本发明专利技术公开了一种显示装置，该显示装置包括第一显示基底、第二显示基底和液晶层。第一显示基底具有：多个像素电极；多条数据线，互相平行地设置并且穿过像素电极的中间部分；多条栅极线，与数据线交叉；多个驱动薄膜晶体管，与栅极线、数据线和像素电极连接。第二显示基底被设置为与第一显示基底相对并且包括共电极。液晶层被设置在第一显示基底和第二显示基底之间。其中，沿着数据线的纵向，数据线中的一条将数据电压交替地供应到被该条数据线穿过的像素电极和被相邻的一条数据线穿过的像素电极。
【技术实现步骤摘要】
与本专利技术一致的设备涉及一种显示装置，更具体地说，涉及一种其图像 质量被改善的显示装置。
技术介绍
为了克服LCD显示装置所表现的差视角，有时使用将像素划分为多个域 的垂直取向(VA)模式多域结构。在VA模式中，液晶分子的主轴相对于相 对的基底垂直定向。像素是显示图像的最小单位。VA模式的LCD装置使得 在各个域中的液晶具有预倾斜方向，对于每个域，预倾斜方向不同。但是，利用具有多域结构的VA模式的LCD装置的开口率低，并且该显 示装置将具有低的发光效率。LCD装置通常可通过点反相驱动方式(dot reverse driving)或列反相驱 动方式(column reverse driving )来驱动。^旦是，利用点反相驱动方式，难以 以高于120Hz的高速进行驱动，这是因为与以60Hz驱动相比，栅极线导通 时间或;敫活(activation )时间减少 一半。与点反相驱动方式相比，如果当以120Hz或更高频率驱动时使用列反相 驱动方式，则由于数据线和像素电极之间的重叠部分的改变而导致的数据线 和像素电极之间的电容的改变变得非常敏感。这会在显示的图像中导致串扰 (cross-talk )。
技术实现思路
因此，本专利技术的一方面在于解决上述问题并且提供一种开口率和图像特 性都得到改进的显示装置，其中，在该显示装置中使用列反向驱动方式。本专利技术的上述和/或其它方面可通过提供一种显示装置来实现，该显示装 置包括第一显示基底、第二显示基底和液晶层。第一显示基底包括多个像 素电极；多条数据线，互相平行地设置并且穿过像素电极的中间部分；多条 栅极线，与数据线交叉；多个驱动薄膜晶体管，分别与栅极线、数据线和像素电极连接。第二显示基底被设置为与第一显示基底相对并且包括共电极。 液晶层被设置在第一显示基底和第二显示基底之间。其中，沿着数据线的纵 向，数据线中的 一条将数据电压交替地供应到被该条数据线穿过的像素电极 和被相邻的 一条数据线穿过的像素电极。像素电极可连接到被供应相同极性的数据电压和被供应与相邻数据线的 极性不同极性的数据电压的数据线中的所述一条。每个驱动薄膜晶体管可仅与所述多条数据线中的一条数据线连接，并且被布置在与每个像素电极的边缘部分对应的位置，每条数据线可沿着数据线 的纵向交替地与设置在数据线的两侧的驱动薄膜晶体管连接。所述多个驱动 薄膜晶体管可连接到像素电极的 一侧。每个驱动薄膜晶体管可仅与所述多条数据线中的 一条数据线连接，并且被布置在与每个像素电极的边缘部分对应的位置。数据线中的所述一条可相 对于该条数据线与设置在相同侧的相邻的驱动薄膜晶体管连接。多个驱动薄 膜晶体管可沿着数据线的纵向交替地与设置在数据线的两侧的像素电极连接。像素电极可包括第 一像素电极和沿着数据线的纵向与第 一像素电极相邻 的第二像素电极，所述第二像素电极由与该条数据线相邻的数据线供应数据 电压。第一像素电极可包括第一主像素电极和第一副像素电极，第二像素电 极可包括第二主像素电极和第二副像素电极。所述多条栅极线可包括第 一栅极线和第二栅极线，第 一栅极线可包括 第一主栅极线，将栅极信号供应到与第一主像素电极连接的驱动薄膜晶体管； 第一副栅极线，将栅极信号供应到与第一副像素电极连接的驱动薄膜晶体管。 第二栅极线可包括第二主栅极线，将栅极信号供应到与第二主像素电极连 接的驱动薄膜晶体管；第二副栅极线，将栅极信号供应到与第二副像素电极 连接的驱动薄膜晶体管。第 一主栅极线和第 一副栅极线可供应相同的栅极信号，第二主栅极线和 第二副栅极线可供应相同的栅极信号。第一显示基底还可包括存储电极线，与栅极线平行地形成；存储电极 焊盘；充电薄膜晶体管，与第二主栅极线中的一条、第一副像素电极中的一 个以及存储电极焊盘连接。第一主栅极线和第一副栅极线可供应不同的栅极信号，第二主栅极线和第二副栅极线可供应不同的栅极信号。