发光元件制造技术

发光元件包含第一磊晶层、第二磊晶层、主动层以及电流限制层。第二磊晶层配置于第一磊晶层的一侧，第二磊晶层包含邻近第一磊晶层的第一侧及相对于第一侧的第二侧。主动层配置于第一磊晶层与第二磊晶层之间。电流限制层配置于第二磊晶层的第二侧或配置于第二磊晶层中，电流限制层包含开口，开口暴露出第二磊晶层的一部分，电流限制层的开口定义出电流流通区，电流限制层环绕电流流通区。

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本专利技术是关于发光元件。
技术介绍
近年来，发光二极管(light-emittingdiode,LED)已经广泛被使用于一般照明和商业照明的应用之中。当作为光源使用时，发光二极管具有许多优点，例如较低的能量消耗、较长的寿命，更小的尺寸与更快速的开关切换。然而，发光二极管需要在特定的电流密度范围下才会达到最大的发光效率。一般情况下，电流密度小于上述范围，并未达到最大发光效率。因此，需要一种解决方案，可以提升发光二极管的电流密度，以提升发光效率。
技术实现思路
根据本专利技术的一态样，发光元件包含第一磊晶层、第二磊晶层、主动层以及电流限制层。第二磊晶层配置于第一磊晶层的一侧，第二磊晶层包含邻近第一磊晶层的第一侧及相对于第一侧的第二侧。主动层配置于第一磊晶层与第二磊晶层之间。电流限制层配置于第二磊晶层的第二侧或配置于第二磊晶层中，电流限制层包含开口，开口暴露出第二磊晶层的一部分，电流限制层的开口定义出电流流通区，电流限制层环绕电流流通区。根据本专利技术一或多个实施方式，电流流通区的面积小于发光元件的面积的10％。根据本专利技术一或多个实施方式，发光元件还包含电性接触，配置于第二磊晶层的第二侧，并电性连接第二磊晶层，其中电性接触的垂直投影与电流流通区的一部分重叠，电流流通区的该部分的面积小于电流流通区的面积的10％。根据本专利技术一或多个实施方式，发光元件还包含导电层，配置于第二磊晶层与电性接触之间，电性接触与第二磊晶层通过导电层电性连接。根据本专利技术一或多个实施方式，发光元件还包含电性接触，配置于第一磊晶层相对于侧的另一侧，并电性连接第一磊晶层，其中电性接触的垂直投影与电流流通区的一部分重叠，电流流通区的该部分的面积小于电流流通区的面积的10％。根据本专利技术一或多个实施方式，电流限制层自第二磊晶层延伸至第一磊晶层。根据本专利技术一或多个实施方式，电流限制层是为一离子掺杂区。根据本专利技术一或多个实施方式，电流限制层是为一氧化区。根据本专利技术一或多个实施方式，电流限制层包含介电材料。根据本专利技术一或多个实施方式，电流限制层为多层结构。附图说明当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭露。应强调，根据工业中的标准实务，各特征并非按比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了论述清晰的目的，可任意增加或减小特征的尺寸。图1绘示根据本专利技术一实施例的发光元件100的剖面示意图；图2绘示根据本专利技术一实施例的发光元件200的剖面示意图；图3绘示根据本专利技术一实施例的发光元件300的剖面示意图；图4绘示根据本专利技术一实施例的发光元件的上视图；图5绘示根据本专利技术一实施例的发光元件400的剖面示意图；图6绘示根据本专利技术一实施例的发光元件500的剖面示意图；图7绘示根据本专利技术一实施例的发光元件600的剖面示意图。【符号说明】100、200、300、400、500、600：发光元件110：第一磊晶层111、112：侧120：主动层130：第二磊晶层131：第一侧132：第二侧140：电流限制层145：开口150、160：电性接触170：保护层180：导电层190：基板Ac：电流流通区具体实施方式以下揭示内容提供许多不同实施例或示例，用于实施本专利技术的不同特征。下文描述组件及排列的特定实例以简化本揭露书的内容。当然，该等实例仅为示例且并不意欲为限制性。举例来说，在以下描述中，第一特征形成于第二特征上或之上包含第一特征与第二特征直接接触的实施例，亦可以包含第一特征与第二特征未直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化，并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。再者，在本专利技术中，以下的特征形成于、连接至及/或耦合至另一个特征可以包含特征形成直接接触的实施例，亦可以包含另外的特征插入形成的特征的实施例，以使特征并未直接接触。进一步地，为了便于描述，本文可使用空间相对性用语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所图示一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。