电光装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供具备能避免静电地良好地保护有源元件的结构，理想情况下还能实现制造工序的效率化及成品率提高的电光装置。本发明专利技术的电光装置，具备使多个像素（１９）排列成矩阵状的显示区域（１１０），和对应于前述各像素（１９）所设置的开关元件，其特征在于，在ＴＦＴ阵列基板（１０）上具备：包围前述显示区域（１１０）的至少３边的第１屏蔽布线部（９１），和包围该第１屏蔽布线部（９１）的第２屏蔽布线部（９２）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，涉及电光装置及电子设备。
技术介绍
在有源矩阵方式的液晶装置(电光装置)中，在各像素电极上连接开关元件，通过该开关元件来开关各像素电极。作为开关元件，例如，可使用薄膜晶体管(TFT)。薄膜晶体管的结构和工作，基本上与单晶硅的MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管相同。作为采用了非晶硅(a-Si)的薄膜晶体管的结构，虽然已知几种结构，但是一般使用栅电极处于非晶硅膜之下的底栅(bottom gate)结构(反向交错结构)。在薄膜晶体管的制造中，重要的是减少制造工序数，并且，确保高的成品率。并且，对薄膜晶体管有效地进行保护以免发生因在有源矩阵基板的制造过程中发生的静电导致的击穿这一点，也是重要的。对薄膜晶体管进行保护以免静电击穿的技术，例如，记载于下述专利文献1。专利文献1特许第2744138号公报依照记载于上述专利文献1的技术，可认为能够对薄膜晶体管进行保护以免造成制造工序中的静电击穿。但是，静电不仅在电光装置的制造工序，在制造后的往电子设备的安装、搬运、包装等的工序中也发生，在电子设备的使用时也发生。从而，在确保电光装置的可靠性的方面，不仅在制造工序，在其使用时也需要避免静电地有效地进行保护。
技术实现思路
本专利技术，鉴于上述现有技术的问题点而作出，其目的为提供具备能良好地避免静电地保护有源元件的结构，优选还能实现制造工序的有效化及提高成品率的电光装置。本专利技术的电光装置，为了解决上述问题，具备使多个像素排列成矩阵状的显示区域，和对应于前述各像素所设置的开关元件，其特征在于，在元件基板上，具备包围前述显示区域的至少3边的第1屏蔽布线部；和包围该第1屏蔽布线部的第2屏蔽布线部。依照该构成，因为通过上述第1屏蔽布线部和第2屏蔽布线部使前述显示区域的开关元件得到双重保护，所以能够提供具备优良的抗静电性的电光装置。在本专利技术的电光装置中，优选前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的至少一方，呈包围前述显示区域的矩形状而形成。如果如此地包围显示区域地进行配置，能够使抗静电性更好。在本专利技术的电光装置中，能够构成为前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部，与跨前述多个像素所形成的共用电极电连接。如果为如此的构成，能够构成能够使电涌放出到共用电极电源的电光装置。在本专利技术的电光装置中，能够构成为在前述元件基板上具备与跨前述多个像素所形成的共用电极电连接的共用电极布线，该共用电极布线，形成包围前述显示区域的至少3边的第3屏蔽布线部。如果为如此的构成，因为至少部分性地3重包围显示区域，所以能够得到更优的抗静电性。在本专利技术的电光装置中，还能够构成为前述开关元件，为具备形成于前述元件基板上的栅电极，通过栅绝缘膜与该栅电极对向的半导体层，和与该半导体层电连接的源/漏电极的薄膜晶体管；前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述源/漏电极在相同层采用同一材料形成。如果为如此的构成，能够与显示区域的像素以同一工序同时形成屏蔽布线部，在制造效率及制造成品率之点有利。在本专利技术的电光装置中，还能够构成为前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述栅电极在相同层采用同一材料形成。在该情况下，也能够与显示区域的像素以同一工序同时形成屏蔽布线部，在制造效率及制造成品率之点有利。在本专利技术的电光装置中，还能够构成为具备通过前述源/漏电极与前述开关元件电连接的像素电极；前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述像素电极在相同层采用同一材料形成。