光掩模坯料和光掩模及它们的制造方法、光掩模中间体及图案的复制方法技术

本发明专利技术的课题，在于提供能够在搬运及往光刻机上安装等的处理中，防止遮光膜周边部分的剥离、抑制起因于遮光膜的剥离而产生的微粒的光掩模坯料。在本发明专利技术中，通过下列工序制造光掩模坯料：成膜工序，该成膜工序将沿着透光性基板（１）的主表面（１ａ）的周边的外周部分，作为非形成区域（２ａ），在该主表面（１ａ）上，形成遮光膜（２）；涂敷工序，该涂敷工序向包含形成遮光膜（２）的区域的涂敷抗蚀剂膜（３），利用抗蚀剂膜（３）覆盖所述遮光膜（２）的周边；抗蚀剂膜周边除去工序，该抗蚀剂膜周边除去工序除去涂敷的抗蚀剂膜（３）的周边部分（３ａ），从而使所述遮光膜（２）的周边部分（２ｂ）露出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻(lithography)技术中图案的复制中使用的光掩模及其 素材底版——光掩模坯料(photo maskblank)、它们的制造方法和光掩模中 间体及图案的复制方法。
技术介绍
在现有技术的光刻技术中，使用光掩模，进行图案的复制。光掩模是 以光掩模坯料作为素材底版而制造出的。光掩模坯料，在由石英玻璃等构成的透光性基板的主表面上，形成例 如以铬为主要成分的遮光膜而构成。在这种光掩模坯料的制造中，首先精 密研磨石英玻璃等，获得透光性基板(研磨工序)。接着，采用溅射法等， 在获得的透光性基板的主表面上，形成例如以铬为主要成分的遮光膜(成 膜工序)。然后，在光掩模坯料的遮光膜上，涂敷抗蚀剂膜(涂敷工序)，选择性 地将该抗蚀剂膜曝光(曝光工序)，再将曝光后的抗蚀剂膜显影，进行蚀刻 处理，在遮光膜上布图，从而制造出光掩模(蚀刻处理工序)。可是，在光掩模及光掩模坯料的任何一个中，将它在各工序之间搬运 时，透光性基板的外周部及侧面部都要被把持。这时，在成为把持部分 的透光性基板的外周部及侧面部 形成的遮光膜，就有可能因把持而剥落。遮光膜被剥离后，剥离物作为微 粒附着在遮光膜图案上，成为产生遮光膜残留等缺陷的原因。而且，为了 除去这种剥离物，不得不增加光掩模坯料或光掩模的清洗次数。因此，提出了如下方案不在光掩模坯料的外周部分形成遮光膜，减 少把持光掩模坯料时的遮光膜的剥离物(微粒)。就是说，在国际公开 2004/051369号手册(以下称作"专利文献1")中，公开了只在除了光掩模 坯料的周边部分的部分形成遮光膜、将光掩模坯料的周边部分作为未成膜 区域的激光扫描用的光掩模坯料。在该光掩模坯料中，透光性基板的尺寸 为 一边是300mm以上，遮光膜的未成膜区域的宽度成为3mm以上。在 该光掩模坯料中，在处理之际，特别是在把持外周部及侧面部之际，可以 防止产生来自透光性基板的侧面的微粒。在上述专利文献1公开的光掩模坯料中，在防止来自透光性基板的外 周部分及侧面部分的遮光膜的剥离、防止产生微粒上，可以看到一定的效 果。可是在该光掩模坯料的遮光膜的成膜工序中，例如采用溅射法成膜时， 为了形成未成膜区域，使用溅射掩模进行屏蔽。这时，在成膜区域和未成 膜区域的交界附近，从溅射掩模的间隙跑出来的溅射原料，附着在透光性 基板上，形成膜厚小于遮光膜的设定膜厚而且膜厚不匀的膜。这种膜，往 往成为膜厚沿着透光性基板的周边侧逐渐减少的状态。这种膜，由于膜厚不匀所以容易剥离。具体地说，这种膜在光掩模坯 料的搬运及往光刻机(aligner,曝光机)上安装以及其它许多场合中，不可 避免地要剥离，作为微粒附着在光掩模上。因此，在该光掩模坯料中，不可避免地要产生遮光膜残留等，妨碍曝 光。另外，为了除去这种剥离物，例如不得不增加薄膜(pellicle)形成前 的清洗次数。
技术实现思路