空间相对性用语意欲包含元件在使用或操作中的不同定向。请参考图1，其绘示根据本专利技术一实施例的发光元件100的剖面示意图。发光元件100包含第一磊晶层110、主动层120、第二磊晶层130以及电流限制层140。第一磊晶层110的两侧分别为侧111及侧112，侧111与侧112是相对的。第二磊晶层130配置于第一磊晶层110的侧112。第二磊晶层130包含第一侧131及相对于第一侧131的第二侧132。在一些实施例中，第一磊晶层110及第二磊晶层130包含半导体材料。在某些实施例中，第一磊晶层110及第二磊晶层130可以分别为N型半导体层或P型半导体层。N型半导体层可以为包含N型掺杂物的III-V族半导体层，III-V族半导体层可包含氮化物半导体(AlxInyGa1-x-yN,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)或磷化物半导体(AlxInyGa1-x-yP,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)。P型半导体层可以为包含P型掺杂物的III-V族半导体层，III-V族半导体层可包含氮化物半导体(AlxInyGa1-x-yN,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)或磷化物半导体(AlxInyGa1-x-yP,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)。主动层120配置于第一磊晶层110与第二磊晶层130之间。在一些实施例中，主动层120与第一磊晶层110的侧112接触。在一些实施例中，主动层120与第二磊晶层130的第一侧131接触。在某些实施例中，主动层120可以为多重量子井结构(multiplequantumwell,MQW)。多重量子井结构可以为由III-V族半导体材料组成的多层结构。在图1所示的实施例中，电流限制层140配置于第二磊晶层130的第二侧132。在一些实施例中，电流限制层140包含介电材料，例如氧化物。在进一步的实施例中，电流限制层140为由介电材料形成的多层结构，其中各层的介电材料可以相同或不同。电流限制层140包含开口145，开口145暴露出第二磊晶层130的一部分。由于电流限制层140为介电材料，电流不会流经电流限制层140。因此，电流限制层140的开口145定义出电流流通区Ac，电流经由电流流通区Ac流至第二磊晶层130。电流限制层140使得电流流至第二磊晶层130的面积减小，因而提升了电流密度。在一些实施例中，电流流通区Ac的面积小于发光元件100的面积的10％，例如9％、8％、7％、6％或5％。在另一些实施例中，电流流通区Ac的面积小于发光元件100的面积的5％，例如0.5％-4.5％或1.5％-3.5％。在一些实施例中，开口145的面积为0.18μm2-20μm2，例如1μm2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：/n一第一磊晶层；/n一第二磊晶层，配置于该第一磊晶层的一侧，该第二磊晶层包含邻近该第一磊晶层的一第一侧及相对于该第一侧的一第二侧；/n一主动层，配置于该第一磊晶层与该第二磊晶层之间；以及/n一电流限制层，配置于该第二磊晶层的该第二侧或配置于该第二磊晶层中，该电流限制层包含一开口，该开口暴露出该第二磊晶层的一部分，该电流限制层的该开口定义出一电流流通区，该电流限制层环绕该电流流通区。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：
一第一磊晶层；
一第二磊晶层，配置于该第一磊晶层的一侧，该第二磊晶层包含邻近该第一磊晶层的一第一侧及相对于该第一侧的一第二侧；
一主动层，配置于该第一磊晶层与该第二磊晶层之间；以及
一电流限制层，配置于该第二磊晶层的该第二侧或配置于该第二磊晶层中，该电流限制层包含一开口，该开口暴露出该第二磊晶层的一部分，该电流限制层的该开口定义出一电流流通区，该电流限制层环绕该电流流通区。


2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该电流流通区的面积小于该发光元件的面积的10％。


3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包含一电性接触，配置于该第二磊晶层的该第二侧，并电性连接该第二磊晶层，其中该电性接触的垂直投影与该电流流通区的一部分重叠，该电流流通区的该部分的面积小于该电流流通区的面积的10％。


4.根据权利要求3所述的发光元件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭修邑，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71