【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺中一种清洗剂，具体的涉及一种光刻胶清洗液剂。
技术介绍
在通常的半导体制造工艺中，通过在二氧化硅、铜等金属以及低k材料等 表面上形成光刻胶的掩模，曝光后利用湿法或干法刻蚀进行图形转移。低温快 速的清洗工艺是半导体晶片制造工艺发展的重要方向。在对半导体晶片上的光 刻胶进行化学清洗的过程中，清洗剂常会对晶片基材造成严重的腐蚀，尤其是 金属基材的腐蚀，这往往导致晶片良率的显著降低。现有技术已公开的光刻胶 清洗剂或多或少地均存在清洗效果不佳或晶片基材腐蚀的问题。专利文献WO03104901公开了一种碱性清洗剂，其含有四甲基氢氧化铵 (TMAH)、环丁砜(SFL)、水和反-l，2-环己烷二胺四乙酸(CyDTA)。其使用 方法为，将晶片浸入该清洗剂中，在50 70。C下浸没20 30min，以除去金属和 电介质基材上的光刻胶。该光刻胶清洗液对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不 能完全去除半导体晶片的光刻胶，清洗能力不足。专利文献WO04059700公开了一种碱性清洗剂，其含有四甲基氢氧化铵 (TMAH)、 N-甲基吗啡啉-N-氧化物(MO)、水和2-...
【技术保护点】
一种低蚀刻性光刻胶清洗剂，其特征在于含有：苯甲醇和／或其衍生物、季铵氢氧化物和二甲基亚砜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：史永涛，彭洪修，刘兵，曾浩，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]
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