本发明专利技术的课题在于提供一种蚀刻速率优异，并能够提高生产率的精细结构体的制造方法以及精细结构体的制造装置。本发明专利技术的精细结构体的制造方法是通过进行蚀刻的精细结构体的制造方法，其特征在于，使用IAD(离子辅助沉积)装置(1)，将反应性气体导入该IAD装置(1)的腔室(2)内的等离子体源(7)并进行蚀刻。(2)内的等离子体源(7)并进行蚀刻。(2)内的等离子体源(7)并进行蚀刻。
【技术实现步骤摘要】
精细结构体的制造方法以及精细结构体的制造装置
[0001]本专利技术涉及精细结构体的制造方法以及精细结构体的制造装置，特别是，涉及蚀刻速率优异，并能够提高生产率的精细结构体的制造方法等。
技术介绍
[0002]以往，在蚀刻装置中安装有等离子体产生源，为了扩大处理面积，需要增大产生等离子体所需的匹配盒、线圈。然而，实际上，无法增大匹配盒等，处理面积为8英寸左右，很难提高生产率。
[0003]具体而言，在专利文献1所记载的装置中，为了使靶大型化需要增大作为等离子体源的电极，因此，为了应对晶圆的大型化，除了腔室以外，还需要等离子体源的大型化、多个化。然而，为了等离子体源的大型化、多个化，需要使产生等离子体所需的匹配盒大型化。
[0004]另外，以往的蚀刻装置由于仅具有蚀刻功能，所以在需要成膜的情况下需要另外准备成膜装置，在这一点也导致生产率的降低。
[0005]另一方面，在利用IAD(离子辅助沉积)法的蒸镀装置中，由于通常仅使用氩(Ar)或者氧(O2)，所以在使用这样的氩(Ar)或者氧(O2)气体进行蚀刻的情况，蚀刻速率非常小，而无法进行蚀刻加工。
[0006]专利文献1：日本特开2000－226649号公报
技术实现思路
[0007]本专利技术是鉴于上述问题/状况而完成的，其解决课题在于提供一种无需等离子体源的大型化、多个化，另外，蚀刻速率优异，并能够提高生产率的精细结构体的制造方法以及精细结构体的制造装置。
[0008]本专利技术人在为了解决上述课题，对上述问题的原因等进行研究的过程中，发现通过将反应性气体导入IAD装置的腔室内的等离子体源并进行蚀刻，能够提供一种蚀刻速率优异，并能够提高生产率的精细结构体的制造方法等，而完成了本专利技术。
[0009]即，本专利技术的上述课题通过以下的方法来解决。
[0010]1.一种精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0011]是通过进行蚀刻的精细结构体的制造方法，
[0012]使用IAD(离子辅助沉积)装置，将反应性气体导入该IAD装置的腔室内的等离子体源并进行蚀刻。
[0013]2.根据第1项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0014]作为上述反应性气体，导入含有氟利昂系气体或者氟化氢气体的气体。
[0015]3.根据第1项或者第2项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0016]在上述IAD装置中，设置使源自上述反应性气体的有害气体无害化的单元。
[0017]4.根据第3项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0018]作为进行上述无害化的单元，用使上述有害气体无害化的材料或者聚四氟乙烯
(注册商标)覆盖上述腔室的内壁以及配置于该腔室内的部件的表面积中的10％以上。
[0019]5.根据第3项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0020]作为进行上述无害化的单元，在上述腔室内，设置中和上述有害气体的中和材料。
[0021]6.根据第3项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0022]作为进行上述无害化的单元，在上述腔室的内壁以及配置于该腔室内的部件上，通过涂覆或者蒸镀成膜中和上述有害气体的中和材料。
[0023]7.根据第6项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0024]在将上述腔室向大气开放之前，在该腔室的内壁以及配置于腔室内的部件上，通过蒸镀成膜上述中和材料。
[0025]8.根据第6项或第7项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0026]成膜后的上述中和材料能够剥离，
[0027]包含剥离附着于上述精细结构体的上述中和材料的工序。
[0028]9.根据第1项～第8项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0029]设置能够检测上述腔室内的氟化氢气体或者氟利昂系气体的检测器，
[0030]在上述腔室释放之前，通过上述检测器检测上述氟化氢气体或者上述氟利昂系气体的浓度，并在上述腔室内的上述氟化氢气体或者上述氟利昂系气体的浓度成为规定的基准值以下之后，打开上述腔室的门。
[0031]10.根据第1项～第9项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0032]在上述IAD装置中，在与上述腔室相同的腔室内设置由电子束或者电阻加热构成的成膜源，
[0033]在该IAD装置中，具有使用上述成膜源成膜的工序、以及使用上述等离子体源进行上述蚀刻的工序。
[0034]11.根据第1项～第10项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0035]上述精细结构体具有2层以上的多层膜，
