【技术实现步骤摘要】
显示基板的制造方法和掩膜板组件
[0001]本公开涉及显示
，特别涉及一种显示基板的制造方法和掩膜板组件。
技术介绍
[0002]在OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)制造过程中，通过在掩模板上设置预定大小的开口，将相关材料蒸镀在掩模板上的开口区域以形成OLED器件。
技术实现思路
[0003]专利技术人通过研究发现，若掩模板上的开口过小，功能层上的阴影区会造成AA区(显示区)边缘处的像素显示异常。若掩模板上的开口过大，则不利于设计窄边框的OLED设备。
[0004]据此，本公开提出一种显示基板的制造方案，在提升AA区显示良率的同时，还能减小OLED设备的边框。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供第一掩膜板，其中所述第一掩膜板的开口大小由显示区的大小和第一最小距离共同确定，所述第一最小距离为在从显示区到非显示区的方向上，所述显示区的边界与功能层的边界之间的距离，所述第一最小距离由从所述显示区延伸至所述非显示区的所述功能层的第一阴影...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制造方法，包括：提供第一掩膜板，其中所述第一掩膜板的开口大小由显示区的大小与第一最小距离共同确定，所述第一最小距离为在从显示区到非显示区的方向上，所述显示区的边界与功能层的边界之间的距离，所述第一最小距离由从所述显示区延伸至所述非显示区的所述功能层的第一阴影宽度确定，所述第一阴影宽度为在预设区域内蒸镀所述功能层的情况下，在所述预设区域内形成的阴影区的宽度最大值；利用所述第一掩膜板形成所述功能层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中：利用公式计算所述第一最小距离，参数a为对位精度，参数b为掩模板位置精度，参数c为所述第一阴影宽度，参数d为所述第一最小距离。3.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：提供第二掩膜板，其中所述第二掩膜板的开口大小由所述显示区的大小、所述第一最小距离和第二最小距离共同确定，所述第二最小距离为在所述方向上所述功能层的边界与像素定义层的边界之间的距离，所述第二最小距离由所述功能层的第二阴影宽度确定，所述像素定义层从所述显示区延伸至所述非显示区，所述第二阴影宽度为在所述预设区域内蒸镀所述功能层的情况下，在所述预设区域外形成的阴影区的宽度最大值；利用所述第二掩膜板形成所述像素定义层。4.根据权利要求3所述的制造方法，其中：利用公式计算所述第二最小距离，参数a为对位精度，参数b为掩模板位置精度，参数e为所述第二阴影宽度，参数f为所述第二最小距离。5.根据权利要求3所述的制造方法，还包括：提供第三掩膜板，其中所述第三掩膜板的开口大小由所述显示区的大小、所述第一最小距离、所述第二最小距离和第三最小距离共同确定，所述第三最小距离为在所述方向上所述像素定义层的边界与阴极层的边界之间的距离，所述第三最小距离由预设的阴极搭接宽度以及所述阴极层的第三阴影宽度确定，所述阴极层从所述显示区延伸至所述非显示区，所述第三阴影宽度为在所述预设区域内蒸镀所述阴极层的情况下，在所述预设区域外形成的阴影区的宽度最小值；利用所述第三掩膜板形成所述阴极层。6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述阴极搭接宽度与所述第三阴影宽度的差值为第一差值，所述第三最小距离与所述第一差值正相关。7.根据权利要求6所述的制造方法，其中：利用公式计算所述第三最小距离，参数a为对位精度，参数b为掩模板位置精度，参数g为所述阴极搭接宽度，参数h为所述第三阴影宽度，参数i为所述第三最小距离。8.根据权利要求5所述的制造方法，还包括：提供第四掩膜板，其中所述第四掩膜板的开口大小由所述显示区的大小、所述第一最
小距离、所述第二最小距离、所述第三最小距离和第四最小距离共同确定，所述第四最小距离为在所述方向上所述阴极层的边界与覆盖层的边界之间的距离，所述第四最小距离由所述阴极层的第四阴影宽度和所述覆盖层的第五阴影宽度确定，所述第四阴影宽度为在所述预设区域内蒸镀所述阴极层的情况下，在所述预设区域外形成的阴影区的宽度最大值，所述覆盖层从所述显示区延伸至所述非显示区，所述第五阴影宽度为在所述预设区域内蒸镀所述覆盖层的情况下，在所述预设区域外形成的阴影区的宽度最小值；利用所述第四掩膜板形成所述覆盖层。9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述第四阴影宽度和所述第五阴影宽度的差值...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋永杰，嵇凤丽，罗昶，吴建鹏，马益，杨晓宇，杜森，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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