在该情况下，也能够与显示区域的像素以同一工序同时形成屏蔽布线部，在制造效率及制造成品率之点有利。在本专利技术的电光装置中，还能够构成为具备通过前述源/漏电极与前述开关元件电连接的像素电极；通过与前述像素电极在相同层采用同一材料所形成的连接构件，使前述第1～第3屏蔽布线部的至少2个相互电连接。如果为如此的构成，则即使在不相同的布线层形成屏蔽布线部，也能够通过与像素电极相同层的布线构件容易地进行连接，能够容易地形成放出电涌的路径。在本专利技术的电光装置中，优选构成为在前述元件基板上，形成互相进行交叉而延伸的多条数据线和多条扫描线，对应于前述数据线和扫描线的交叉部设置前述像素；前述第1屏蔽布线部或第2屏蔽布线部、和前述扫描线或前述数据线，通过至少多于或等于1个静电保护电路而电连接。如果为如此的构成，能够通过静电保护电路对开关元件进行保护，能够进一步提高抗静电性。在本专利技术的电光装置中，能够构成为前述静电保护电路具有具备了与前述薄膜晶体管在相同层所形成的半导体层的MOS二极管。并且，还能够构成为使将前述薄膜晶体管的栅电极和漏电极短路的第1MOS二极管和第2MOS二极管互相反向连接。如果为这些构成，则能够与像素以同一工序同时形成静电保护电路，能够为制造效率高的电光装置。在本专利技术的电光装置中，优选为前述第1MOS二极管的源电极和栅电极平面性地重叠而配置，并且前述第2MOS二极管的源电极和栅电极一部分平面性地重叠而配置的电容耦合工作型的MOS二极管。如果为如此的构成，能够从制造工序的早期阶段就使保护电路工作，能够更有效地防止制造工序中的开关元件的损坏，能够提高制造成品率。在本专利技术的电光装置中，优选前述电容耦合工作型的MOS二极管，与前述屏蔽布线部电连接，前述屏蔽布线部与前述数据线形成于相同层。通过为如此的构成，能够在形成数据线之后紧接着就使静电保护电路工作，能够更有效地防止制造工序的开关元件的损坏，能够提高制造成品率。本专利技术的电子设备，其特征在于具备先前记载的电光装置。依照该构成，能够通过屏蔽布线部避免静电地良好地保护开关元件等的电路，能够提供具备了高可靠性的显示部的电子设备。附图说明图1是表示第1实施方式的液晶装置的整体构成的图。图2是表示相同液晶装置的概略电路构成的图。图3是表示相同液晶装置的电路构成的详细的图。图4是表示液晶装置的像素构成的图。图5是表示沿图4的D-D’线的剖面结构的图。图6是表示静电保护电路的一构成例的图。图7是表示静电保护电路的其他的构成例的图。图8是表示第2实施方式的液晶装置的概略电路构成的图。图9是表示电子设备的一例的立体构成图。符号说明100液晶装置(电光装置)，10TFT阵列基板(元件基板)，20对向基板，50液晶，110显示区域，9像素电极，16数据线，18a扫描线，19像素，33半导体层，34源电极，35漏电极，60TFT(开关元件)，71～74静电保护电路，71a第1MOS二极管，71b第2MOS二极管，91、191第1屏蔽布线部，92、192第2屏蔽布线部，193第3屏蔽布线部具体实施方式第1实施方式图1，是为本专利技术的电光装置的1个实施方式的液晶装置100的整体构成图，(a)为平面构成，(b)是沿(a)的H-H’线的剖面结构的图。如在图1中所示地，液晶装置100，具备通过平面看大致矩形框状的密封材料52贴合了TFT阵列基板(元件基板)10、和对向基板20的构成，夹持于前述两基板10、20之间的液晶(电光物质)50，通过密封材料52封入到前述基板间。在密封材料52的内侧的区域，矩形框状地形成由遮光性材料构成的遮光膜(周边分离构件)53。在密封材料52的外侧的周边电路区域，沿TFT阵列基板10的一条边配设数据线驱动电路101和安装端子102，在该一条边在数据线驱动电路1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其具备：使多个像素排列成矩阵状的显示区域，和对应于前述各像素所设置的开关元件，其特征在于，在元件基板上具备：第１屏蔽布线部，其包围前述显示区域的至少３边；和第２屏蔽布线部，其包围该第１屏蔽布线部。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：平林幸哉，佐藤尚，
申请(专利权)人：爱普生映像元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]