半穿透半反射液晶显示面板的像素结构及其制造方法技术

一种半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，具有一反射区以及一穿透区，此半穿透半反射液晶显示面板的像素结构包括一透明基板、一薄膜晶体管、至少一反射结构、一像素电极以及一反射层，其中薄膜晶体管是配置于透明基板上，且薄膜晶体管位于反射区内。此外，反射结构是配置于透明基板上的薄膜晶体管的一侧，且位于反射区内，而像素电极是配置于薄膜晶体管及反射结构的上方，并至少位于穿透区内，且像素电极是电性连接至薄膜晶体管。另外，反射层是配置于薄膜晶体管及反射结构的上方，并位于反射区内，且反射层与像素电极相连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素结构(Pixel Structure)及其制造方法，且特别是有关于一种能够提高薄膜晶体管液晶显示器(TFTLCD)对于背光源利用率的半穿透半反射(Transflective)液晶显示面板的像素结构及其制造方法。
技术介绍
自从第一台以阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)为工作模式的黑白电视机专利技术以来，显示技术便以飞快的速度不断演进。然而，由于此种以阴极射线管模式工作的显示器具有体积大、重量重、辐射量高及像质较差等缺点，因此便不断的开发出新的平面显示技术。在这些平面显示技术中，又以具有轻薄短小、省电、无辐射、全彩及方便携带等优点的液晶显示器技术最为纯熟且普及化。举凡手机、语言翻译机、数位相机、数位摄影机、个人数位助理(PDA)、笔记型电脑甚至于桌上型显示器都有其应用范围。一般薄膜晶体管液晶显示器可分为穿透式、反射式，以及半穿透半反射式三大类，其分类的依据在于光源的利用以及阵列基板(array)的差异。其中，穿透式的薄膜晶体管液晶显示器(transmissive TFT-LCD)主要是以背光源(backlight)作为光源，其薄膜晶体管阵列基板上的像素电极为透明电极以利背光源穿透；反射式薄膜晶体管液晶显示器(reflective TFT-LCD)主要是以前光源(front-light)或是外界光源作为光源，其薄膜晶体管阵列基板上的像素电极为金属或其他具有良好反射特性材料的反射电极，适于将前光源或是外界光源反射；而半穿透半反射式薄膜晶体管液晶显示器则可视为穿透式薄膜晶体管液晶显示器与反射式薄膜晶体管液晶显示器的整合架构，其可以同时利用背光源以及前光源或外界光源以进行显示。就现今的半穿透半反射式薄膜晶体管液晶显示器而言，在其制作时通常会将反射层的表面设计为不规则状，使反射光的分布范围较大。然而，为了形成反射层的不规则表面，却增加了制程成本。再者，当背光源提供光线予薄膜晶体管液晶显示面板时，入射光若照射在透明层上可具有良好的穿透效果，而入射光若照射在反射层上则会无法穿透，造成了薄膜晶体管液晶显示器对于背光模组所提供的光源利用率低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的就是在提供一种半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其可以增加薄膜晶体管液晶显示器对于背光源的利用率。本专利技术的再一目的是提供一种半穿透半反射液晶显示面板的像素结构的制造方法，其可以增加薄膜晶体管液晶显示器对于背光源的利用率。基于上述目的，本专利技术提出一种具有一反射区以及一穿透区的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，此半穿透半反射液晶显示面板的像素结构包括一透明基板、一薄膜晶体管、至少一反射结构、一像素电极以及一反射层，其中薄膜晶体管是配置于透明基板上，且薄膜晶体管位于反射区内。此外，反射结构是配置于透明基板上的薄膜晶体管的一侧，且反射结构位于反射区内。像素电极是配置于薄膜晶体管及反射结构的上方，并至少位于穿透区内，且像素电极是电性连接至薄膜晶体管。另外，反射层是配置于薄膜晶体管及反射结构的上方，并位于反射区内。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其中薄膜晶体管包括一栅极、一闸绝缘层、一半导体层以及一源/漏极，其中栅极是配置于透明基板上，而闸绝缘层亦配置于透明基板上，且将栅极包覆住。此外，半导体层是配置于栅极上方的闸绝缘层上，而源极/漏极是配置于半导体层上，且源极/漏极位于栅极的上方。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其中反射结构包括一第一金属层，且此第一金属层例如是与栅极同一膜层。此第一金属层例如是嵌设于透明基板表面的凹陷处，或是突起于透明基板的表面。另外，闸绝缘层例如更延伸至薄膜晶体管之外，以将第一金属层覆盖住。