发光元件制造技术

发光元件包含第一磊晶层、第二磊晶层、主动层以及电流限制层。第二磊晶层配置于第一磊晶层的一侧，第二磊晶层包含邻近第一磊晶层的第一侧及相对于第一侧的第二侧。主动层配置于第一磊晶层与第二磊晶层之间。电流限制层配置于第二磊晶层的第二侧或配置于第二磊晶层中，电流限制层包含开口，开口暴露出第二磊晶层的一部分，电流限制层的开口定义出电流流通区，电流限制层环绕电流流通区。

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本专利技术是关于发光元件。
技术介绍
近年来，发光二极管(light-emittingdiode,LED)已经广泛被使用于一般照明和商业照明的应用之中。当作为光源使用时，发光二极管具有许多优点，例如较低的能量消耗、较长的寿命，更小的尺寸与更快速的开关切换。然而，发光二极管需要在特定的电流密度范围下才会达到最大的发光效率。一般情况下，电流密度小于上述范围，并未达到最大发光效率。因此，需要一种解决方案，可以提升发光二极管的电流密度，以提升发光效率。
技术实现思路
根据本专利技术的一态样，发光元件包含第一磊晶层、第二磊晶层、主动层以及电流限制层。第二磊晶层配置于第一磊晶层的一侧，第二磊晶层包含邻近第一磊晶层的第一侧及相对于第一侧的第二侧。主动层配置于第一磊晶层与第二磊晶层之间。电流限制层配置于第二磊晶层的第二侧或配置于第二磊晶层中，电流限制层包含开口，开口暴露出第二磊晶层的一部分，电流限制层的开口定义出电流流通区，电流限制层环绕电流流通区。根据本专利技术一或多个实施方式，电流流通区的面积小于发光元件的面积的10％。...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：/n一第一磊晶层；/n一第二磊晶层，配置于该第一磊晶层的一侧，该第二磊晶层包含邻近该第一磊晶层的一第一侧及相对于该第一侧的一第二侧；/n一主动层，配置于该第一磊晶层与该第二磊晶层之间；以及/n一电流限制层，配置于该第二磊晶层的该第二侧或配置于该第二磊晶层中，该电流限制层包含一开口，该开口暴露出该第二磊晶层的一部分，该电流限制层的该开口定义出一电流流通区，该电流限制层环绕该电流流通区。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：
一第一磊晶层；
一第二磊晶层，配置于该第一磊晶层的一侧，该第二磊晶层包含邻近该第一磊晶层的一第一侧及相对于该第一侧的一第二侧；
一主动层，配置于该第一磊晶层与该第二磊晶层之间；以及
一电流限制层，配置于该第二磊晶层的该第二侧或配置于该第二磊晶层中，该电流限制层包含一开口，该开口暴露出该第二磊晶层的一部分，该电流限制层的该开口定义出一电流流通区，该电流限制层环绕该电流流通区。


2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该电流流通区的面积小于该发光元件的面积的10％。


3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包含一电性接触，配置于该第二磊晶层的该第二侧，并电性连接该第二磊晶层，其中该电性接触的垂直投影与该电流流通区的一部分重叠，该电流流通区的该部分的面积小于该电流流通区的面积的10％。


4.根据权利要求3所述的发光元件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭修邑，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71