【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用作干涉式调制器(iMoD)的微机电系统。更特定来说，本专利技术涉及用 于改进干涉式调制器的制造的系统与方法。
技术介绍
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、致动器和电子装置。可使用沉积、蚀刻和 /或其它微切削加工工艺来形成微机械元件，所述工艺蚀刻掉衬底和/或沉积材料层的部 分或其添加层以形成电气和机电装置。 一种类型的MEMS装置被称作干涉式调制器。 如本文所用的术语，干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸 收和/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，所述导电板 中的一者或二者可完全或部分透明和/或具反射性，且能够在施加适当电信号时相对运 动。在一特定实施例中， 一板可包含沉积在衬底上的阆定层且另一板可包含通过气隙々 所述固定层分开的金属膜。如在本文中更详细地描述， 一个板相对亍另- 板的位贾可改 变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。此类装置具有较广范围的应用，且利用和/ 或修改这些类型的装置的特性使得其特征可用于改进现有产品并形成尚未开发的新产 品在此项技术中将是有益的。
技术实现思路
本专利技术...
【技术保护点】
一种制造ＭＥＭＳ显示装置的方法，其包含： 提供透明衬底；以及 在所述透明衬底上形成干涉式调制器阵列，其中所述干涉式调制器包含具有低于光波长在所述干涉式调制器的操作光学范围内的阈值的消光系数（ｋ）的材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶夫根尼古塞夫，徐刚，马雷克米恩克，
申请(专利权)人：高通MEMS科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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