纳米压印设备及方法技术

技术编号:2743690 阅读:226 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种与微米或纳米级的光刻结构相关联的设备及方法。根据本发明专利技术实施例的纳米压印设备包括用于将微米或纳米尺寸的图案转印到待图案化的基板上的两个可转动安装辊。第一可转动安装辊具有图案化圆周表面,用于通过使该图案化圆周表面与可变形基板相接触而将图案从第一可转动安装辊转印到该基板上。第二可转动安装辊具有与第一可转动安装辊的图案化表面面对的基本平滑的圆周表面。另外,第二可转动安装辊与第一可转动安装辊可转动地结合,以便第一和第二辊同步转动。基板可在第一和第二辊之间移动,使得当这些辊相对于彼此转动时,第一可转动安装辊的图案化表面与基板接触,从而该图案从图案化表面转印到基板上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及光刻技术,更具体地说,涉及一种与微米或纳 米级的光刻结构相关联的设备及方法。特别地,本专利技术涉及在大面 积基纟反或物体上的纳米压印光刻。
技术介绍
微电子技术的趋势是朝向更小尺寸的方向发展。虽然现在商业 部件在尺寸上以小于一孩史米的结构制造,但是存在着对尺寸进一步降低到<100 nm的需要。对于纳米部件的研究已经引发了对用于尺 寸〈10nm的部4牛的商业应用制造4支术的需求。用于孩i:米或纳米结构的最引人关注的^支术中的一些包括不同 类型的光刻技术。用于再造纳米结构(即,100nm或更小等级的结 构)的最具前途的技术中的一种是纳米压印光刻(NIL)技术。例 如美国专利No. 5,772,905中所描述的纳米压印光刻(NIL)技术已 7>开了用于大量生产4妄近原子级别的结构的基本先决条件,例如参7fec/mo/. & Ko/. 75, iVo. 6, (7997,在该主题上已提出了多个研究报 告,但是迄今为止,NIL技术仍然被限制于在小的总面积(通常仅 几个平方厘米)部4牛上的纳米压印,例3口参见^ep/ze" K C7zow,尸e&r本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米压印设备(1),包括:    第一可转动安装辊(10),具有图案化圆周表面(11),用于通过使所述图案化表面(11)与可变形基板(20)相接触而将图案从所述第一可转动安装辊(10)转印到所述基板(20)上;    第二可转动安装辊(30),具有与所述第一可转动安装辊(10)的所述图案化表面(11)面对的基本平滑的圆周表面(31),所述第二可转动安装辊(30)与所述第一可转动安装辊(10)可转动地结合,以便所述辊(10、30)同步转动;其中,    所述基板(20)可在所述辊(10、30)之间移动,使得当所述辊(10、30)相对于彼此转动时,所述第一可转动安装辊(10)的所述图案化表面(...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:巴巴克海达里
申请(专利权)人:奥贝达克特公司
类型:发明
国别省市:SE[瑞典]

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