一种陶瓷金属溅射成膜工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷金属溅射成膜工艺，其包括以下步骤，根据陶瓷金属溅射成膜工艺的基础种类，工艺基础加工，包括陶瓷本体、金属膜本体、电镀镍层和其他的添加剂等进行整体工艺加工而成，本发明专利技术，其将陶瓷本体进行磨加工改进采用超声波加工，先将陶瓷本体的外表面进行溅射覆盖加工，而且对于后续与烧银加工简单易操作，可以使烧银后的陶瓷本体更加均匀化、可抑制高温烧结后银层表面气泡，使银层表面光滑平整，而不会存在拉力不良，银层烫伤，表面不光亮等问题，烧结出来的陶瓷本体的相比于普通的陶瓷更加的稳定，质量更好，可以很好地填充排气孔，并且分布均匀连续，陶瓷本体本身致密度高且封接后的气密性高。高且封接后的气密性高。高且封接后的气密性高。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷金属溅射成膜工艺


[0001]本专利技术涉及金属溅射成膜
，具体是一种陶瓷金属溅射成膜工艺。

技术介绍

[0002]陶瓷基板金属化中包括真空蒸发、真空溅射、离子镀等气相沉积金属化的方法在近几年来被越来越广泛的应用大的心工艺。溅射工艺分为二级溅射、四级溅射及高级溅射等，其中以直流二姐溅射为最简单，也是溅射工艺的基板形式。首先将真空容器至高真空，在充以一定压强的氩气，然后在距陶瓷支持级(处于接地电位)有一定距离的阴极溅射靶上加以直流负高压(1～7kv)，于是引起辉电放电。放电气体正负离子向负高压的靶轰击，艰涩出的金属沉积到陶瓷上，形成金属化膜。通常溅射沉积的第一层金属为钼、钨、铌、钒等，然后在溅射一层金、银、钯、铂或铜之类的易被焊料润湿的金属层。自然也可以在第一溅射层上电镀镍或者铜层。先将系统抽真空至6.7乘以10―GPa，关闭扩散泵阀门，让纯氩气经阀门充入系统直至压力为(1～4乘以10―1Pa.钨阴极被加热，将约8～10cm直径的圆柱内，维持15～20min，以形成氩气放电。5乘以10―3T磁场使等离子区限制在月8～10cm直径的圆柱内，维持15～20min，以形成等离子”擦洗“陶瓷表面，并有预热作用。溅射靶加以负高压。在有档板时溅射5min，然后移去挡板，让靶金属直接溅射到陶瓷上去直到所需的厚度。也有采用高频电离氩气由离子轰击工件表面的，这时靶负高压要求低一些，一般在1～3kv，溅射时间是3～5min。对溅射到陶瓷件上的第一层金属层要求真空气密，接着溅射的第二层金属要溶于第一层金属，且容易为焊料所润湿，第一层可以非常薄，但是第二层需要足够厚(1um)，以防止焊料对第二层的溶解。但是，寻常的溅射金属镀膜的方法，在操作不当的情况下回在表面参生很多小气泡，从而导致溅射质量低下导致不良品很多。因此，本专利技术提供了一种陶瓷金属溅射成膜工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种陶瓷金属溅射成膜工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]一种陶瓷金属溅射成膜工艺，其包括以下步骤：
[0006]步骤S1：根据陶瓷金属溅射成膜工艺的基础种类，工艺基础加工，包括陶瓷本体、金属膜本体、电镀镍层和其他的添加剂等进行整体工艺加工而成；
[0007]步骤S2：预处理，首先将陶瓷本体进行整体清洁；
[0008]步骤S3：涂覆银层，将光滑、洁净的陶瓷本体，放入溅射机中，而溅射机中添加的金属原料为导电银浆；
[0009]步骤S4：烘银，将溅射机溅射加工后的陶瓷本体放置在烘银炉内部进行加工；
[0010]步骤S5：烧银，将烘银后的陶瓷本体再重新进行煅烧；
[0011]步骤S6：电镀镍层；
[0012]步骤S7：冷却；
[0013]作为本专利技术进一步的方案，步骤S2具体为：
[0014]烧结后的陶瓷本体进行磨抛，然后进行超声清洗，以去除表面残余的研磨剂和污渍，将清洗后的陶瓷本体烘干，干燥温度150～300℃，得到光滑、洁净的陶瓷本体；
[0015]作为本专利技术进一步的方案，步骤S3具体为：
[0016]通过溅射机将导电银浆均匀溅射涂覆在瓷件表面，根据预定的银膜厚度选择合适的刮刀在陶瓷本体表面刮刷导电银浆，使导电银浆均匀涂布在瓷件表面，从而达成溅射金属层；
[0017]作为本专利技术进一步的方案，步骤S4具体为：
