基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，实现利用在等离子生成空间生成的等离子进行的基板处理的优化。基板处理装置具有：处理室，其具有等离子生成空间和处理空间；线圈电极，其配设于等离子生成空间的周围；基板载置部，其载置在处理空间处理的基板；移动机构部，其使基板载置部在处理室内移动；以及控制部，其根据关于基板的处理分布信息控制移动机构部，以使基板与线圈电极的端部之间的距离变化。的端部之间的距离变化。的端部之间的距离变化。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]近年来，半导体装置有高集成化的倾向，随之图案尺寸也显著微细化。微细化的图案经过硬掩膜、抗蚀层等的形成工序、光刻工序、蚀刻工序等各种工序而形成。例如，在专利文献1中，作为具有微细图案的半导体装置的制造工序的一工序，公开了利用在等离子生成空间生成的等离子对形成于基板上的图案表面进行预定处理(例如，氧化处理)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014－75579号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本公开提供一种技术，实现利用在等离子生成空间生成的等离子进行的基板处理的优化。
[0008]用于解决课题的方案
[0009]根据一方案，提供一种技术，其具有：
[0010]处理室，其具有等离子生成空间和处理空间；
[0011]线圈电极，其配设于上述等离子生成空间的周围；
[0012]基板载置部，其载置在上述处理空间处理的基板；
[0013]移动机构部，其使上述基板载置部在上述处理室内移动；以及
[0014]控制部，其根据关于上述基板的处理分布信息控制上述移动机构部，以使上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离变化。
[0015]专利技术效果
[0016]根据本公开的技术，可以实现利用在等离子生成空间生成的等离子进行的基板处理的优化。
附图说明
[0017]图1是一实施方式的基板处理装置的概略结构图。
[0018]图2是说明一实施方式的基板处理装置的等离子生成原理的说明图。
[0019]图3是表示一实施方式的基板处理装置的控制器的结构例的框图。
[0020]图4是一实施方式的基板处理工序的步骤的概要的流程图。
[0021]图5是表示通过一实施方式的基板处理工序处理的且形成有槽(沟)的基板的例的说明图。
[0022]图6是表示在一实施方式的基板处理工序中成为处理对象的基板表面的面内偏差
的例的说明图。
[0023]图中：
[0024]100—基板处理装置，200—晶圆(基板)，201—处理室，201a—等离子生成空间，201b—基板处理空间(处理空间)，212—线圈电极(线圈，共振线圈)，217—基座(基板载置部)，221—控制器(控制部)，263—接收部，268—基座升降机构(移动机构部)。
具体实施方式
[0025]＜一实施方式＞
[0026]以下，对于本公开的一实施方式，一边参照附图一边进行说明。
[0027]在以下的实施方式中举例的基板处理装置用于半导体装置的制造工序，且构成为对成为处理对象的基板进行预定的处理。
[0028]作为成为处理对象的基板，例如，可举出制作半导体集成电路装置(半导体设备)的半导体晶圆基板(以下，简称为“晶圆”。)。此外，在本说明书中使用“晶圆”这一词语的情况包括意指“晶圆本身”的情况、意指“晶圆与形成于其表面的预定的层、膜等的层叠体(集合体)”的情况(即，包含形成于表面的预定的层、膜等在内称为晶圆的情况)。另外，在本说明书中使用“晶圆的表面”这一词语的情况包括意指“晶圆本身的表面(露出面)”的情况、意指“形成于晶圆上的预定的层、膜等的表面、即作为层叠体的晶圆的最外表面”的情况。在本说明书中使用“基板”这一词语的情况也与使用“晶圆”这一词语的情况同义。
[0029]另外，作为对晶圆进行的处理，例如具有氧化处理、扩散处理、用于离子注入后的载流子活性化、平坦化的回流焊、退火、成膜处理等。在本实施方式中，特别举例进行晶圆面上的膜的改性处理(氧化处理)的情况。
[0030](1)基板处理装置的结构
[0031]首先，使用图1对本实施方式的基板处理装置的概略结构例进行说明。
[0032]图1是本实施方式的基板处理装置的概略结构图。
[0033](处理室)
[0034]本实施方式的基板处理装置(以下，简称为“处理装置”)100具备对晶圆200进行等离子处理的处理炉202。在处理炉202设有构成处理室201的处理容器203。处理容器203具备作为第一容器的圆顶型的上侧容器210和作为第二容器的碗型的下侧容器211。上侧容器210覆盖在下侧容器211之上，从而形成处理室201。上侧容器210例如由氧化铝(Al2O3)或者石英(SiO2)等非金属材料形成。下侧容器211例如由铝(Al)形成。
