【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光刻工艺，尤其涉及在光刻工艺中对曝光机台的聚焦评 估的方法。
技术介绍
在半导体器件集成化的要求越来越高的情况下，整个半导体器件大小的 设计也被迫往尺寸不停缩小的方向前进。而半导体工艺中的微影技术更是大 大影响元件尺寸的精密度。因为无论是蚀刻、掺杂工艺都需通过微影工艺来达成，而在整个半导体工业的器件集成度，是否能继续的往0.15微米以下更小 的线宽推进，也决定于微影工艺技术的发展。在半导体集成电路的制造过程中，微影成像工艺无疑地居于极重要的地 位，人们借助此制作工艺可将设计的图案精确地定义在光刻胶层上，然后利 用蚀刻程序将光阻层的图案转移到半导体晶圓上面制得所需的线路构造。一 般而言，微影成像工艺主要包括涂底、光刻胶涂布、曝光及显影等多个步骤。 其中，在曝光工艺中，由于半导体器件的临界尺寸越来越小，器件之间的距 离也日益缩短，而对曝光机台的要求也越来越高，曝光机台的聚焦能力的好 坏直接影响半导体器件的质量。现有光刻工艺中形成光刻胶图案的方法请参考专利号为01140031的中国 专利中公开的技术方案。如图1A所示，首先提供晶圆200,在晶圆20...
【技术保护点】
一种聚焦评估的方法，其特征在于，包括下列步骤： 制作包含第一器件图形和第二器件图形的控片； 依次测量控片上同一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形临界尺寸差值； 在与控片同一批次的晶圆上形成第一器件图形和第二器件图形； 测量晶圆上任意曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸； 将晶圆上任意曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸进行相减； 将晶圆上任意曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值与控片上对应曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值比较。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郁志芳，余云初，张轲，王跃刚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。