[0018]将涂覆银浆的瓷件在烘银炉内进行烘干，烘银温度为120℃左右最为合适，烘银炉的作用是为了使产品在放进高温烧结前能够将银浆内部的其他一些成分挥发出来，使银浆内部小孔能够自然复合，可抑制高温烧结后银层表面气泡，使银层表面光滑平整；
[0019]作为本专利技术进一步的方案，步骤S5具体为：
[0020]将烘银后的瓷件送入烧银炉中进行烧银，在陶瓷本体表面形成金属膜本体，峰值温度为750～850℃，烧银过程中玻璃粉、乙基纤维素熔化，使金属膜本体更均匀附着在陶瓷本体上，烧结炉的作用是使银浆能够完全的固化，烧结工艺参数数值需要进行温度处理，不然可能会影响银层的稳定性，而不会存在拉力不良，银层烫伤，表面不光亮等问题；
[0021]作为本专利技术进一步的方案，步骤S6具体为：经过金属膜本体2表面电镀镍，达到电镀镍层，可防止银层氧化，起到保护银层的作用；
[0022]作为本专利技术进一步的方案，步骤S7具体为：
[0023]将加工后的陶瓷本体1静置1～2小时，到陶瓷本体完全冷却后方可进行存放或进行后续的加工。
[0024]作为本专利技术进一步的方案，其采用上诉制备方法制得，该陶瓷金属膜的平均强度超过330Mpa。
[0025]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0026]本专利技术，其将陶瓷本体进行磨加工改进采用超声波加工，先将陶瓷本体的外表面进行溅射覆盖加工，然后通过烘银炉将金属膜本体进行整体烘干制成金属膜，对于原材料的控制和操作更加简单，而且对于后续与烧银加工简单易操作，可以使烧银后的陶瓷本体更加均匀化、可抑制高温烧结后银层表面气泡，使银层表面光滑平整，而不会存在拉力不良，银层烫伤，表面不光亮等问题，烧结出来的陶瓷本体的相比于普通的陶瓷更加的稳定，质量更好，可以很好地填充排气孔，并且分布均匀连续，陶瓷本体本身致密度高且封接后的气密性高。
附图说明
[0027]图1为一种陶瓷金属溅射成膜工艺的结构示意图。
[0028]图2为一种陶瓷金属溅射成膜工艺中加工的步骤结构示意图。
[0029]图中：1、陶瓷本体；2、金属膜本体；3、电镀镍层。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]请参阅图1～2，本专利技术实施例中，一种陶瓷金属溅射成膜工艺，其包括以下步骤：
[0032]步骤S1：根据陶瓷金属溅射成膜工艺的基础种类，工艺基础加工，包括陶瓷本体1、金属膜本体2、电镀镍层3和其他的添加剂等进行整体工艺加工而成；
[0033]步骤S2：预处理，首先将陶瓷本体1进行整体清洁，具体时，将烧结后的陶瓷本体1进行磨抛，然后进行超声清洗，以去除表面残余的研磨剂和污渍，将清洗后的陶瓷本体1烘干，干燥温度150～300℃，得到光滑、洁净的陶瓷本体1；
[0034]步骤S3：涂覆银层，将光滑、洁净的陶瓷本体1，放入溅射机中，而溅射机中添加的金属原料为导电银浆，具体时，通过溅射机将导电银浆均匀溅射涂覆在瓷件表面，根据预定的银膜厚度选择合适的刮刀在陶瓷本体1表面刮刷导电银浆，使导电银浆均匀涂布在瓷件表面，从而达成溅射金属层；
[0035]步骤S4：烘银，将溅射机溅射加工后的陶瓷本体1放置在烘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷金属溅射成膜工艺，其特征在于：其包括以下步骤：步骤S1：根据陶瓷金属溅射成膜工艺的基础种类，工艺基础加工，包括陶瓷本体、金属膜本体、电镀镍层和其他的添加剂等进行整体工艺加工而成；步骤S2：预处理，首先将陶瓷本体进行整体清洁，具体时，将烧结后的陶瓷本体进行磨抛，然后进行超声清洗，以去除表面残余的研磨剂和污渍，将清洗后的陶瓷本体烘干，干燥温度150～300℃，得到光滑、洁净的陶瓷本体；步骤S3：涂覆银层，将光滑、洁净的陶瓷本体，放入溅射机中，而溅射机中添加的金属原料为导电银浆，具体时，通过溅射机将导电银浆均匀溅射涂覆在瓷件表面，根据预定的银膜厚度选择合适的刮刀在陶瓷本体表面刮刷导电银浆，使导电银浆均匀涂布在瓷件表面，从而达成溅射金属层；步骤S4：烘银，将溅射机溅射加工后的陶瓷本体放置在烘银炉内部进行加工，具体是，将涂覆银浆的瓷件在烘银炉内进行烘干，烘银温度为120℃左右最为合适，烘银炉的作用是为了使产品在放进高温烧结...

【专利技术属性】
技术研发人员：康丁华，
申请(专利权)人：娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：