第一主像素电极和第二主像素电极可直接与驱动薄膜晶体管连接，第一 副像素电极和第二副像素电极可通过耦合电容间接地与驱动薄膜晶体管连接。第一显示基底还可包括设置在像素电极和数据线之间的滤色器。 共电极和像素电极中的至少 一个可包括将设置有像素电极的像素区域划 分为多个域的微裂缝图案。微裂缝图案可包括至少一个垂直部分，与数据线叠置；至少一个水平部分，与所述垂直部分交叉；多个倾斜部分，可从所述垂直部分和水平部分中的至少一个延伸出。液晶层可包括垂直定向液晶分子和紫外线固化型单体，其中，微裂缝图 案和紫外线固化型单体使液晶分子对于每个域沿着彼此不同的方向预倾斜。共电极和像素电极中的至少一个可包括切割图案，所述切割图案将像素 电极的像素区域划分为多个域。切割图案可包括与数据线平行叠置的第 一切割图案和沿着倾斜方向与数 据线交叉的第二切割图案。所述显示装置还可包括第一定向膜，设置在第一显示基底的像素电极 上；第二定向膜，可设置在第二显示基底的共电极上，第一定向膜和第二定 向膜中的至少 一个将每个像素区域划分为多个域。所述多个域的边界的一部分可与数据线平行地重叠。附图说明通过下面结合附图对实施例进行的描述，本专利技术的上述和/或其它方面和 优点将会变得清楚和更加容易理解，其中图1是根据本专利技术第一示例性实施例的显示装置的布局图2是沿图1的II - II截取的截面图3是显示图1的显示装置的制造过程的截面图4是根据本专利技术第二示例性实施例的显示装置的布局图5是沿图4的V-V截取的截面图6是根据本专利技术第三示例性实施例的显示装置的截面图7是根据本专利技术第四示例性实施例的显示装置的布局图8是根据本专利技术第五示例性实施例的显示装置的布局图。具体实施例方式在附图中简要地显示了作为示例性实施例的显示面板，所述显示面板采用通过5个掩模工艺形成的利用非晶硅(a-Si)的薄膜晶体管(TFT)。但是， 本专利技术不限于示例性实施例，而是可以用多种不同形式实现。此外，示出了将一个像素划分为多个域的垂直取向(VA)模式的液晶显 示面板。像素是显示图像的最小单位。参照图1和图2描述第一示例性实施例。图l根据本专利技术第一示例性实 施例的显示装置卯l的布局图。图2是沿图1的II-II截取的截面图。如图1和图2所示，显示装置901包括第一显示基底100、第二显示基 底200和液晶层300。此外，还包括设置在第一显示基底100和液晶层300 之间的第一定向膜310和设置在第二显示基底200和液晶层300之间的第二 定向膜320。这里，液晶层300包括垂直取向(VA)型液晶分子301。第一显示基底100包括第一基底构件110、形成在第一基底构件110上的 多个像素电极180、多条数据线161、多条栅极线120和多个驱动薄膜晶体管 (TFT) 101。另外，第一显示基底IOO还包括滤色器175。第二显示基底200包括第二基底构件210和形成在第二基底构件210上 的共电极280。这里，共电极280形成在第二基底构件210的面对像素电极 180的表面上。像素电极180包括微裂缝图案(micro-slitpattem)P180。微裂缝图案P180 将布置有像素电极180的像素区域划分为多个域。棍支裂缝图案P180包括至少一个竖向部分P181、与竖向部分P181交叉的 至少 一 个横向部分P18 2以及/人竖向本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括： 第一显示基底，包括：多个像素电极；多条数据线，互相平行地设置并且穿过像素电极的中间部分；多条栅极线，与数据线交叉；多个驱动薄膜晶体管，分别与栅极线、数据线和像素电极连接； 第二显示基底，被设置为与第一显示基底相对并且包括共电极； 液晶层，被设置在第一显示基底和第二显示基底之间， 其中，沿着数据线的纵向，数据线中的一条将数据电压交替地供应到被该条数据线穿过的像素电极和被相邻的一条数据线穿过的像素电极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金东奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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