一种吸气薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种吸气薄膜，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；所述打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。本发明专利技术还公开了吸气薄膜的制备方法和应用。其中，吸气薄膜的制备方法包括如下步骤：对基材利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗；将清洗后的基材放置于烤箱中进行烘烤；再对基材进行辉光清洗；然后在基材上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。该吸气薄膜设置于真空腔体基材上，可以赋予腔体较好的吸气能力，能够吸收腔体内的废气，维持良好的真空度，改善基材的服役环境，减轻腐蚀以及氧化情况，提高基材使用寿命。用寿命。用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种吸气薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及吸气材料
，具体涉及基于磁控溅射技术的一种吸气薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着社会快速发展，人们越来越离不开电子信息产品，比如智能手机、计算机、服务器等等。随着大数据时代的到来，服务器扮演着至关重要的角色。众所周知，芯片处理器是服务器的心脏，那么散热系统就是其血液循环系统。服务器的服役周期较长，通常要求10～15年，所以相关零部件服役时间要求亦较高，尤其是其中的真空腔体基材，包括热管、水冷板、均温板等。热管、水冷板、均温板长时间受到热腐蚀以及氧化作用，同时液体与热管、水冷板、均温板会发生电化学反应，释放气体，真空腔体的真空度会下降，从而导致散热能力下降，进而影响产品的性能。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种吸气薄膜及其制备方法和应用。该吸气薄膜设置于真空腔体基材(热管、水冷板或均温板)上，可以赋予腔体较好的吸气能力，能够吸收腔体内的废气，维持良好的真空度，改善基材的服役环境，减轻腐蚀以及氧化情况，提高基材使用寿命。
[0004]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：
[0005]一种吸气薄膜，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；所述打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。
[0006]进一步的，所述基材为热管、水冷板或均温板。
[0007]进一步的，打底层中的Cr的纯度为99.95％以上，吸气层中的Pd的纯度为99.95％以上。
[0008]进一步的，所述打底层的厚度为0.001～10μm，所述吸气层的厚度为0.1～10μm。
[0009]进一步的，所述打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
[0010]上述吸气薄膜的制备方法，包括如下步骤：
[0011](1)准备基材，利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗；
[0012](2)将清洗后的基材放置于烤箱中，于25～100℃的温度条件下，烘烤1～60min；
[0013](3)对经过步骤(2)处理后的基材进行辉光清洗，辉光清洗的电压为100～1000V，工作压强为1～100Pa，清洗时间为5～60min；
[0014](4)在基材上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；
[0015](5)在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。
[0016]上述方法的步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层和吸气层时，沉积室的真空度达到6.0
×
10-5
～3
×
10-3
Pa，沉积过程中的工作压强为0.1～2.0Pa，溅射电流为0.01～10A，功率密度为10～200W/cm2，沉积时间为1～200min。
[0017]本专利技术还提供了上述吸气薄膜在热管、水冷板或均温板上的应用。
[0018]本专利技术的有益效果是：该吸气薄膜设置于真空腔体基材(热管、水冷板或均温板)上，可以赋予腔体较好的吸气能力，能够吸收腔体内的废气，维持良好的真空度，改善基材的服役环境，提高了腔体基材耐腐蚀性和抗氧化性，加强了毛细作用，提升散热能力，提高基材使用寿命。
[0019]该吸气薄膜是由打底层和吸气层构成，打底层的设置，形成吸气层的沉积基础，使得沉积于打底层上的吸气层结构更加理想，毛细作用更强；吸气层采用Pd成分，从而无需在吸气层再设置保护层，且无需激活，室温下即可实现较好的吸气效果。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的吸气薄膜与基材配合的结构示意图。
具体实施方式
[0021]下面将结合具体实施例对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]如图1所示，一种吸气薄膜，其是由依次在基材1表面上生长的打底层2和吸气层3组成，该打底层2是由Cr构成，该吸气层3是由Pd构成；所述打底层2和吸气层3均为柱状晶粒结构，其是由柱状晶粒密集排列而成。
[0023]上述基材1为热管、水冷板或均温板。
[0024]其中，打底层2中的Cr的纯度为99.95％以上，吸气层3中的Pd的纯度为99.95％以上。
[0025]其中，打底层2的厚度为0.001～10μm，所述吸气层3的厚度为0.1～10μm。
[0026]其中，打底层2和吸气层3均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
[0027]上述吸气薄膜的制备方法，包括如下步骤：
[0028](1)准备基材1，利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗；
[0029](2)将清洗后的基材1放置于烤箱中，于25～100℃的温度条件下，烘烤1～60min；
[0030](3)对经过步骤(2)处理后的基材1进行辉光清洗，辉光清洗的电压为100～1000V，工作压强为1～100Pa，清洗时间为5～60min；
[0031](4)在基材1上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层2；
[0032](5)在打底层2上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层3。
[0033]步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层2和吸气层3时，沉积室的真空度达到6.0
×
10-5
～3
×
10-3
Pa，沉积过程中的工作压强为0.1～2.0Pa，溅射电流为0.01～10A，功率密度为10～200W/cm2，沉积时间为1～200min。
[0034]实施例1
[0035]一种吸气薄膜，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。在该实施例1中，基材采用水冷板。打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
[0036]其中，打底层中的Cr的纯度为99.96％，吸气层中的Pd的纯度为99.98％。
[0037]该实施例1的吸气薄膜中，打底层的厚度为0.005μm，吸气层的厚度为0.5μm。
[0038]该实施例1的吸气薄膜的制备方法，包括如下步骤：
[0039](1)准备水冷板基材，利用碳酸钠去脂剂对水冷板进行清洗；
[0040](2)将清洗后的水冷板放置于烤箱中，于45℃的温度条件下，烘烤20min；
[0041](3)对经过步骤(2)处理后的基材进行辉光清洗，辉光清洗的电压为300V，工作压强为50Pa，清洗时间为25min；
[0042](4)在水冷板上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；
[0043](5)在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。
[0044]步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层和吸气层时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸气薄膜，其特征在于，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；所述打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。2.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜，其特征在于：所述基材为热管、水冷板或均温板。3.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜，其特征在于，打底层中的Cr的纯度为99.95％以上，吸气层中的Pd的纯度为99.95％以上。4.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜，其特征在于，所述打底层的厚度为0.001～10μm，所述吸气层的厚度为0.1～10μm。5.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜，其特征在于，所述打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。6.权利要求1至5任一项所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)准备基材，利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗；(2)将清洗后的基材放置于烤箱中，于2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，张于光，郭明哲，胡玮，
申请(专利权)人：昆山联德电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：