液晶显示面板及其像素结构制造技术

一种像素结构，包括至少一像素电极与至少一配向电极。像素电极设于一基板上，且像素电极具有一中心开口。配向电极设于像素电极与基板之间，其包括一配向部设于中心开口下方并对应中心开口。配向电极的配向电压大于像素电极的像素电压。本发明专利技术的液晶显示面板的像素结构利用配向电极进行多区域配向，因此不需设置配向凸块。另外，像素结构利用第一共通电极进行像素结构边缘的配向，因此具有较佳的整体配向效果以及较快速的反应时间，并且第一共通电极的设置可缩小配向电极的尺寸，提高像素结构的开口率。此外，配向电极与像素电极的制造工艺极限较配向凸块的制造工艺极限为高，因此将配向电极设置于高解析度的液晶显示面板时不会影响解析度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示面板及其像素结构，尤其涉及一种设置有配向 电极的多区域垂直配向型液晶显示面板的像素结构。
技术介绍
液晶显示器已被广泛地应用在各式电子产品，如手机、个人数字助理及 笔记本电脑等，而且随着大尺寸薄型平面电视的快速发展，具有轻薄短小特性的液晶电视更是扮演着相当重要的角色，进而逐渐取代阴极射线管(CRT) 电视成为薄型平面电视的主流。然而由于液晶显示面板具有视角狭窄的先天 缺点，成为其发展上的限制条件，因此具有广视角的多区域垂直配向型 (multi-domain vertical alignment, MVA)液晶显示面板便)顿应而生。请参考图1。图1为公知多区域垂直配向型液晶显示面板的像素结构的 示意图。如图1所示，公知多区域垂直配向型液晶显示面板的像素结构10 包括第一基板12、第二基板14与液晶层16，其中液晶层16填充于第一基 板12与第二基板14之间。第一基板12上设置有像素电极18，而第二基板 14上则设置有彩色滤光片20、共通电极22与配向凸块24。液晶层16借由 配向凸块24的设置而形成多区域配向。另外，第二基板14对应于配向凸块 24的位置还设置有黑色遮光图案26，借此遮蔽配向凸块24周围的漏光。公知利用配向凸块24进行配向的像素结构10具有如下缺点首先，制 作配向凸块24必须增加第二基板14的制造工艺，会增加制造工艺成本；其 次，配向凸块24的周围会产生漏光，而必须设置黑色遮光图案26进行遮光， 而为了有效遮蔽漏光，黑色遮光图案26的尺寸必须大于配向凸块24的尺寸， 因此造成开口率下降；另外，配向凸块24的制作受限于制造工艺极限而具 有最小尺寸，因此在高解析度的液晶显示面板内，配向凸块24的存在也会 造成开口率下降。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种多区域垂直配向型液晶显示面板的像 素结构，以提高多区域配向能力并提高开口率。为达上述目的，本专利技术提供一种像素结构，设置在一基板上，像素结构 包括至少一像素电极、至少一共通电极与至少一配向电极。像素电极设于基 板上，且像素电极具有一中心开口。共通电极设于基板的像素电极的周围。 配向电极设于像素电极与基板之间，其包括一配向部设于中心开口下方并对 应中心开口 。配向电极的配向电压大于该像素电极的像素电压。为达上述目的，本专利技术提供一种像素结构，设置在一基板上，像素结构 包括至少一像素电极与至少一配向电极。像素电极设于基板上，且像素电极 具有一中心开口。配向电极设于像素电极与基板之间，其包括一配向部设于 中心开口下方并对应中心开口。配向电极的配向电压大于像素电极的像素电 压。为达上述目的，本专利技术提供一种液晶显示面板，其包括 一第一基板，包括一第一基板、 一第二基板与一液晶层。第一基板包括至少一像素电极、至少一第一共通电极与至少一配向电极。像素电极设于第一基板上，且像素电极具有一中心开口。第一共通电极设于第一基板的像素电极的周围。配向电极设于像素电极与第一基板之间，其包括一配向部设于中心开口下方并对应中心开口。配向电极的配向电压大于像素电极的像素电压。第二基板与第一基板相对设置，其包括一第二共通电极，对应像素电极。液晶层设于第一 基板与第二基板之间。本专利技术的液晶显示面板的像素结构利用配向电极进行多区域配向，因此 不需设置配向凸块。另外，像素结构利用第一共通电极进行像素结构边缘的 配向，因此具有较佳的整体配向效果以及较快速的反应时间，并且第一共通 电极的设置可縮小配向电极的尺寸，提高像素结构的开口率。