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其中第一金属层例如是与源极/漏极同一膜层，且闸绝缘层例如更延伸至薄膜晶体管之外，并配置于第一金属层与透明基板之间。而第一金属层例如是嵌设于闸绝缘层的表面。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其中反射结构例如更包括一第二金属层，且此第二金属层是配置于第一金属层上。而第一金属层例如是与栅极同一膜层，而第二金属层例如是与源极/漏极同一膜层。此外，闸绝缘层例如更延伸至薄膜晶体管之外，且闸绝缘是配置于第一金属层与第二金属层之间。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，例如更包括一配置于该透明基板上的保护层，且保护层将薄膜晶体管与反射结构覆盖住。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其中反射结构的形状例如是锯齿状或是块状。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其中透明基板例如是玻璃基板。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其中像素电极的材料例如是铟锡氧化物以及铟锌氧化物。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，此半穿透半反射液晶显示面板的像素结构例如更包括一配置于像素电极与透明基板之间的平坦层，且平坦层将薄膜晶体管及反射结构覆盖住。本专利技术另提出一种半穿透半反射液晶显示面板的像素结构的制造方法，其步骤如下首先提供一透明基板；然后于透明基板上形成一薄膜晶体管以及一反射结构，且反射结构是位于薄膜晶体管的一侧；之后于薄膜晶体管及反射结构上方形成一像素电极，其中像素电极与薄膜晶体管电性连接；尔后于薄膜晶体管及反射结构上方形成一反射层。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构的制造方法，其中形成该薄膜晶体管的方法步骤如下首先形成一栅极；然后于透明基板上形成一闸绝缘层，且闸绝缘层是包覆住栅极；之后于栅极上方的闸绝缘层上形成一半导体层；尔后于半导体层上形成一源极/漏极，且源极/漏极是位于栅极的上，并耦接至像素电极。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构的制造方法，其中形成反射结构的方法例如是于透明基板上形成一第一金属层，且此第一金属层例如是与栅极同时形成。此外，更例如于形成第一金属层之前，先对透明基板进行微影制程与蚀刻制程，以形成一第一凹陷部，用以在之后形成第一金属层时，使第一金属层填入第一凹陷部内。然后，于形成闸绝缘层时，更例如使闸绝缘层覆盖于第一金属层上。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构的制造方法，其中第一金属层例如是与源极/漏极同时形成，而在形成闸绝缘层之后，且在形成第一金属层之前，更例如对闸绝缘层进行微影制程与蚀刻制程，并形成一第二凹陷部，以在之后形成第一金属层时，使第一金属层填入第二凹陷部内。依照本专利技术的较佳实施例所述的半穿透半反射液晶显示面板的像素结构的制造方法，其中形成反射结构的方法例如更包括于第一金属层上方形成一第二金属层，而第一金属层例如是与栅极同时形成，且第二金属层例如是与源极/漏极同时形成。此外，于形成第一金属层与栅极之前，更例如在透明基板上利用微影制程与蚀刻制程以形成一第一凹陷部，用以在形成第一金属层时，使第一金属层填入第一凹陷部内。另外，在形成闸绝缘层之后，并且在形成第二金属层之前，更可以利用微影制程与蚀刻制程对闸绝缘层形成一第二凹陷部，以在形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半穿透半反射液晶显示面板的像素结构，其特征在于：具有一反射区以及一穿透区，此半穿透半反射液晶显示面板的像素结构包括：一透明基板；一薄膜晶体管，配置于该透明基板上，且该薄膜晶体管位于该反射区内；至少一反射结构，配置 于该透明基板上的该薄膜晶体管的一侧，且该反射结构位于该反射区内；一像素电极，配置于该薄膜晶体管及该反射结构上方，并至少位于该穿透区内，且该像素电极是电性连接至该薄膜晶体管；以及一反射层，配置于该薄膜晶体管及该反射结构上方，并 位于该反射区内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：简良能，
申请(专利权)人：广辉电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]