【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及基板处理装置，更详细地说，涉及具有收纳基板的基板支撑架可处理基板的基板处理装置。
技术介绍
通常，为了制造半导体元件、显示元件或者太阳能电池，由包括真空环境的工艺腔室的基板处理装置执行各种工艺。例如，在工艺腔室装载基板，可进行在基板上沉积薄膜或者蚀刻薄膜等的工艺。此时，基板被设置在工艺腔室内的基板支撑架支撑，通过与基板支撑架相互面对地设置在基板支撑架上部的喷头可向基板喷射工艺气体。另一方面，为了提高生产力，提供将多个基板一次性供应于工艺腔室内可一次性处理多个基板的基板处理装置。这种基板处理装置可具有多个装载槽，以将多个基板在基板支撑架的上面以基板支撑架的旋转轴为中心等角配置成放射状。此时，通常情况是安装在凹槽的基板通过自重分别放在装载槽。
技术实现思路
(要解决的问题)然而，这种现有的基板处理装置在基板处理工艺时因为工艺腔室内各种工艺条件，诸如气体流动瞬间变化或者急剧的压力变化等出现基板脱离装载槽的问题。尤其是，在为了提高工作处理量而不可避免地提高基板支撑架的旋转及升降...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：工艺腔室，形成待处理基板的处理空间；基板支撑架，配置在所述工艺腔室的所述处理空间，以支撑所述基板；喷头，配置在所述工艺腔室的上部，以与所述基板支撑架相互面对，向所述基板支撑架喷射处理气体，其特征在于，/n所述基板支撑架包括：/n盘，形成圆盘形状，以支撑至少一个所述基板；/n至少一个装载槽部，以与所述基板相对应的形状从所述盘的上面凹陷形成，以至少安装所述基板的边框部分；/n空余空间形成部，为限制至少支撑所述基板的所述边框部分的凸台部，从所述装载槽部的边缘向内侧间隔预定间距，从所述装载槽部的底面的至少一部分凹陷形成，在所述基板安装在所述凸台部上的情况...
【技术特征摘要】
20190701 KR 10-2019-0078968;20190701 KR 10-2019-001.一种基板处理装置，包括：工艺腔室，形成待处理基板的处理空间；基板支撑架，配置在所述工艺腔室的所述处理空间，以支撑所述基板；喷头，配置在所述工艺腔室的上部，以与所述基板支撑架相互面对，向所述基板支撑架喷射处理气体，其特征在于，
所述基板支撑架包括：
盘，形成圆盘形状，以支撑至少一个所述基板；
至少一个装载槽部，以与所述基板相对应的形状从所述盘的上面凹陷形成，以至少安装所述基板的边框部分；
空余空间形成部，为限制至少支撑所述基板的所述边框部分的凸台部，从所述装载槽部的边缘向内侧间隔预定间距，从所述装载槽部的底面的至少一部分凹陷形成，在所述基板安装在所述凸台部上的情况下，在所述基板的下部形成空余空间；及
排气通道，从所述盘的外周面连接所述空余空间形成部的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空余空间形成部包括第一传热部；
所述第一传热部在中心部从底面凸出与所述凸台部相同的高度，进而在所述基板安装在所述凸台部上时帮助从所述盘向所述基板传热。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空余空间形成部包括第二传热部；
所述第二传热部从底面凸出与所述凸台部相同的高度，进而在所述基板安装在所述凸台部时帮助从所述盘向所述基板传热，并且从所述第一传热部的一侧向所述排气通道方向延伸。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空余空间形成部包括第三传热部；
所述第三传热部在所述排气通道中从底面凸出与所述凸台部相同的高度，进而在所述基板安装在所述凸台部上时帮助从所述盘向所述基板传热。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述空余空间形成部包括多个升降销收容槽部；
所述多个升降销收容槽部从底面凸出与所述凸台部相同的高度，并且形成贯通孔，以在内部容纳基板升降销。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
盖板，配置在所述装载槽部内，以安装所述基板的至少一部分，并且包括与所述空余空间形成部连通的多个连通孔部。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述盖板包括：
板身，形成圆形的板形状；
第一凸出部，从所述板身下面的中心部凸出到所述空余空间形成部的底面，以帮助从所述盘向所述基板传热。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述盖板包括第二凸出部；
所述第二凸出部从所述板身的下面凸出形成，并且形成有贯通孔，以在内部容纳基板升降销；
所述空余空间形成部包括凹槽部；
所述凹槽部在对应于所述第二凸出部的位置从...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵南一，姜东汎，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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