因此，本专利技术就是针对上述情况研制的，其目的在于提供能够在搬运 及往光刻机上安装等的处理中，防止遮光膜周边部分的剥离、抑制起因于 遮光膜的剥离而产生的微粒的光掩模坯料及这种光掩模坯料的制造方法。另外，本专利技术的其它目的，在于提供使用这种光掩模坯料后，能够在 搬运及往光刻机上安装等的处理中，防止遮光膜周边部分的剥离、抑制起 因于遮光膜的剥离而产生的微粒、提高生产效率的光掩模中间体及光掩模 和这种光掩模的制造方法。本专利技术的另一个目的，在于能够在光掩模的制造中，提高曝光工序的成品率，减少光掩模制造工序中的清洗(薄膜形成前的清洗)次数，提高 生产效率。本专利技术的又一个目的，在于提供使用这种光掩模的图案的复制方法。 为了解决上述课题、达到所述目的，本专利技术涉及的光掩模坯料，具有 以下结构中的某一个。 其特征在于在光掩模坯料(该光掩模坯料是在透光性基板的主表面 上，形成遮光膜，然后在该遮光膜上形成抗蚀剂膜后制造的)中，形成遮 光膜的区域，大于形成抗蚀剂膜的区域，遮光膜的周边部分，从抗蚀剂膜 的周边向外侧露出。在具有构成l的本专利技术涉及的光掩模坯料中，因为形成遮光膜的区域， 大于形成抗蚀剂膜的区域，遮光膜的周边部分，从抗蚀剂膜的周边向外侧 露出，所以在后道工序中，遮光膜的周边部分被除去。遮光膜的周边部分 被除去后，能够防止遮光膜周边部分的剥离，抑制起因于遮光膜的剥离而 产生的微粒。此外，在本专利技术中，在"在透光性基板的主表面上，形成遮光膜"及 "在遮光膜上形成抗蚀剂膜"等的表述中，"在……上"，既可以是直接， 也可以是介有其它的膜的间接。在一点，在以下的各构成中也同样。 其特征在于在光掩模坯料(该光掩模坯料是在透光性基板的主表面 上，形成遮光膜，然后在该遮光膜上覆盖该遮光膜地形成抗蚀剂膜后制造 的)中，抗蚀剂膜覆盖遮光膜的周边部分的区域，被曝光。在具有构成2的本专利技术涉及的光掩模坯料中，因为抗蚀剂膜(正抗蚀 剂)覆盖遮光膜的周边部分的区域被曝光，所以在后道工序中，抗蚀剂膜 的覆盖遮光膜的周边部分的区域被显影后除去。进而，在后道工序中，遮 光膜的周边部分被除去。遮光膜的周边部分被除去后，能够防止遮光膜周 边部分的剥离，抑制起因于遮光膜的剥离而产生的微粒。本专利技术涉及的光掩模坯料的制造方法，具有以下结构中的某一个。其特征在于在具有在透光性基板的主表面上形成遮光膜的成膜工序和在遮光膜上涂敷抗蚀剂膜的涂敷工序的光掩模坯料的制造方法中，在成 膜工序中，将沿着透光性基板的主表面的周边的外周部分作为遮光膜的非形成区域；在涂敷工序中，向包含形成遮光膜的区域的区域涂敷抗蚀剂膜， 利用抗蚀剂膜覆盖遮光膜的周边；在涂敷工序后，具有抗蚀剂膜周边除去 工序，该抗蚀剂膜周边除去工序除去涂敷的抗蚀剂膜的周边部分，从而使 遮光膜的周边露出。在具有构成3的本专利技术涉及的光掩模坯料的制造方法中，因为在涂敷 抗蚀剂膜的涂敷工序后，除去涂敷的抗蚀剂膜的周边部分，从而使遮光膜 的周边露出，所以在后道工序中，遮光膜的周边部分被除去。遮光膜的周 边部分被除去后，能够防止遮光膜周边部分的剥离，抑制起因于遮光膜的 剥离而产生的微粒。其特征在于在具有构成3的光掩模坯料的制造方法中，抗蚀剂膜周 边除去工序，由从透光性基板的背面侧曝光，从而可以将遮光膜作为光掩 模，利用使抗蚀剂膜的周边部分感光的后道工序中的显影除去的工序，和 利用显影除去抗蚀剂膜的周边部分的后道工序构成。在具有构成4的本专利技术涉及的光掩模坯料的制造方法中，因为从透光 性基板的背表侧曝光，从而可以将遮光膜作为光掩模，利用使抗蚀剂膜的 周边部分感光的后道工序中的显影除去，再利用显影除去抗蚀剂膜的周边 部分，所以进而在后道工序中，遮光膜的周边部分被除去。遮光膜的周边 部分被除去后，能够防止遮光膜周边部分的剥离，抑制起因于遮光膜的剥 离而产生的微粒。其特征在于在具有在透光性基板的主表面上形成遮光膜的成膜工序 和在遮光膜上涂敷抗蚀剂膜的涂敷工序的光掩模坯料的制造方法中，在涂 敷工序中，向包含形成遮光膜的区域的区域涂敷抗蚀剂膜，利用抗蚀剂膜 覆盖遮光膜的周边；在涂敷工序后，具有抗蚀剂膜周边除去工序，该抗蚀 剂膜周边除去工序除去涂敷的抗蚀剂膜的周边部分，从而使遮光膜的周边 露出。在具有构成5的本专利技术涉及的光掩模坯料的制造方法中，因为在涂敷抗蚀剂膜的涂敷工序后，除去涂敷的抗蚀剂膜的周边本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩模坯料，在透光性基板的主表面上形成遮光膜并在该遮光膜上形成抗蚀剂膜的光掩模坯料，其特征在于：　　　　形成所述遮光膜的区域大于形成所述抗蚀剂膜的区域，所述遮光膜的周边部分，从所述抗蚀剂膜的周边向外侧露出。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：井村和久，中西胜彦，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]