中：100-硅基板，200-第一像素定义层，300-光刻胶层，400-像素阳极层，500-第二像素定义层。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可以提高亮度的硅基OLED微显示器制备方法，其特征在于包括以下步骤：S1、提供一硅基板（100）；S2、在硅基板（100）淀积第一像素定义层（200），所述第一像素定义层（200）包括但不限定于氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；S3、对第一像素定义层（200）进行图案化，并刻蚀，使得第一像素定义层（200）形成倒角，并露出阳极像素区；S4、涂布光刻胶层（300），并进行图案化；S5、在硅基板（100）上沉积像素阳极层（400），所述像素阳极层（400）至少包括Ag层以及位于Ag层之上的ITO层；S6、去除光刻胶层（300），获得制备像素阳极的硅基板。2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于：所述硅基板（100）带有CMOS驱动电路，所述硅基板（100）具有第一表面和第二表面，所述CMOS驱动电路靠近硅基板（100）的第二表面且远离第一表面，所述第二表面最上方包含与OLED阳极连接的钨阀。3.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，所述第一像素定义层（200）采用PECVD的方法生长，所述第一像素定义层（200）的厚度为100-2000...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡小若，刘永山，陈世忠，
申请(专利权)人：深圳市芯视佳半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：