[0035]另外，在下侧容器211的下部侧壁设有闸门阀244。闸门阀244构成为：在打开时，能够通过搬送机构(未图示)经由搬入搬出口245向处理室201内搬入晶圆200、向处理室201外搬出晶圆200。闸门阀244构成为：在关闭时，成为保持处理室201内的气密性的闸阀。
[0036]处理室201具有在周围设有线圈电极(以下简称为“线圈”)212的等离子生成空间201a和连通于等离子生成空间201a的基板处理空间201b。等离子生成空间201a是生成等离子的空间，且是指处理室内的空间中的比线圈212的下端靠上方且比线圈212的上端靠下方的空间。另一方面，基板处理空间201b是使用等离子对基板进行处理的空间，且是指比线圈212的下端靠下方的空间。在本实施方式中，构成为，等离子生成空间201a和基板处理空间201b的水平方向的直径大致相同。
[0037](基座)
[0038]在处理室201的底侧中央配置有作为载置晶圆200的基板载置部的基座217。基座217例如由氮化铝(AlN)、陶瓷、石英等非金属材料形成，且构成为能够降低对形成于晶圆200上的膜等的金属污染。
[0039]在基座217的内部一体地埋入有作为加热机构的加热器217b。加热器217b构成为：当被供给电力时，能够将晶圆200表面例如从25℃加热至750℃左右。
[0040]基座217与下侧容器211电绝缘。为了使生成于载置在基座217的晶圆200上的等离子的密度的均匀性提高，阻抗调整电极217c设于基座217内部，且经由作为阻抗调整部的阻抗可变机构275接地。阻抗可变机构275由线圈、可变电容器构成，且构成为，通过控制线圈的电感及电阻以及可变电容器的电容值，能够使阻抗在从约0Ω至处理室201的寄生阻抗值的范围内变化。由此，经由阻抗调整电极217c及基座217，能够控制晶圆200的电位(偏压)。此外，在本实施方式中，能够如后述那样提高生成于晶圆200之上的等离子的密度的均匀性，因此，在该等离子的密度的均匀性在所期望的范围内的情况下，不进行使用了阻抗调整电极217c的偏压控制。另外，在不进行该偏压控制的情况下，也可以在基座217不设置电极217c。但是，也可以以进一步提高该均匀性为目的而进行该偏压控制。
[0041]主要由基座217、加热器217b、阻抗调整电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：处理室，其具有等离子生成空间和处理空间；线圈电极，其配设于上述等离子生成空间的周围；基板载置部，其载置在上述处理空间处理的基板；移动机构部，其使上述基板载置部在上述处理室内移动；以及控制部，其根据关于上述基板的处理分布信息控制上述移动机构部，以使上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离变化。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，关于上述控制部，在上述处理分布信息为凸状的处理分布的情况下，若上述处理分布的梯度大于预定阈值，则使上述基板与上述线圈电极的端部之间比预定距离更接近，若上述处理分布的梯度小于上述预定阈值，则使上述基板与上述线圈电极的端部之间比预定距离更远离。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，关于上述控制部，如果上述处理分布信息为凸状的处理分布，则将上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离设定为预定距离，如果上述处理分布信息为凹状的处理分布，则将上述基板与上述线圈电极的端部之间的距离设定为比上述预定距离长的距离。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制部控制上述移动机构部，以在上述线圈电极于上述等离子生成空间生成等离子的期间中使上述距离变化。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制部控制上述移动机构部，以在上述线圈电极于上述等离子生成空间生成等离子的期间中使上述距离变化。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述线圈电极以沿着上述基板载置部的移动方向延伸的方式卷绕配设。10.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：八幡橘，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：