【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及光刻技术,更具体地说,涉及一种与微米或纳 米级的光刻结构相关联的设备及方法。特别地,本专利技术涉及在大面 积基纟反或物体上的纳米压印光刻。
技术介绍
微电子技术的趋势是朝向更小尺寸的方向发展。虽然现在商业 部件在尺寸上以小于一孩史米的结构制造,但是存在着对尺寸进一步降低到<100 nm的需要。对于纳米部件的研究已经引发了对用于尺 寸〈10nm的部4牛的商业应用制造4支术的需求。用于孩i:米或纳米结构的最引人关注的^支术中的一些包括不同 类型的光刻技术。用于再造纳米结构(即,100nm或更小等级的结 构)的最具前途的技术中的一种是纳米压印光刻(NIL)技术。例 如美国专利No. 5,772,905中所描述的纳米压印光刻(NIL)技术已 7>开了用于大量生产4妄近原子级别的结构的基本先决条件,例如参7fec/mo/. & Ko/. 75, iVo. 6, (7997,在该主题上已提出了多个研究报 告,但是迄今为止,NIL技术仍然被限制于在小的总面积(通常仅 几个平方厘米)部4牛上的纳米压印,例3口参见^ep/ze" K C7zo ...
【技术保护点】
一种纳米压印设备(1),包括: 第一可转动安装辊(10),具有图案化圆周表面(11),用于通过使所述图案化表面(11)与可变形基板(20)相接触而将图案从所述第一可转动安装辊(10)转印到所述基板(20)上; 第二可转动安装辊(30),具有与所述第一可转动安装辊(10)的所述图案化表面(11)面对的基本平滑的圆周表面(31),所述第二可转动安装辊(30)与所述第一可转动安装辊(10)可转动地结合,以便所述辊(10、30)同步转动;其中, 所述基板(20)可在所述辊(10、30)之间移动,使得当所述辊(10、30)相对于彼此转动时,所述第一可转动安装辊(10 ...
【技术特征摘要】
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