此外，配向电 极与像素电极的制造工艺极限较配向凸块的制造工艺极限为高，因此将配向 电极设置于高解析度的液晶显示面板时不会影响解析度。附图说明图1为公知多区域垂直配向型液晶显示面板。页图2与图3为本专利技术的液晶显示面板的像素结构的第一优选实施例的示 意图。图4与图5为本专利技术的液晶显示面板的像素结构的第二优选实施例的示 意图。图6与图7为本专利技术的液晶显示面板的像素结构的第三优选实施例的示 意图。图8与图9为本专利技术的液晶显示面板的像素结构的第四优选实施例的示 意图。图IOA为本专利技术的像素结构处于开启状态时亮度分布图。图10B为本专利技术的像素结构处于开启状态时等电位线的分布与液晶分子的排列的示意图。图IIA本专利技术的像素结构处于关闭状态时亮度分布图。图11B为本专利技术的像素结构处于关闭状态时等电位线的分布与液晶分子的排列的示意图。其中，附图标记说明如下10像素结构12第一基板14第二基板16液晶层18像素电极20彩色滤光片22共通电极24配向凸块26黑色遮光图案30像素结构32第一基板34第二基板36液晶层38像素电极38a中心开口38b条状开口40第一共通电极42配向电极42a配向部44介电层46第二共通电极50像素结构60像素结构70像素结构具体实施例方式为使熟悉本专利技术所属
的普通技术人员能更进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的数个优选实施例，并配合所附附图，详细说明本专利技术的 构成内容及所欲达成的效果。请参考图2与图3。图2与图3为本专利技术的液晶显示面板的像素结构的 第一优选实施例的示意图，其中图2为一俯视图，图3为沿图2的切线33' 的一剖面示意图，且为清楚显示本专利技术的特色，图示中仅绘示出液晶显示面 板的单一像素结构，且下文的说明以单一像素结构加以描述。如图2与图3 所示，本实施例的液晶显示面板为一多区域垂直配向型液晶显示面板，其像 素结构30包括第一基板32、第二基板34与液晶层36，其中第一基板32与 第二基板34为相对设置，而液晶层36则设置于第一基板32与第二基板34 之间。第一基板32与第二基板34两者均为透光基板，例如玻璃基板、石英 基板或塑胶基板。第一基板32(也可称为例如阵列基板或薄膜晶体管基板)上 包括至少一像素电极38、至少一第一共通电极40与至少一配向电极42，其 中像素电极38的材料包括透光导电材料，例如氧化铟锡(ITO)，而第一共通 电极40与配向电极42的材料包括不透光导电材料，例如金属，但不以此限。 像素电极38具有至少一中心开口 38a，其可为圆形开口但不以此为限；第一 共通电极40设罝于像素电极38的周围并可环状包围像素电极38，且第一共 通电极40设置于像素电极38的下方而像素电极38并未与第一共通电极40 重叠；配向电极42设置于像素电极38与第一基板32之间，且其包括一配 向部42a设于像素电极38的中心开口 38a下方并对应中心开口 38a。在本实施例中，配向电极42的配向部42a具有一圆形图案，且配向部 42a的尺寸略大于像素电极38的中心开口 38a的尺寸，借此可增加制造工艺 上对位的宽容度，且配向电极42的配向部42a在此也具有遮蔽漏光的作用。 像素电极38与配向电极42之间设置有至少一介电层44，借此像素电极38 与配向电极42可保持电性分离。像素电极38与薄膜晶体管的漏极(图未示) 电性连接，并可接受薄膜晶体管传送的像素电压、第一共通电极40具有共 通电压，而配向电极42则具有配向电压，且三者彼此电性分离，其中像素 电压可驱动液晶分子使其倾倒，借以控制显示灰阶；配向电极42的配向电 压则用来配向，借此在不需设置配向凸块的状况下，即可使液晶层36产生 多区域配向的效果；第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，设置在一基板上，该像素结构包括：　至少一像素电极，设于该基板上，且该像素电极具有一中心开口；　至少一共通电极，设于该基板的该像素电极的周围；以及　至少一配向电极，设于该像素电极与该基板之间，其包括一配向部，设于该中心开口下方并对应该中心开口；　其中该配向电极的一配向电压大于该像素电极的一像素电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘松高，林祥麟，林敬桓，胡至仁，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]