[0036]使上述多层膜中的至少1层含有二氧化硅。
[0037]12.根据第1项～第11项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0038]在上述蚀刻时，调整从上述IAD装置的等离子体源的栅格到被蚀刻层的距离、或者上述IAD装置的加速电压以及加压电流、或者蚀刻气体导入量、或者真空度、或者氩气的导入量，以使金属掩模与被蚀刻层的选择比(被蚀刻层的蚀刻速率/金属掩模的蚀刻速率)成为2倍以上。
[0039]13.根据第1项～第12项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0040]在上述蚀刻时，将从上述IAD装置的等离子体源的栅格到被蚀刻层的距离设为40cm以上。
[0041]14.根据第1项～第13项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0042]将上述蚀刻时的上述IAD装置的设定值设为加速电压为300～1200V的范围内、并且加速电流为300～1200mA的范围内。
[0043]15.根据第1项～第14项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0044]在上述腔室的体积为2700L时，将上述蚀刻时的上述腔室内的氟利昂系气体或者氟化氢气体的导入量设为20sccm以上。
[0045]16.根据第1项～第15项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0046]在上述腔室的体积为2700L时，将上述蚀刻时的真空度设为5.0
×
10
－3
～5.0
×
10
－1
Pa的范围内。
[0047]17.根据第1项～第16项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0048]在上述腔室的体积为2700L时，将上述蚀刻时的上述腔室内的氩气的导入量设为20sccm以下。
[0049]18.根据第1项～第17项中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，
[0050]在上述腔室的气体排气机构中，腔室内的气体排气量以250L/min以下进行排气，直到腔室内的压力成为3.0
×
104Pa。
[0051]19.一种精细结构体的制造装置，是在第1项～第18项本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种精细结构体的制造方法，是通过进行蚀刻的精细结构体的制造方法，其特征在于，使用IAD(离子辅助沉积)装置，将反应性气体导入该IAD装置的腔室内的等离子体源并进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，作为上述反应性气体，导入含有氟利昂系气体或者氟化氢气体的气体。3.根据权利要求1或2所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，在上述IAD装置中，设置使源自上述反应性气体的有害气体无害化的单元。4.根据权利要求3所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，作为进行上述无害化的单元，用使上述有害气体无害化的材料或者聚四氟乙烯(注册商标)覆盖上述腔室的内壁以及配置于该腔室内的部件的表面积中的10％以上。5.根据权利要求3所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，作为进行上述无害化的单元，在上述腔室内，设置中和上述有害气体的中和材料。6.根据权利要求3所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，作为进行上述无害化的单元，在上述腔室的内壁以及配置于该腔室内的部件上，通过涂覆或者蒸镀成膜中和上述有害气体的中和材料。7.根据权利要求6所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，在将上述腔室向大气开放之前，在该腔室的内壁以及配置于腔室内的部件上，通过蒸镀成膜上述中和材料。8.根据权利要求6或7所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，成膜后的上述中和材料能够剥离，包含剥离附着于上述精细结构体的上述中和材料的工序。9.根据权利要求1～8中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，设置能够检测上述腔室内的氟化氢气体或者氟利昂系气体的检测器，在上述腔室释放之前，通过上述检测器检测上述氟化氢气体或者上述氟利昂系气体的浓度，并在上述腔室内的上述氟化氢气体或者上述氟利昂系气体的浓度成为规定的基准值以下之后，打开上述腔室的门。10.根据权利要求1～9中任一项所述的精细结构体的制造方法，其特征在于，在上述IAD装置中，在与上述腔室相同的腔室内设置由电子束或者电阻加热构成的成膜源，在该IAD装置中，具有使用上述成膜源成膜的工序、以及使用上述等离子体源进行上述蚀刻的工序。11.根据权利要求1～10中任一项所述的精细结...
【专利技术属性】
技术研发人员：水町靖，多田一成，粕谷仁一，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：
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